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- SJ 20842-2002 砷化镓表面砷镓比的测试方法
- 标准号: - SJ 20842-2002
- 标准名称: - 砷化镓表面砷镓比的测试方法
- 标准类别: - 电子行业标准(SJ)
- 标准状态: 现行
- 
          	发布日期: 2002-10-30
- 
		 实施日期: 2003-03-01
- 出版语种: 简体中文
- 下载格式: .rar.pdf
- 下载大小: 172.72 KB
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	      本标准规定了砷化镓材料表面镓砷比的X射线光电子能谱的试验方法。本标准适用于监测砷化镓器件制造过程中各种表面处理对砷化镓晶片表面镓砷比的影响,也适用于晶片加工中的各种表面处理。 SJ 20842-2002 砷化镓表面砷镓比的测试方法 SJ20842-2002
 标准内容
标准内容部分标准内容:
					
					中华人民共和国电子行业军用标准FL5971
SJ20842—2002
化表面镓砷比的测试方法
Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide2002-10-30发布
2003-03-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准砷化镓表面镓砷比的测试方法
Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide1.1主题内容
本标准规定了化镓材料表面镓砷比的X射线光电子能谱的试验方法。SJ20842—2002
1.2适用范围
本标准适用于监测砷化镓器件制造过程中客囊面处理对神花缘晶片表面砷比的影响,也适用于晶片加工中的各种表面处理
2引用文件
SJ/T10458—1993
SJ/T10714—1996
3定义
俄歇电子能谱术和X射线光电子能谱术的样品处理标准导则《射线光电子能谱仪主作特性的实施标准检查
3.1术语
3.1.1X射线光电子能谱
rayphotocl
用窄带特征×射线辅照样品测量样品发射的电子能款布谱的技术测量漆度为九纳米。peak intens
3.1.2谱峰强度
谱峰信号强度的量度,对求射线光电于能谱而音强度可以是峰高或峰面积。3.1.3元素灵敏度因子elamentarsensitiyityfactor在原子处于均匀环境条性卡,某元素的谱峰强度与作为标准元素的谱峰如$)强度的相对比值。4一般要求
4.1测量的标准大气条件
环境温度:18℃~25℃;
b相对湿度:40%~80%
4.2测量环境条件
实验室应防尘、洁净,无机械冲击和振动,无电磁干扰。5详细要求
5.1方法提要
当×光照射样品时,会使原子内层电子光致发射或俄歇发射,把发射的电子引入能量分析器,可以探测经过能量分析器的电子,但只有靠近表面区域的电子才能被探测到,记录并输出一个与电子能量中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布TiKAoNiKAca-
2003-03-01实施
SJ20842—2002
成函数的信号,便得到电子能谱。而谱峰强度与元素含量相关,通过测量所测元素的谱峰强度,可以计算出其相对含量。
5.2仪器
5.2.1仪器构成
X射线光电子能谱仪的基本组成部分如图1所示。超高真空系统
激发源
能量分析器
探测器
数据采集及处理系统
·图1×射线光电子能谱仪的构成框图5.2.2仪器性能要求
所用仪器应按照SJT10714—96中第3条进行检定,并达到该标准第5条规定的要求。5.3测量程序
5.3.1样品的制备及传递应按照SJ/T10458—93中的第5条和第6条的要求进行操作。5.3.2将待测样品装入系统预抽室抽真空,达到规定要求后,送入分析室。5.3.3设定仪器参数包括:所用激发源(MgKα或AIKα)、能量分析器通过能、扫描次数及步长等。对同仪器,以后的测试条件应保持一致。5.3.4用性气体离子(如氩离子)轰击清洁样品表面,使CIs谱峰强度下降为As3d谱峰强度的50%以下。
5.3.5在30eV至50eV之间记录As3d谱,要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上(扣除背底)。
5.3.6在10eV至30eV之间记录Ga3d谱,要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上(扣除背底)。
5.3.7在相同条件下重复三次5.3.5和5.3.6的测量。54结果处理
5.4.1画出或在计算机上调出5.3.5至5.3.7中测得的As3d和Ga3d谱图。5.4.2确定谱峰两端的端点,扣除背底,计算峰面积即为谱峰强度。注:扣除背底的方法有多种,但对同一仪器应始终保持一致。2
SJ20842--2002
5.4.3用三次测量得到的As3d和Ga3d谱峰强度分别计算出各自的算术平均值。5.4.4确定元素灵敏度因子,如有标样可用同仪器进行测量,一般选用仪器厂商提供的灵敏度因子,且要在以后的测量中保持一致。5.4.5按下列公式计算Ga和As的相对原子浓度:C
式中,Cx—X元素的相对原子浓度,at.%;I—-X元素的峰强度,记数/s:
S—X元素的灵敏度因子;
1—样品中某种元素。
5.4.6由Ga和As的相对原子浓度,即可得到GaAs比ARnG
5.5测试报告
测试报告应包括如下内容
样品来源及编号
所用测量仪器及选用参数
测试单位及操作者;
表面锦砷比值:
测试日期。
5.6精密度
本方法相对偏差不大
附加说明:
本标准由信息产业部电子第四研究所归口。本标准由信息产业部电子第四十大研究所负责起草。INFORMA
段曙光李雨辰严如岳
本标准起草人:任殿胜“
计划项目代号:B05002。
FTKANiKAca-
中华人民共和国
电子行业军用标准
砷化镓表面镓砷比的测试方法
SJ20842—2002
中国电子技术标准化研究所
