【电子行业标准(SJ)】 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管

S31.080.30
备案号：7550—2000
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11226—2000
电子元器件详细规范
3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管Detail specification fnr electronic componentsType3DA5osLband silicon pulscpower transistar2000-08-16发布
2000-10-01实施
中华人民共和国信息产业部发布前
本划范是按照G/17576~-1998半导体器件分立案件宽牛部分极型品体管第匹范高频放大管充额定双被型品体替空自计细规范》（idIFC747-7-4：1991）标准制订的，符合（RT45891·1989半导体器牛分器件和集成电路总规范（id1IEC747-10：1984）和G8/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范”（油正C747-111996】的[类要求，
本划范出信息心业部市子T业标学化研流所归口。本规游起节单位：信息产业部电下工业标准化研究所。本规范土要起草人！越英、顾振球。中华人民共和国电子行业标准
电子元器件详细规范
3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管Detail specitieatiog for electranic enmponentsType3nAsosLhaadsiliconpnlsepowertranslstorSJ/T11226—200K)
本规范适用T3DA505型L领段硅慧冲功率品体管，它是技照GB/17576--1908学导快器件分立器件、第了部分双摄型品体管第四搞高频效大音壳敲定极型品体管空自详缅规范标准制订的，符合GR4589.1一1989半导准器件分立举件和架成自路总规范3和GB/T12560—1999半导体器件分次器分规范”的Ⅱ类要求本规范引用的标准有（GB/14587—1994半异体分立器件和某成电路第7部分观级型品体营9、GBT4589.1一1989半导体墨件分立器件集成电路总规范%、G849371995享导体器件机和气假试验方选3利GB1284一974位分立器件试验方然”
中华人民共和国信产业都2000-08-16发布EkeNKe
2000-10-01买施
SJ/T11226-2D00
中华人民共和国府总产业部
评定电子元器件质且的依据：
458515（导本和集成电路息
GB12560—1999（半导体器性分立器件分规站33D505型放段建冲动详现抢
订货资料：见率规范势了盘，
机械说明
外形图：
见本现逆10.2
山通识别：
见本规孢1D.2.
标点：
见本规范第6卓
SJ/T 11226—200
2.要说明
波段味油动事品体管
品体管：NP
中导体材料：Si
针疫：卒腔
同途：击站、航空暂制
3.质当评定类出
参与致据
/ (1.2~1.4) GHz:
P味冲猫15率）：220W:
210~100
Cp:7.d dB.
选作组现靠装定合穿的限性其存关制造！的链制，合降产品一宽表，极限值（绝对最大题定值）
除让另有规定：达些极限值适用于整个上作温度范围。条号
管壳温度
存温度
梦致名称
高禁电极一基假压
总高发射极一其级反均电烂
爱上单山快电流
做功准！
高有款结定
详；1）降报出见10.1，
frKeNrK
现小值
垃人宿
SJ/T 11226—2000
5电特性（检验要求见本规范募日章）特性和条件
豫非另有规定，Ta5-29\C
（见R.T4589.1第4登）
上同电传输比
FCE-S V. IC -3 A
集成极--以板做止电流
VcR-0 V. p -0
商识下集极一基径能止表流
T:mb=150 °C, Vum =40 V
逆高集电级一发射板地合电压
g=3 A. g =0.3 A
最优球冲接出功率
低功率增益
Yco =40 V. J-(1 2--1.4) GIlz.Iw-150 4s, D-10%, P,-40 W
最低总效率
Vcc =40 V, 1 2--[ 41Gnz.
