【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ５５７、３ＣＤ５５８、３ＣＤ６５７型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2381-—83
1本标准适用于耗散功率为45W的3CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面T艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号一般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus）——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VcER(sus)—集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VCAO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VeBC应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后。三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求，其中VcBO、VcEO不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcE(sar)不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：a.安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线；b.
热循环特性曲线：
PcMTc的关系曲线；
hFE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100C时）d.
-VBE的关系曲线：
f.Ic--Vce的关系曲线（Tc为25℃时)；g.Ic-VBE的关系曲线。
83CD557型、3CD558型、3CD657型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃)此内容来自标准下载网
SJ2381-83
150（金属封装），125（塑料封装）-55～+150（金属封装），-40~～+125（塑料封装）注，IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te=100℃)
(Te=-55℃)
VcEuan
(f。=10MHz）
t15成直流
Ruje（金属封装）
Ruhe（塑料封装）
试验条件
测试条件
Vck=0.9Vceo
To=75C（金属封装）
Te=75℃（塑料封装）
VcE=-10V
VCE=-10V
15~30,25~50,
120~240,
4080,70140,
VeE=-20V
Vcg=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Pcm线与Ps.a线的交点处，Vee×IsB>Pem。②B档以上的器件第二个测试点的Vce>0.9VcE0，此点不应发生二次击享。-1.5
le=-1.35A
Ic=-1.15A
3CD557
F-2型
铜底座、
3CD558
F-2型
铁疾座、
3CD657
S-7型
塑料封装
2381—88
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