【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ５５９、３ＣＤ５６０型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD559型、3CD560型
PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2382--83
1本标准适用于耗散功率为75W的3CD559型、3CD560型PNP硅外延平面工艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。
三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEo(su)——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VCER()
一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VCBO、VCEO不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；a.
b.热循环特性曲线；
PcM—Tc的关系曲线，
hrE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；d.
IB—VBE的关系曲线，
f．Ic—VcE的关系曲线（Tc为25℃时），g.Ic-VBE的关系曲线。
83CD559型、3CD560型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
PcM(Tc=25℃)
SJ2882-83
150（金属封装），125（塑料封装）55~+150（金属封装），-40～+125（塑料封装）注：IcN为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计盘单位
(Te=100℃)
VeEO (a)
(Te=-55℃)
VBE uan
(f。=10MHz)
t15或直流
Raraje（金国封装）
试验条件
测试条件
Vcg=0.9Vceo
Te=75℃（金属封装）
Veg--10V
15~30，25~50，40~80，70~140，1120~240，
VcE=20V
注，①B档以上的器件第一个测试点的Ver选在Peu线与Ps/a线的交点处，Vce×Is/B>Pecn。②B档以上的器件第二个测试点的Vcz>0.9VcE0，此点不应发生二次击穿。-1
Ic=.2.25A
3CD559
F-2型
铜底座、wwW.bzxz.Net
3CD560
F-2型
铁底座
238283
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