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【行业标准】 半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范
本网站 发布时间:
2024-06-21 19:57:48
- SJ20642.5-1998
- 现行
标准号:
SJ 20642.5-1998
标准名称:
半导体光电模块GH82型光耦合器详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行出版语种:
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部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ 20642/5 —1998
半导体光电模块
GH82型光耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic moduleDetail specification for typeGH82 opto - couplers
1998-03-11发布
1998-05-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电模块
GH82型光耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic moduleDetail specilcation for type GH82Opto - couplers
1范围
1.1主题内容
本规范规定了GH82型光耦合器(以下简称产品)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于产品的研制、生产和采购。2引用文件
GB3431.182半导体集戒电路文字号电参数文字符号GB3439-82半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理GB11499-89半导体分立器件文字符号GJB 15086军用设备环境试验方法GJB 179 -86计数抽样程序及表
GJB 36087电子及电气元件试验方法GB548一88微电子器件试验方法和程序SI2215—82半导体光耦合器测试方法SI20642一97半导体光电模块总规范3要求
3.1详细要求
产品的要求应符合S!20642和本规范的规定中华人民共和国电子工业部1998-03-11发布SJ 20642/5--1998
199805-01实施
TYKAONKACa-
3.2设计、外形结构和尺寸
SJ20642/S-1998
3.2.1产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形结构为胸瓷金属封装,尺寸应符合图1的规定。b
尺寸符号
最小值
公称值
最大值
3.2.3电路图见图2。
图1外形尺寸
3.2.4引出端排列应符合图3的规定。6
图?电路图
图3引出端排列
3.3外观质量
SJ20642/5-1998
产品的外表面应平整光洁,无毛刺、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷3.4材料和元器件
产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的合格品。3.5制造要求
产品的制造应按有关工艺文件的规定执行。3.6标志要求
产品应有下列标志:型号、制造厂(所)标志,批识别代码。3.7最大额定值、主要光电特性和测试要求3.7.1最大额定值应符合表1的规定。表
工作环境温度
贮存温度
隔离电压)
红外发射二被管:
反向电压
正向电流
集戒电路:
电源电压)
输出电压
输出电流
选通端输人商电平电压
选通端输入低电平电压
总耗散功率
往:1) RH≤50%,=1min
2)7,=50~100℃时,按0.6mA/℃线性降额。3时间不超过[min
3.7.2主要光电特性和测试要求应符合表2的规定。数
- 55 ~ 100
- 55 ~ 125
TKAOKAca-
耦合器隔离特性:
隔离电阻
隔离电容
耦合器开关特性:
上升时间
下降时间
传输延退时间
选通端传输延迟
红外发射二极
管输人特性:
反向电流
正向电压
集成电路输出特性
输出截止态电流
输出电流
输出高电平电压
输出低电平电压
选通端高电平电流
选通端低电平电流
高电平电源电流
低电平电源电流
foroffy
SJ 20642/5 - 1998
