【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＫ１２型功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体分立器件
SJ20168-92
3DK12、36、37、38、51和3CK38型功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for types 3DK12.36.37.38.51 and3CK38power switching transistors1992-11-19发布
中国电子工业总公司
1993-05-01实施
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK12型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discrete deviceSJ20168-—92
Detail specificationfortype3DK12powerswitchingtransistor1.1主题内容
本规范规定了3DK12B~F型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33&半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。1.2外形尺寸
外形尺寸按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定（见图1)。mm
中国电子工业总公司1992-11-19发布符号
B2-01C
1993-05-01实施
1.3最大额定值
3DK12B
3DK12C
3DK12D
3DK12E
3DK12F
SJ20168-92
注：1）T.>25℃时，按500mW/℃的速率线性地降额。1.4主要电特性（Ta=25℃）
3DK12B～F
VcE-2V
?黄15~60
?绿30~120
2引用文件
Vee(oan)
VsE(at)
GB4587--84
双极型晶体管测试方法
GB7581--87半导体分立器件外形尺寸GIB33-85
半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
I8—1B2
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
Ven=10V
-55175
Rethfe
Ve=10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定。
4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20168—92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选（仅对GT和GCT级）
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
（见GJB33的表2）
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下：
T=162.5±12.5℃
Vc=15V
Pror=30W
4.4质量一致性检验
Icso,和hre
按本规范表1的A2分组；
AIcao1≤初始值的100%或100μA，取较大者；Ahp8≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a.
加功率时的Ic=1A；
VcE=10V;
基准温度测试点应为管壳；
基准点温度范围为25℃≤T≤75℃。实际温度应记录；安装应带散热器；
R）-。的最大极限值应为2.0℃/W。3
4.5.3C组寿命试验
SJ20168—92
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表1A组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极击穿电压
3DK12B
3DK12C
3DK12D
3DK12E
3DK12F
发射极一基极击穿电压
集电极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
集电极一发射极饱和电压
基极一发射极饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作：
集电极--基极截止电流
低温工作：
正向电流传输比
GJB128
本规范
附录A
发射极一基极开路，
Ie-5mA
集电极一基极开路；
Ig10mA
发射极一基极开路；
Vcg-VcBO
发射极一基极开路：
VeVeno
1g—0.3A
TA=125±5℃
发射极一基极开路；
Vc0.7VcBo
TA--55℃
Vek=2V
脉冲法（见4.5.1)
VAR)CEO
VBRVEBO
VcEton)
VBE极限值
检验或试验
A4分组
输出电容
导通时间
关断时间
A5分组
安全工作区（直流）
试验1
试验2
试验3
3DK12B
3DK12C
3DK12D
3DK12E
3DK12F
最后测试：
检验或试验
B1分组
可焊性
标志耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
SJ20168-92
续表1
GB4587
Ven-10V
f-1MHz
Im—I
Te25℃
1-1s单次
Vee-10V
Veg-15V
Vee=50V
lc=210mA
Vee=70V
le=100mA
Vem100V
le=42mA
Vee120V
VcE140V
le=20mA
见表4步骤1和3
表 2B组检验
GJB128
低温-55C，其余为试验条件
试验条件H
极限值
检验或试验
b.粗检漏
最后测试：
B3分组
稳态工作寿命
最后测试：
B4分组
（仅对GCT级）
开帽内部目检
（设计核实）
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态）
最后测试：
检验或试验Www.bzxZ.net
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力）
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
抗潮湿
外观及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
SJ20168—92
续表2
GJB128
试验条件F
见表4步骤1和3
T=162.5±12.5C
Vce=-15V
Pro=30W
见表4步骤2和4
试验条件A
TA=175℃
见表4步骤2和4
表3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
按总规范
见表4步骤1和3
每批1个器件，
0失效
20(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
C4分组
盐气(侵蚀)
（仅对海用）
外观及机械检验
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
C8分组
GB4587
SJ20168—92
续表3
GJB128
T=162.5±12.5C
Vee=15V
Ptat-30W
见表4步骤2和4
Vee=10V
入=10
表4A组、B组和C组最后测试
GB4587
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
发射极一基极开路；
Vca=Veso
发射极一基极开路；
Vea-VcBo
注：1）本测试超过A组极限值的器件不应接收。包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6.1合同或订货单可规定所要求的引出线材料和涂层（见3.2.1)。6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3直流安全工作区见图2。
极限值
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
初始值
的±25%
SJ20168--92
3DK12B
3DK12C
3DK12D
3DK12E
3DK12F
策电极一发射极电压Va（V)
Te=25C
5070100140
3DK12B～F的直流安全工作区
A1目的
SJ20168-92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路3测试步骤
限流电阻R，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VBR>CEg的最低极限，晶体管为合格，本测试方法企图表现品体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA：
测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：蔡仁明、于佳业。计划项目代号：89082。
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