w-1l μs.-10%.P-40 w
Yr =12 V. fc =4 A. ta3-1 ms
25*Cre70C
心标志
6.1露片上应弯如下标志：
引出端识别标志（州10.2）
一型号名称、质率评定类别：
-一生产厂所标志;
检验批识别代码，
6.2在韧筛包装上的标惠
hz:El)
Feanin
TiegGi
Ve:Eaat
验可山端识别标态外的所有墨性上拍标志。了订货资料
订盘资料上应在下列内穿：
准确的型号：
本规范编号：
一原重评定炎别
一对器性竹其它要求
8试验务性和检验要求
最小征
最大位
除非另有规定，本竞中引用的条号对1GBT4589.1的条号，测试方法5白（B/frKeSKk3
5J/T 11226--2000
4587和GJB128A，试路方落引白GB/T4937.A纽
金部试验都长非破坏性的（3.6.6）.协股或试验
AI分组
外部口
A7i分组
不隐工作
A25分组
A3 公组
YcEsal
引用标准
GB/T4587
GB/T 4589.1
N,第1 节. 2. 1
\，第1节、9.1
GJ日128A
克法20
。第1 节。 4.1
除非见有规定，T-252℃
（见GB/T4589.1第4草）
同A2b
Pcp =40 V. f= -0
FcE -S V. IC -3 A
Fcc =40 V,f-(1.2~ 1.4) QHz
f-150 u5. C-1c36.
FF3 A.R -0.3 A
全部试验韵是升随环性的：（3.6.6）、引用祝准
抢管观验
引出端强度
明钱考曲（不
B4分组
GRT4917
GB.T4589.J
一深北
踪 II 另在以定. Tence -25 oC(& G汀 45,1 年 4 重)
最小位
录大值
除非另有思定
游，：
Ic00(1) 000 mA
井路，即：
险验要求
最小值录大互
见本规范10.2
润混安虾
单位！
按验实式验
B5分迎
快避起竞变化
避后测试，
feEoxn
atFa1)
CRRL分经
用标难
GB/T4937
GH/T4587
第丫章
GB/T4587
V,第I 节, 2.:
GB/T 4537
NV，第，9.1
SJ/T11-226-2000
B组（完）
除#另衰理定。Icaz=25℃
( GB/T 4569.1 第4章
T-65 *C. TR-175 °C.bzxZ.net
f1 =0 mir =(2*-3) m
循坏改数：5次
7.4和7.5
7,41875+12.5
Pc30w.Vcp=10V.16sh
炫AZb分组
按A26分组
！费供B34、5分的检，
标有（）的试验足破坏性的（3.折.6）。引月探滑
轻监或试验
CI 分证
C2b分期
高品下案山圾
一东税载止定
fcpora
C2G分组
热阻8(j
C3分期
川止端强度
GB/T4587
GB/T4589.1
，剪1节，3.1
除非另有规定，Fxe-2C
（觅GH/T45KI第4竞）
Tamh=150C.Yce*40V
N,第，V-
25 CT0°C
CQT4932
rkeStokka
格疫要求
品小值
最大值
单位，LTPD
验验要求
最小宜
英大值
见车视范102
大凝坏
恰验或试验
C4分期
引详接热（D)
最后测试：
16分翅
恒定加速变
长后别试
TCHeNI
心了分组
血湿热D]
地后通试
cBoNa)
也附久性
最信测试
cBoxt>
C9分组
两面禁字（13）
最后测说车
TcBoct)
CRRL分记
要求，
10时东资料
小用标雅
GB/T45E?
N、第| 2.]
IV，第1节，9.1
IV第1节2.1
[V，第1节，9.1
GBT4937
[，第节，2.1
W第！节9.
[V，第1节、2.]
. 第，1
GB/T4937
IV，第1节，2.:
第「节，i
SJ/T112262000
CA(完）
除-1另有规定，Tease=25
1见G/4589！第4存！
方法1A
按A2分组
速A25分组
9B00m/s，Y）向，1min
该A25分组
按A25分组
试验录件，10
按A2b分组
废A2b分组
Tuj 1157 1±12 5mc
Prori20 W.Vee10 V
1o00 h
持A2分组
Tng 200 °C. 1 000 2
按A25组
核A分知
提供C2、C3、C6、C9江站计数控盘结果，8分纠试验的后的测试效据
监定批准试验
10.1托救功盟弹颜电线
按验要求
最小位最大位
挂散功率降额由线见图1.
SJ/TF1226—2000
耗散功率降额曲线
nreRrke
15.2外形图
外形图见图2。
SJ/T11226—200g
引出端识别，E-·发射报
一英报门一圾
图2外形图
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