測试方法
测试条件
除非另有规定,T=25℃
SJ 2215.13 / Vro = 500V
SI 2215.12
f=1MHz,V=D
SJ 2215.11 Ip= 10rm4, RL= 3600If=1MHz, D: 1/1, Vec =5V
GB 3439 3.4 |Im = 10ma4, R = 360GB 3439 3.5 CL = 15pF, f = 1MHzD:1/1. Voc =5V
附录 A A3 Im= 10mA, Ri= 3600Ci,=15μF,J=1MHz
附录 A A3
D:1/1, FeH = 3.0V
Vel = 0.5V, Voc = 5V
SJ 2215.4
Ifg=10m4
GB34392.22Voc=5.5V,Vo=3.5V
Ir= 250μA, Ve=2.0V
附录 A A4
Vcc = 5.5V, Vy=2.0V
Ir = 10mA, R,= 36002
Vcc=4.75V,Ig=10mA
GB 3439 2.2
Vcc = 5.5V, fy = 10mA
CB 3439 2.5
V.=2.0V, In. = 4m4
附录 AAI
Vcc - 5.5V, Ve = 2.0V
附录AA2Vec=5.5V,Vg=0.5V
GB3439 2.26Vcc= 5.5V.Vz=0.5Vfr=
GR 3439 27
3.8推荐工作条件和真值表
3.8.1推荐工作条件如下:
特性项目
低电平时正向电流
高电总时正向电流
选通端低电平电压
选通端高电平电压
电源电压
Vox = 5.5V, Vg=0.5V
p= 1OmA
最小值
极限值
最大值
3.8.2真值表如下:
4质量保证规定
4.1抽样和检验
输人(Vin)
5J 20642/5 1998
选通(Ve)
样和检验应符合SI20642和本规范的规定。4.2筛选
输出(Va)
在提交鉴定检验和质量一致性检验前,产品应按SJ20642和本规范表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔出。剧出的产品不能作为合格品交货。表3
内部目检
试验项目
稳定性烘焙
温度循环
机械冲击
粒子碰撞噪声检测
(PIND)(适用时)
光电测试
电老炼
整点光电测试\
a、细检漏
h.粗捡漏
外部目检
GJH548
rstg= 123℃, t= 168h
低温-55℃,高温100℃,10次循环加速度14700m/g,脉冲宽度0.5msB
红外发射二级管和集成电路特性应符合表2,测试方法及条件表2
T, = 25 ± 3℃, t = 96h, 其余见 4.2. 1除/n=1.0IVD 或 0.5μA,取较大值;△TorOFF)= 1.0VD 或IVD+50mA,取较大值外,其余参数的相对变化量为0.1IVD1014
注:1)构成一种典型失效的PDA不允许超过10%,否则拒收该批。剔除超过极限值的产品:4.2.1电老炼
老炼电路如图4所示。
4.3鉴定检验
鉴定检验应包括表4、表5、表6和表7中规定的检验。4.4质量一致性检验
TYKAOKAca-
SI 20642/5 -1998
Yoc=15V,f=1kHz, D:1/l, RL=1.3kn电老炼:Ip=40mA,稳态寿命:Ir=20mA图4电老炼和稳态寿命试验电路
质量一致性检验应包括逐批进行的A组,B组检验和周期进行的C组,D组检验。在C组、D组检验合格的周期内,A组、B组检验均合格的批可以交货。4.4.1A组检验
每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2B组检验
每个检验批均应按表5的规定进行检验4.4.3C组检验
C组检验应按SI20642的4.12.3条和本规范表6的规定进行。4.4.4D组检验
D组检验应按SJ20642的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合本规范表4、表5、表6和表7的规定。4.5.1隔离电压的试验
在进行A2分组捡验时,应先进行高温隔离电压试验,再进行高温测试。高温隔离电压试验应将红外发射二极管的正负极(2、3)短路连接;集成电路(5、6、7、8)短路连接的条件下进行。将样品分成两个数量相等的组,其中一组样品红外发射二级管接V的阳极,集成电路接Vu的阴极:另一组样品红外发射二极管接Vin的阴级,集成电路接Va的阳极。试验条件:Ts=100℃,V0=400V,±=24hc4.5.2红外发射:二级管性能测试本试验应在集成电路输出开路的条件下进行。4.5.3集成电路性能测试
本试验应在红外发射二极管输人开路的条件下进行。4.2.4隔离电阻、隔离电容的测试—6-
