【国家标准(GB)】 硅--蓝宝石外延片

中华人民共和国国家标准
硅一蓝宝石外延片
Silicon on sapphire epitaxial wafers主题内容与适用范围
GB/T 14016--92
本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。2引用标准
GB6624硅单晶抛光表面质量目测检验方法GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB/T13B43蓝宝石单晶抛光村底片SJ2446非本征半导体单晶富尔迁移率的测试方法硅外延层厚度，层错密度，硅片上的缺陷和沾污观察标准和规程术语。见附录A。3技术要求
3.1衬底bzxZ.net
蓝宝石抛光衬底片的技术要求应符合GB/T13843。3.2掺杂剂及导电类型
8.2.1掺杂剂为铝，硼或磷。
3.2.2导电类型为P型或N型。
8.8外延层厚度
9,3,1 外延层厚度为0. 4 ~ 5 μm。3. 3. 2 径向厚度不均性：5 ± 6 %，3.4电阻率
电阻率为0.05~200Qcm。
8.5迁移率数值：240cm2/V.s
3.6载流子浓度范围：10l~10#at/cm3。3.7表面缺陷的最大充许值应符合表1的要求。表1
层错宦度
国家技术监督局19921228批准
最大充许值
25个/em
总长度R/2
199308-01实施
蚀坑和凹坑
注：边缘 2 mm环形区为免检区。GB/T 14015-92
续表1
最大充许值
弦长为 3 mm以上的无
弦长为0. 38~ 3 mm的 3 个
弦长为0.8mm以下的不计
Φ50.8mm（2in）衬底，5个
Φ76-2mm（3in)村底，u个
3.8硅外延层厚度、层错密度、硅片上的缺陷、沾污观察标准和规程术语见附录A（补充件）。3.9蓝宝若结晶学图参见附录 B（参考件)。3.T0外延层硅膜取向参见附录C（参考件）。3.11特殊技术要求由供需双方商定测试方法
4.1 外延层厚度按照附录 A（补充件)进行测定。4.2电阻率按SJ2446进行测定。
4.3迁移率按SJ2446进行测定。
载流子浓度按SJ2446进行测定。4.5层错密度按附录A（补充件）进行检测。4.6表面缺陷按GB6624和附录A（补充件）进行检测。检验项目和检验规则
5.1检验项口
5.1.1本标准技术要求中3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8为必测项目。5.1.2本标准技术要求中3.1、3.2为保证项目。5.2检验规则
5.2.1产品应出供货方的质量检验部门按本标准进行检验，并附有检验合格证。5.2.2使用方在收到产品时应按本标准规定进行验收，如发现产品不符合标推时，在到货之日起三个月内向供货方提出.
5.2.3产品的交收试验应按GB2828采用一次抽样方案进行抽样，检查水平为ⅡI，合格质量水平AQL2.5。
6标志、包装、运辅、购存
GB/T14015—92
6.1产品出厂必须附有合格证，合格证上应注明：制造厂名；
产品名称、牌与编号：
各项必测项目指标，
d．片数；
e：直径：
f.检测员印章及检查日期。
6.2产品包装应具有防擦伤、防沾污、防碎裂措施，包装盒内应附有标签并标明：#．产品名称：
．产品编号：
出厂日期：
制造单位。
6.3产品运输过程中不得同碱性、酸性等腐蚀性物质混装。6.产品应保存在无脑蚀气氛的清洁仓库内。GB/T14015-—92
附录A
硅外延层厚度、层错密度、硅片上的缺陷、沾污观察标准和规程术语标准
（补充件）
ASTMF95用红外反射法测量相同导电类型衬底上硅外延层厚度的标准方法。A.STMF522用干涉相衬显微镜测量硅外延层层错密度的标准方法、ASTMF154鉴别镜面硅片上，观察到的缺陷和沾污标准规程和术语。注：文本按SEM[标准第三卷《材料》。译文街中国标准出版社出版。附录B
蓝宝石结晶学图
（参考件）
结构指数
矿物学符号
GB/T14015-92
A平面
R面(1702）
A平面(1120)
（：平面（0001）
图 1典型品间
附加说明，
GB/T14015—92
附录C
外延层硅膜取向
（参考件）
（M0）硅膜面法线
（1102）持底法线
*c\轴<001>面法线
C轴控影
（1心）硅膜面法线
树参考面法线
本标准由中华人民共和国机械电子工业部提出。本标准由天津半导体技术研究所负责起草。本标准主要起草人陈颜、孙家龙、牛志强、步云英。
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