中国电子技术标准化研究所
中国电子技术标准化研究所发行电话:(010)84029065
传真:(010)64007812
地址:北京市安定门东大街1号
邮编:100007
网址:cesi.ac.cnwwW.bzxz.Net
开本:880X1230
2003年4月第一版
印张:
字数:10千字
2003年4月第一次印刷
版权专有
不得翻印
举报电话:(010)64007804
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
	 
	        
	      SJ20842—2002
化表面镓砷比的测试方法
Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide2002-10-30发布
2003-03-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准砷化镓表面镓砷比的测试方法
Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide1.1主题内容
本标准规定了化镓材料表面镓砷比的X射线光电子能谱的试验方法。SJ20842—2002
1.2适用范围
本标准适用于监测砷化镓器件制造过程中客囊面处理对神花缘晶片表面砷比的影响,也适用于晶片加工中的各种表面处理
2引用文件
SJ/T10458—1993
SJ/T10714—1996
3定义
俄歇电子能谱术和X射线光电子能谱术的样品处理标准导则《射线光电子能谱仪主作特性的实施标准检查
3.1术语
3.1.1X射线光电子能谱
rayphotocl
用窄带特征×射线辅照样品测量样品发射的电子能款布谱的技术测量漆度为九纳米。peak intens
3.1.2谱峰强度
谱峰信号强度的量度,对求射线光电于能谱而音强度可以是峰高或峰面积。3.1.3元素灵敏度因子elamentarsensitiyityfactor在原子处于均匀环境条性卡,某元素的谱峰强度与作为标准元素的谱峰如$)强度的相对比值。4一般要求
4.1测量的标准大气条件
环境温度:18℃~25℃;
b相对湿度:40%~80%
4.2测量环境条件
实验室应防尘、洁净,无机械冲击和振动,无电磁干扰。5详细要求
5.1方法提要
当×光照射样品时,会使原子内层电子光致发射或俄歇发射,把发射的电子引入能量分析器,可以探测经过能量分析器的电子,但只有靠近表面区域的电子才能被探测到,记录并输出一个与电子能量中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布TiKAoNiKAca-
2003-03-01实施
SJ20842—2002
成函数的信号,便得到电子能谱。而谱峰强度与元素含量相关,通过测量所测元素的谱峰强度,可以计算出其相对含量。
5.2仪器
5.2.1仪器构成
X射线光电子能谱仪的基本组成部分如图1所示。超高真空系统
激发源
能量分析器
探测器
数据采集及处理系统
·图1×射线光电子能谱仪的构成框图5.2.2仪器性能要求
所用仪器应按照SJT10714—96中第3条进行检定,并达到该标准第5条规定的要求。5.3测量程序
5.3.1样品的制备及传递应按照SJ/T10458—93中的第5条和第6条的要求进行操作。5.3.2将待测样品装入系统预抽室抽真空,达到规定要求后,送入分析室。5.3.3设定仪器参数包括:所用激发源(MgKα或AIKα)、能量分析器通过能、扫描次数及步长等。对同仪器,以后的测试条件应保持一致。5.3.4用性气体离子(如氩离子)轰击清洁样品表面,使CIs谱峰强度下降为As3d谱峰强度的50%以下。
5.3.5在30eV至50eV之间记录As3d谱,要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上(扣除背底)。
5.3.6在10eV至30eV之间记录Ga3d谱,要进行足够次数的扫描,使谱峰强度达到5000记数以上(扣除背底)。
5.3.7在相同条件下重复三次5.3.5和5.3.6的测量。54结果处理
5.4.1画出或在计算机上调出5.3.5至5.3.7中测得的As3d和Ga3d谱图。5.4.2确定谱峰两端的端点,扣除背底,计算峰面积即为谱峰强度。注:扣除背底的方法有多种,但对同一仪器应始终保持一致。2
SJ20842--2002
5.4.3用三次测量得到的As3d和Ga3d谱峰强度分别计算出各自的算术平均值。5.4.4确定元素灵敏度因子,如有标样可用同仪器进行测量,一般选用仪器厂商提供的灵敏度因子,且要在以后的测量中保持一致。5.4.5按下列公式计算Ga和As的相对原子浓度:C
式中,Cx—X元素的相对原子浓度,at.%;I—-X元素的峰强度,记数/s:
S—X元素的灵敏度因子;
1—样品中某种元素。
5.4.6由Ga和As的相对原子浓度,即可得到GaAs比ARnG
5.5测试报告
测试报告应包括如下内容
样品来源及编号
所用测量仪器及选用参数
测试单位及操作者;
表面锦砷比值:
测试日期。
5.6精密度
本方法相对偏差不大
附加说明:
本标准由信息产业部电子第四研究所归口。本标准由信息产业部电子第四十大研究所负责起草。INFORMA
段曙光李雨辰严如岳
本标准起草人:任殿胜“
计划项目代号:B05002。
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砷化镓表面镓砷比的测试方法
SJ20842—2002
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中国电子技术标准化研究所发行电话:(010)84029065
传真:(010)64007812
地址:北京市安定门东大街1号
邮编:100007
网址:cesi.ac.cnwwW.bzxz.Net
开本:880X1230
2003年4月第一版
印张:
字数:10千字
2003年4月第一次印刷
版权专有
不得翻印
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