SJ20642/5-1998
本试验应在输入端2、3和输出端5、6、7、8分别短路连接的条件下进行。表4A组检验
试验项目
常温谢试
特性项目同表2
高温测试
集成电路输出
特性项目同表2
低温测试
集成电路输出
特性项目同表2
注: 1) 见 GJB 179。
试验方法
试验项目
物理尺寸
PIND) (适用时)
抗溶性1
内部目检及机械检验2)
键合强度2)
芯片剪切强度2Www.bzxZ.net
可焊性
密封5
细检瀚
粗检漏
TA=25%
测试条件同表 2
Tsg=125℃,存24h
T = 100℃, 加电 1h
Ip= 10m4, Vuc = 15V
测试条件同表2
剩试条件同表2
T'stg=-55\c,贮存24h
TA=-35℃,加电1h,
I =10mA, Voc=15V
测试条件同表2
测试条件同表2
表5B组检验
GJB 548
注:1)可用同一检验批中电特性不合格品。2)见 SF20642的 4. 12.2 条。
·溶剂a
失效判据
超过表2级
限值为失效
>100μA
超过表2报
限值为失效
超过表2极
限值为失效
抽样要求\
样本大小
(失效数)
2/ (0)
5/ (0)
2/ (0)
15/(0)3)
2/ (0)
15/(0)4)
3)此样本大小/(失效数)为引线数、试验平均分配各种线径引线。4)此样本大小/(失效数)为引出端子数,弃少检验2个样品。5)在筛选时,如在终点光电测试和外部月检之间进行广10X0%率封筛选,B8分组可不要求:若样品数过不足 15只,购 100%检验。TKAONKAa-
试验项目
外部校
温循环
机械冲击
细检捡漏
粗检漏
终点光电测试
集成电路输出
特性同表2
稳态寿命试验
终点光电测试
集成电路输出
特性同表2
[010 3.1,3.2
同表2
试验项目
热冲击
稳定性烘焙
引线牢固性
细检漏
粗检漏
SJ 20642/5-1998
表6C组检验
GJB 548
低温-55℃,高温100℃10次循环加速度14700m/z,脉冲宽度0.5m1sA
同表2
Ta=25±3℃下1000h,其余见4.2.1同表2
表7D组检验)
GJB548
A,15次
125℃,1h
注:1)D组试验可用同一检验批中光电参数不合格的产品5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合SJ20642中5.1条的要求。5.2贮存要求
贮存要求应符合SJ20642中5.2条的要求。5.3运输要求
失效判据
超过表2
样本大小
(失效数)
极限值为为失效
超过表2
极根值为失效
样本大小八失效数)
SJ 20642/S ~ 1998
运输要求应符合SJ20642中5.3条的要求。6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的产品可用于计算机中作信号隔离使用,也可用于接口电路、天线转移开关等电路中。
6.2订货文件内容
合同或订单中应注意下列订货文件内容:a.产品的型号名称;
b.本规范的编号和发布日期;
℃. 应提供的试验数据;
d.订货数量;
。.其它。
6.3定义
6.3.1符号
符号应符合 GB 11499和本规范下列规定。6.3.1.1IVD单个产品的初始值;6.3.1.2Ro隔离电阻;
6.3.1.3C隔离电容;
6.9.1.4Te选通端输人高电平电流;6.3.1.51选通端输入低电平电流;6.3.1.6tE:选通端输出由低电平到高电平传输延迟时间;6.3.1.7tEH,选通端输出由高电平到低电平传输延迟时间;6.3.1.81低电平时正向时电流;6.3.1.9高电平时正向时电流。
TTKAONKACa-
A1选通端输人高电平电流IEH
A1.1目的
SJ 20642/5 - 1998
附录A
测试方法的基本原理
(补充件)
在规定条件下,测试选通端输入高电平时的电流。A1.2电路图
见图Al。
A1.3测试步骤
选通端加上规定的商电平,从电流表上读出的数值即为IEHA1.4规定条件
电源电压Ycc
选通端电压Ve
A2选通端输人低电平电流TeL
A2.1目的
在规定条件下,测试选通端输入低电平时的电流IELA2.2电路图
见图 A2。
A2.3测试步骤
SJ 20642/5 - 1998
选通端加上规定的低电平,从电流表上读出的电流即为IEL。A2.4规定条件
电源电压Ycc
选通端电压Ve
A3输出由低电平到高电平选通端传输延迟时间tEH,输出由高电平到低电乎选通端传输延迟时间L
A3.1目的
在规定条件下,测试选通端传端延迟时间tEH、LEL。A3.2电路图
见图 43
A3.3测试步骤
脉冲发生器
双踪示波器
