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【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范

本网站 发布时间: 2024-07-05 05:34:16
  • SJ20307-1993
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 20307-1993

  • 标准名称:

    半导体分立器件 FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1993-05-11
  • 实施日期:

    1993-07-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    222.24 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    石油>>石油综合>>E01技术管理

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    电子工业出版社
  • 页数:

    8页
  • 标准价格:

    14.0 元
  • 出版日期:

    1993-06-01

其他信息

  • 起草人:

    蔡仁明、张滨
  • 起草单位:

    机械电子工业部电子标准化研究所
  • 归口单位:

    机械电子工业部
  • 发布部门:

    中华人民共和国电子工业部
  • 相关标签:

    半导体 分立 器件 功率 晶体管 详细 规范
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标准简介:

标准下载解压密码:www.bzxz.net

本规范规定了FJ646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20307-1993 半导体分立器件 FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范 SJ20307-1993

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20307—93
FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
Detail specification for type FH646NPN silicon power Darlington transiston1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
FH646型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
PetailspecificationfortypeFH646NpNsiliconpowerDarlingtontransistor1.1主题内容
SJ20307--93
本规范规定了FH646型NPN硅功率达林顿晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-OID型及如下的规定(见图1)mm
电40.5@x
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布A
B2-01D
引出端识别:
1一基极
2一发电极
外壳一集电极
1993-07-01实施
1.3最大额定值
Te-25℃
SJ20307—93
注1)Tc>25C时,按3200mW/C的速率线性地降额,1.4主要电持性(T=25℃)
极限值
Vce-5V
le=50A
引用文件
GB4587—84
GB7581-87
GJB33-85
GJB128—86
3要求
3.1详细要求
Ie=50A
Vszant
Ie=50A
双极型晶体管测试方法
Ic=50A
Im--1g-1.0A
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
Ves50V
1g—0
f-1MHz
-55~150
Vee-10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
抽样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
SJ20307-93
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1的规定极限值的器件应予剔除。筛
(见GJB33的表2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试:
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下:
T=140±10℃
Vee=30V
Pt≥166W
4.4质量一致性检验
GT和GCT级
lco和hrEl
按本规范表1的A2分组
△c0/≤初始值的100%或500μA,取较大者hrEl≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587和2.10和下列规定。a.加功率时的Ic=3A:;
b.VcE=10V;
c.基准温度测试点应为管壳;
d.基准点温度范围为25℃≤Tc≤75℃。实际温度应记录:e.安装应带散热器;此内容来自标准下载网
f.Rhji-e)的最大极限值应为0.31℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。3-
检验和试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极-发射极维
持电压
发射极-基极击
穿电压
集电极-基极截止
集电极-发射极截
止电流
集电极-发射极炮
和电压
发射极-基极饱和
正向电流传输比
A3分组
高温工作:
集电极-基极截止
低温工作:
正向电流传输比
A4分组
输出电容
导通时间
贮存时间
下降时间
A5分组
安全工作区(直流)
试验1
GJB128
GB4587
SJ20307--93
表1A组检验
发射极-基极开路:
集电极-基极开路;
1e=200mA
发射极-基极开路;
Vca-600V
Vcg=450V;
Vge=-1. 5V
Ie-50A:
le=50A;
脉冲法(见4.5.1)
Ve-5V;
Ie=50A
脉冲法
TA-125±5℃
发射极-基极开路;
Ven0.7Vcno
TA-55℃
Veg5V,
Ie-50A
脉冲法
Ver=50V
fi-1MHz
le=50A
Im=-I=1.0A
Te=25℃
1=1s,单次
Ve-8V,
Vcenua
VVcecan
VE(at)
极限值
最小值最大值
检验和试验
试验2
试验3
最后测试:
检验和试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试:
B3分组
稳态工作寿命
最后测试:
B4分组
开帽内部目检(设计核实)
键合强度
B6分组
高温寿命(不工作状态)
最后测试:
GB4587
le=50A
Vc-20V,
Ie=20A
SJ20307--93
续表1
Ver-450V;
le-35mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
低温-55℃
其余为试验条件F
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T=140±10℃
Vee30V
Pa≥166W
见表4步骤2和4
试验条件A
TA150℃C
见表4步骤2和4
极限值
最小值最大值
每批1个器件,
0失效
20(C-0)
检验和试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a,细检漏
b.粗检漏
综合温度/湿度周期
外观及机械检验
最后测试:
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试:
C4分组
(适用时)
盐气(侵蚀)
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
C8分组
GB4587
见图1
SJ20307-93
表3C组检验
试验条件B
试验条件A
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
见表4步骤1和3
T=140±10℃
Veg=30V
Put=166w
Te-100℃
见表4步聚2和4
Veg=10V;
表4A.组、B组和C组最后测试
集电极-基极截止
集电极-基极截止
发射极-基极开路;
Vch=600V
发射极-基极开路;
Vea-600V
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
正向电流传输比
正向电流传输比
SJ20307-93
续表4
Ic=50A
le=50A
注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定
6说明事项
6.1合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2.1)号
6.2如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订1单中规定。6.3直流安全工作区(见图2)。
Te-25℃
集电极-发射板电压Vcr(V)
集电极-发射极电压Vce(V)
图2FH646的直流安全工作区
附加说明:
本规范由机械电子工业部提出
本规范由机械电子工业部电子标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:蔡仁明、张滨。计划项目代号:B01021。
极限值
最小值
最大值
初始值的士25%
1501000
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