【电子行业标准(SJ)】 AMV－1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法

中华人民共和国电子行业标准
AMV1284型硅外延炉完好要求和
检查评定方法
1主题内睿与适用范围
SJ/T 3111094
本标准规定了AMV1284型硅外延炉的完好要求和检查、评定方法。本标准适用于AMV一1284型和类似结构的其它型号的硅外延炉。2完好要求
2.1主要技术性能
2.1.1硅外延炉应能精确控制各种参数。在将硅片化合物引入反应时，必须严格控制温度分布、携带气流、杂质，气流和浓度应达到规定要求。2.1.2温度控制，杂质控制、流程时问的参数要求为：a：工作温度：650~1250℃，控温精度土3℃lb.H,加压泄漏率：<8.91Pa/min；e各高低速精密流量计的气体流量精度：≤士2%；2.1.3硅片外延加工尺寸规定范围为100mm为5片；$76mm为8片。2.1.4外延层厚度均匀性为10%，外延层电阻率均句性为10%。2.2加热源及温度控制装置
2.2.1感应加热装置（高频炉）、射频发生器等加热源，应严格按设备技术规定要求检测。为保证温度均匀性，电源必须高度稳定。2.2.2用自动温控器控制温度精度时，传感器应灵敏可靠。2.3反应器（硅片外延生长室）
2.3.1设备工作时，双向反应器，允许一个反应器处于冷却重新装片状态，另一个则处于工作状态。
2.3.2反应器所用石英钟罩为气缸驱动升降（气源可用氮），升降，导向、限位、复位机构动作平稳,应准确可靠。
2.3.3钟罩内压力为常压，应根据工艺技术要求，控制温度、气体比例正常输入，确保冷却及安全。
2.3.4基座转动平稳，无冲t、无抖动。转速在10～20r/mi范围内可调。2.3.5不锈钢盘无锈蚀，密封槽无损伤。2.3.60型圈密封衰好，H2泄漏量小于100PPm。2.4气体输供系统
中华人民共和国电子工业部1994-04-15批准1994-06-01实施
SJ/T 31110—94
2.4.1外延所需要的气体，应按比混合输入反应器，要求自动流量控制器，各管路接头阀门、流量计供气系统密封良好，气体不得泄漏;必须安全可靠。2.4.2反应器内如出现故障，供气应自动开闭，停水时应能自动切断射频电源，在排除其它气体后究进氮气作保护。
2.5主控柜
主控柜对电、温度、气体流量的控制，用程序逻辑控制器贮存6个程序、共99个步骤，对自动控制温度温差及气体白动流量比例、流量精度选择，设定数值的每个程序均可操作对应的按钮调出显示,且应准确可靠。
2.6冷却系统
2.6.1高频感应加热源（高赖炉）冷却水温最高不得超过32℃，最低不得低于21℃。进口压力最高为0.63MPa，最低不得低于0.22MPa。2.6.2反应器线圈及钟罩法等也均句为水冷却,其水温最高不超过27℃/最低不得低于21℃，进水压力最高为0.56MPa，最低不得低于0.35MPa。2.6.3反应器石英钟罩及装片等所需风冷也均应按设备规定要求，确保设备冷却良好。2.7操作系统
2.7.1各操作、开关、按钮启动灵活，定位可靠，标志齐全。2.7.2制动、限位装置齐全，灵敏可靠。2.8传动系统
设备运动平稳，无冲击、无振动、钟罩升降复位准确安全可靠。2.9气路系统
2.9.1各气动元件动作，灵敏可靠，阀及管道联接密封良好不得泄漏，必须按规范正确使用气体。
2.9.2各仪表齐全、灵敏，指示准确、可靠，有有效期内校验合格证。2.10电气系统
2.10.1电气性能良好，运行可靠，保护装置齐全有效。2.10.2线路完整，绝缘层无老化破裂，无漏电现象。2.10.3高频传输线无漏电、无打火。2.11程序逻辑控制器
2.11.1控制器各部分功能齐全.性能稳定。2.11.2内部清洁，各线路标志明显。2.12安全防护
2.12.1各安全防护装置齐全、可靠2.12.2接地可靠，标志明显，
2.12.3出现停水、停电故障时，报警装管报警准确可靠。2.12.4做好气体泄漏等防范措施，确保安全。2.12.5做好防高频泄漏措施。
2.12.6设备，且出现故障或错误时，对错误区域报警指示显示，正确装置可靠，2.13维护保养
2.13.1设备内外清洁.无锈蚀，无异味。12
TTTKAONTKAca-
SJ/T 3111094wwW.bzxz.Net
2.13.2设备出现故障及时修理，不得带病工作.做好维修记录，定期检查，其它按SJ/T31002—94设备维护保养通则执行2.14设备环境要求
设备应安装在恒温超净房间，通风排放良好，室内温度不得高于26℃，超净净化标准为千级.通风及气体排放均应符环境保护要求，必须有良好的环保措施，3检查、评定方法
3.1检登方法
3.1.1工作温度检查方法
设定从650～1250C其间任一温度，用数字式光学高温计测量基座温度，实测温度与设定温度之偏离不人于土3C。连续观测3min，同被测圆周上的温度起伏不大于士3℃-.3.1.2气体流量检查方法
收变所检查气体的设定旋钮，观察质量流量显示器读数变化，当设定确定后，数字显示保持稳定。
3.1.3H,浓度检查方法
在控制板内和反应柜内分别慢放II2同时用H,检漏仪测定该区域内H：含量，记录报警和停炉时的H浓度。
3.1.4外延厚度均勾性检测方法
用膜厚测试仪检测外延厚度均勾性。片内均勾性：最大值一最小值
大值卡 最小值
3.1.5外延电阻率均性检查方法
用四探针测试仪检测外延层电阻均匀性，3.评定厅法
3.2.1完好要求中,2、1各项要求和2.2.2、2.3.2、2.4.2、2.5.2.6.1~2.6.3、2.7.2、2.8、2.9.2.2.11.1~2.11.2、2.12.1~2.12.6为主要项日，其余为次要项月。3.2.2主要项目有项不符合要求，为不完好设备；次要项目有二项不符合要求，亦为不完好设备，
3.2.3完好设备的维护保养，应达到优等设备标准。附加说明：
本标准由电子工业部经济运行与体制改革司提出。本标准由国营南京有线电厂组织起草。本标准主要起草人：张振华（电子T业部第55所）、石志曾（电子上业部第13所）。3-
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。