a.脉冲发生器输出频率为、电平为规定值的脉冲到选通端:b.在示波器上读出输人脉冲由高电平到低电平(或低电平到高电平)的边沿和对应的输出脉冲边沿上两规定的参考电平间的时间延迟,即为 tHL、ELH。波形如下:选通端输入脉汁
输油脉冲
TYKAOIKAca-
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SJ 20642/5 —1998
半导体光电模块
GH82型光耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic moduleDetail specification for typeGH82 opto - couplers
1998-03-11发布
1998-05-01实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电模块
GH82型光耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic moduleDetail specilcation for type GH82Opto - couplers
1范围
1.1主题内容
本规范规定了GH82型光耦合器(以下简称产品)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于产品的研制、生产和采购。2引用文件
GB3431.182半导体集戒电路文字号电参数文字符号GB3439-82半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理GB11499-89半导体分立器件文字符号GJB 15086军用设备环境试验方法GJB 179 -86计数抽样程序及表
GJB 36087电子及电气元件试验方法GB548一88微电子器件试验方法和程序SI2215—82半导体光耦合器测试方法SI20642一97半导体光电模块总规范3要求
3.1详细要求
产品的要求应符合S!20642和本规范的规定中华人民共和国电子工业部1998-03-11发布SJ 20642/5--1998
199805-01实施
TYKAONKACa-
3.2设计、外形结构和尺寸
SJ20642/S-1998
3.2.1产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定。3.2.2外形结构为胸瓷金属封装,尺寸应符合图1的规定。b
尺寸符号
最小值
公称值
最大值
3.2.3电路图见图2。
图1外形尺寸
3.2.4引出端排列应符合图3的规定。6
图?电路图
图3引出端排列
3.3外观质量
SJ20642/5-1998
产品的外表面应平整光洁,无毛刺、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷3.4材料和元器件
产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的合格品。3.5制造要求
产品的制造应按有关工艺文件的规定执行。3.6标志要求
产品应有下列标志:型号、制造厂(所)标志,批识别代码。3.7最大额定值、主要光电特性和测试要求3.7.1最大额定值应符合表1的规定。表
工作环境温度
贮存温度
隔离电压)
红外发射二被管:
反向电压
正向电流
集戒电路:
电源电压)
输出电压
输出电流
选通端输人商电平电压
选通端输入低电平电压
总耗散功率
往:1) RH≤50%,=1min
2)7,=50~100℃时,按0.6mA/℃线性降额。3时间不超过[min
3.7.2主要光电特性和测试要求应符合表2的规定。数
- 55 ~ 100
- 55 ~ 125
TKAOKAca-
耦合器隔离特性:
隔离电阻
隔离电容
耦合器开关特性:
上升时间
下降时间
传输延退时间
选通端传输延迟
红外发射二极
管输人特性:
反向电流
正向电压
集成电路输出特性
输出截止态电流
输出电流
输出高电平电压
输出低电平电压
选通端高电平电流
选通端低电平电流
高电平电源电流
低电平电源电流
foroffy
SJ 20642/5 - 1998
測试方法
测试条件
除非另有规定,T=25℃
SJ 2215.13 / Vro = 500V
SI 2215.12
f=1MHz,V=D
SJ 2215.11 Ip= 10rm4, RL= 3600If=1MHz, D: 1/1, Vec =5V
GB 3439 3.4 |Im = 10ma4, R = 360GB 3439 3.5 CL = 15pF, f = 1MHzD:1/1. Voc =5V
