【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＫ５１型功率开关晶体管详细规范

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK51型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceSJ20171—92
Detailspecificationfortype3DK51powerswitchingtransistor1.1主题内容
本规范规定了3DK51B～G型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定（见图1)。mm
中0.5@x@2
中国电子工业总公司1992-11-19发布符号
B2-01C
1993-05-01实施
1.3最大额定值
3DK51B
3DK51C
3DK51D
3DK51E
3DK51F
3DK51G
Te25℃
SJ20171—92
注，1)Te>25C时，按500mW/℃的速率线性地降额。1.4主要电特性（TA=25℃）
极限值
Veg-5V
3DK51B～G
?黄20~80
①绿40~160
2引用文件
Vekat)
Vae(at)
GB4587-84双极型晶体管测试方法GB7581-87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85
半导体分立器件总规范
GJB128—86半导体分立器件试验方法3要求
.3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
Ia-—In
-55~175
Roh)1-
Veg-10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
：4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20171-92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛选
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T=162.5±12.5℃
Vce=25V
Po=30W
4.4·质量一致性检验
Icaor和heE
按本规范表1的A2分组，
AIc80≤初始值的100%或100μA，取较大者；Ahrm≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a.
加功率时的Ic=1A；
Vce=10V,
基准温度测试点应为管壳，
基准点温度范围为25℃≤Tc≤75℃，实际温度应记录，安装应带散热器：
SJ20171—92
f.Rth)i-e的最大极限值应为2.0'℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极击穿电压
3DK51B
3DK51C
3DK51D
3DK51E
3DK51F
3DK51G
发射极一基极击穿电压
集电极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
渠电极一发射极饱和电压
基极一发射极饱和电压
正向电流传输比
A3分组免费标准下载网bzxz
高温工作：
集电极一基极截止电流
低温工作：
正向电流传输比
GJB128
本规范
附录A
发射极一基极开路：
le=5mA
集电极一基极开路；
Ig=5mA
发射极一基极开路；
VcBVcro
发射极基极开路；
Vce=5V
TA-125±5℃
发射极一基极开路；
Vca0.7Vcso
TA-—55℃
脉冲法（见4.5.1)
VBRYCEO
VR>EBO
VcE(at)
VnE（ant)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
A4分组
上升时间
贮存时间
下降时间
A5分组
安全工作区（直流）
试验1
试验2
试验3
3DK51B
3DK51C
3DK51D
3DK51E
3DK51F
3DK51G
最后测试：
检验或试验
B1分组
可焊性、
标志耐久性
B2分组
热冲击（温度循环）
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试：
SJ20171—92
续表1
GB4587
Im=—Ig2=0.3A
Te-25℃
t=1s,单次
Veg=10V
Ve=25V
Vcg=50V
Ic=660mA
Veg=80V
lc=230mA
Vee-110V
le=119mA
Veg=150V
lc-61mA
VcE=200V
lc=82.5mA
Vcg250V
Ic=20mA
见表4步骤1和3
表2B组检验
GJB128
低温-55℃
其余为试验条件F
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
极限值
最小假
最大值
B3分组
检验或试验
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
(设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击（玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
抗潮湿
外观及机械检验
最后测试
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试
C4分组
盐气(侵蚀）
（仅对海用）
外观及机械检验
SJ20171—92
续表2
GJB128
T,=162.5±12.5C
Vce-25V
见表4步骤2和4
试验条件A
TA=175℃
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
每批1个器件，
0失效
20(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
SJ20171—-92
续表3
GJB128
T,=162.5±12.5C
Veg25V
Ptat=30W
见表4步骤2和4
Vc=10V
入=10
表4A组、B组和C组最后测试
GB4587
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
发射极一基极开路：
VcR=VcBo
发射极一基极开路，
VcaVero
Vee=-5V
注1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定所要求的引出线材料和涂层（见3.2.1）。6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3直流安全工作区见图2。
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
初始值的
(y),事审事
SJ20171—92
3DK51B
3DK51C
3DK51D
3DK51E
3DK51F
3DK51G
集电极一发射极电压Veca(V)
Te-25℃
8011015020
图23DK51B～G的直流安全工作区8
A1目的
SJ20171—92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2
测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(aR)Cro的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA：
测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。SJ20171-92
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、任慧敏、张滨。计划项目代号：89082。
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