附录 A A3 Im= 10mA, Ri= 3600Ci,=15μF,J=1MHz
附录 A A3
D:1/1, FeH = 3.0V
Vel = 0.5V, Voc = 5V
SJ 2215.4
Ifg=10m4
GB34392.22Voc=5.5V,Vo=3.5V
Ir= 250μA, Ve=2.0V
附录 A A4
Vcc = 5.5V, Vy=2.0V
Ir = 10mA, R,= 36002
Vcc=4.75V,Ig=10mA
GB 3439 2.2
Vcc = 5.5V, fy = 10mA
CB 3439 2.5
V.=2.0V, In. = 4m4
附录 AAI
Vcc - 5.5V, Ve = 2.0V
附录AA2Vec=5.5V,Vg=0.5V
GB3439 2.26Vcc= 5.5V.Vz=0.5Vfr=
GR 3439 27
3.8推荐工作条件和真值表
3.8.1推荐工作条件如下:
特性项目
低电平时正向电流
高电总时正向电流
选通端低电平电压
选通端高电平电压
电源电压
Vox = 5.5V, Vg=0.5V
p= 1OmA
最小值
极限值
最大值
3.8.2真值表如下:
4质量保证规定
4.1抽样和检验
输人(Vin)
5J 20642/5 1998
选通(Ve)
样和检验应符合SI20642和本规范的规定。4.2筛选
输出(Va)
在提交鉴定检验和质量一致性检验前,产品应按SJ20642和本规范表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔出。剧出的产品不能作为合格品交货。表3
内部目检
试验项目
稳定性烘焙
温度循环
机械冲击
粒子碰撞噪声检测
(PIND)(适用时)
光电测试
电老炼
整点光电测试\
a、细检漏
h.粗捡漏
外部目检
GJH548
rstg= 123℃, t= 168h
低温-55℃,高温100℃,10次循环加速度14700m/g,脉冲宽度0.5msB
红外发射二级管和集成电路特性应符合表2,测试方法及条件表2
T, = 25 ± 3℃, t = 96h, 其余见 4.2. 1除/n=1.0IVD 或 0.5μA,取较大值;△TorOFF)= 1.0VD 或IVD+50mA,取较大值外,其余参数的相对变化量为0.1IVD1014
注:1)构成一种典型失效的PDA不允许超过10%,否则拒收该批。剔除超过极限值的产品:4.2.1电老炼
老炼电路如图4所示。
4.3鉴定检验
鉴定检验应包括表4、表5、表6和表7中规定的检验。4.4质量一致性检验
TYKAOKAca-
SI 20642/5 -1998
Yoc=15V,f=1kHz, D:1/l, RL=1.3kn电老炼:Ip=40mA,稳态寿命:Ir=20mA图4电老炼和稳态寿命试验电路
质量一致性检验应包括逐批进行的A组,B组检验和周期进行的C组,D组检验。在C组、D组检验合格的周期内,A组、B组检验均合格的批可以交货。4.4.1A组检验
每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2B组检验
每个检验批均应按表5的规定进行检验4.4.3C组检验
C组检验应按SI20642的4.12.3条和本规范表6的规定进行。4.4.4D组检验
D组检验应按SJ20642的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合本规范表4、表5、表6和表7的规定。4.5.1隔离电压的试验
在进行A2分组捡验时,应先进行高温隔离电压试验,再进行高温测试。高温隔离电压试验应将红外发射二极管的正负极(2、3)短路连接;集成电路(5、6、7、8)短路连接的条件下进行。将样品分成两个数量相等的组,其中一组样品红外发射二级管接V的阳极,集成电路接Vu的阴极:另一组样品红外发射二极管接Vin的阴级,集成电路接Va的阳极。试验条件:Ts=100℃,V0=400V,±=24hc4.5.2红外发射:二级管性能测试本试验应在集成电路输出开路的条件下进行。4.5.3集成电路性能测试
本试验应在红外发射二极管输人开路的条件下进行。4.2.4隔离电阻、隔离电容的测试—6-
SJ20642/5-1998
本试验应在输入端2、3和输出端5、6、7、8分别短路连接的条件下进行。表4A组检验
试验项目
常温谢试
特性项目同表2
高温测试
集成电路输出
特性项目同表2
低温测试
集成电路输出
特性项目同表2
注: 1) 见 GJB 179。
试验方法
试验项目
物理尺寸
PIND) (适用时)
抗溶性1
内部目检及机械检验2)
键合强度2)
芯片剪切强度2Www.bzxZ.net
可焊性
密封5
细检瀚
粗检漏
TA=25%
测试条件同表 2
Tsg=125℃,存24h
T = 100℃, 加电 1h
Ip= 10m4, Vuc = 15V
测试条件同表2
剩试条件同表2
T'stg=-55\c,贮存24h
TA=-35℃,加电1h,
I =10mA, Voc=15V
测试条件同表2
测试条件同表2
表5B组检验
GJB 548
注:1)可用同一检验批中电特性不合格品。2)见 SF20642的 4. 12.2 条。
·溶剂a
失效判据
超过表2级
限值为失效
>100μA
超过表2报
限值为失效
超过表2极
限值为失效
抽样要求\
样本大小
(失效数)
2/ (0)
5/ (0)
2/ (0)
15/(0)3)
2/ (0)
15/(0)4)
3)此样本大小/(失效数)为引线数、试验平均分配各种线径引线。4)此样本大小/(失效数)为引出端子数,弃少检验2个样品。5)在筛选时,如在终点光电测试和外部月检之间进行广10X0%率封筛选,B8分组可不要求:若样品数过不足 15只,购 100%检验。TKAONKAa-
试验项目
外部校
温循环
机械冲击
细检捡漏
粗检漏
终点光电测试
集成电路输出
特性同表2
稳态寿命试验
终点光电测试
集成电路输出
特性同表2
[010 3.1,3.2
同表2
试验项目
热冲击
稳定性烘焙
引线牢固性
细检漏
粗检漏
SJ 20642/5-1998
表6C组检验
GJB 548
低温-55℃,高温100℃10次循环加速度14700m/z,脉冲宽度0.5m1sA
同表2
Ta=25±3℃下1000h,其余见4.2.1同表2
表7D组检验)
GJB548
A,15次
125℃,1h
注:1)D组试验可用同一检验批中光电参数不合格的产品5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合SJ20642中5.1条的要求。5.2贮存要求
贮存要求应符合SJ20642中5.2条的要求。5.3运输要求
失效判据
超过表2
样本大小
(失效数)
极限值为为失效
超过表2
极根值为失效
样本大小八失效数)
SJ 20642/S ~ 1998
运输要求应符合SJ20642中5.3条的要求。6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的产品可用于计算机中作信号隔离使用,也可用于接口电路、天线转移开关等电路中。
6.2订货文件内容
合同或订单中应注意下列订货文件内容:a.产品的型号名称;
b.本规范的编号和发布日期;
℃. 应提供的试验数据;
d.订货数量;
。.其它。
6.3定义
6.3.1符号
符号应符合 GB 11499和本规范下列规定。6.3.1.1IVD单个产品的初始值;6.3.1.2Ro隔离电阻;
6.3.1.3C隔离电容;
6.9.1.4Te选通端输人高电平电流;6.3.1.51选通端输入低电平电流;6.3.1.6tE:选通端输出由低电平到高电平传输延迟时间;6.3.1.7tEH,选通端输出由高电平到低电平传输延迟时间;6.3.1.81低电平时正向时电流;6.3.1.9高电平时正向时电流。
TTKAONKACa-
A1选通端输人高电平电流IEH
A1.1目的
SJ 20642/5 - 1998
附录A
测试方法的基本原理
(补充件)
在规定条件下,测试选通端输入高电平时的电流。A1.2电路图
见图Al。
A1.3测试步骤
选通端加上规定的商电平,从电流表上读出的数值即为IEHA1.4规定条件
电源电压Ycc
选通端电压Ve
A2选通端输人低电平电流TeL
A2.1目的
在规定条件下,测试选通端输入低电平时的电流IELA2.2电路图
见图 A2。
A2.3测试步骤
SJ 20642/5 - 1998
选通端加上规定的低电平,从电流表上读出的电流即为IEL。A2.4规定条件
电源电压Ycc
选通端电压Ve
A3输出由低电平到高电平选通端传输延迟时间tEH,输出由高电平到低电乎选通端传输延迟时间L
A3.1目的
在规定条件下,测试选通端传端延迟时间tEH、LEL。A3.2电路图
见图 43
A3.3测试步骤
脉冲发生器
双踪示波器
a.脉冲发生器输出频率为、电平为规定值的脉冲到选通端:b.在示波器上读出输人脉冲由高电平到低电平(或低电平到高电平)的边沿和对应的输出脉冲边沿上两规定的参考电平间的时间延迟,即为 tHL、ELH。波形如下:选通端输入脉汁
输油脉冲
TYKAOIKAca-
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