【行业标准】 半导体光电模块GH81型光耦合器详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5980
SJ 20642/4—1998
半导体光电模块
GH81型光耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic moduleDetail specification for typeGH81 opto-- couplers
1998 -03 - 11 发布
1998-05~01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电模块
CH81型光耦合器详细规范
Semiconductor optoekctronic module Detail specificationfor type GH81 opto - couplers1范围
1.1主题内容
本规范规定了GH81型光耦合器（以下简称产品）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于产品的研制、生产和采购。2引用文件
GR4587-84双极型晶体管测试方法GB11499一89半导体分立器件文字符号GJB150一86军用设备环境试验方法GJB 179—86计数抽样程序及表
GJB360—87电子及电气元件试验方法GJB548-88微电子器件试验方法和程序S221582半导体光耦合器测试方法SJ2064297半导体光电模块总规范3要求
3.1详细要求
产品的要求应符合SJ20642和本规范的规定：3.2设计、外形结构和尺寸
3.2.1产品的设计应满足本规范对性能指标和技术图纸的规定。中华人民共和国电子工业部1998－03-11发布SJ 20642/4-1998
1998-05-01实施
TYKAONKAca-
SJ20642/4—1998
3.2.2外形结构为陶瓷金属封装，尺寸应符合图1的规定。尺寸符号
最小值
公称值
最大值
3.2.3电路图见图2。
图1外形尺寸
引出端排列应符合图3的规定。
3.3外视质量
图2电路图
图3引出端排列
SJ 20642/4 — 1998
产品的外表面应平整光洁，无毛刺、划伤、裂痕等影响寿命、使用或外观的缺陷。3.4材料和元器件
产品所使用的材料和元器件是按军用标准或有关规定检验的食格品。3.5制造要求
产品的制造应按有关工艺文件的规定执行，3.6标志要求
产品应有下列标志：型号、藏制方标志，批识别代码。3.7最大额定值、主要光电特性和测试要求3.7.1最大额定值应符合表1的规定。表1
工作环境温度
贮存温度
隔离电压
红外发射二极管：
反向电压
正向电流2
晶体管：
集电极-发射极电压
集电极－基极电压
发射极－基极电压
枭电极电流
总耗散功率3）
注： 1) RH≤50%, T=1min。
2）T，=50~100℃时，按0.6m/℃线性降额。3）T,=35~100℃时，按1.2mW/C线性降额。数
- 55 ~ 100
55 ~ 125
TKAOIKAca-
SJ 20642/4 — 1998
3.7.2主要光电特性和测试要求应符合表2的规定。表2
耦合器特性：
隔离电阻
隔离电容
电流传输比
输出延迟时间
红外发射二级
管输人特性：
反向电流
正向电压
鼎体臂输出
集电极～发射
极截止电流
集电极－发射
极饱和电压
集电极-发射
极击穿电压
集电极基控
击穿电压
发射极－基极
击穿电压
4质量保证规定
4.1抽样和检验
V(A)C0)
Vewa)cao)
V(ER)EBO)
測试方法
SJ 2215. 13
SJ 2215. 12
SJ2215.10
附录A
SJ 2215. 11
5J 2215.4
GB 4587
GB4587
CB4587
GB4587
GB4587
测试条件
除非另有规定、TA=25℃！
Vo=500V
If=iMHz，V=0
Ve+ 10V. fr = 10mA,
V,- 10V, Ir= 10mA,
Vm= 1Vp-p
Im = 16mA, Rr = 2ko
f = 10kHz, D: 1/10
lp=10utA
V =10V, Ip=0, Ig= 0
I, = 10mA, Ic = 1,mA
Ic= 100μA,Ig = 0,Ip=0
Ic=100μA,Ix=0,Iμ=0
fg = 100uA,fc =0, Ig =0
抽样和检验应符合SI20642和本规范的规定。4.2筛选
在提交鉴定检验和质量一致性检验前，产品应按SJ20642和本规范表3进行筛选检验。不符合要求的产品应剔出。剔出的产品不能作为合格品交货，4
内部目检
试验项目
稳定性烘焙
温度循环
机械冲击
粒子碰撞噪声检测
(PIND）（适用时）
高温反偏
光电测试
电老炼
终点光电测试\)
，密封
10 a. 细捡薄
b.粗检漏
10外部目检
SJ 20642/4 -— 1998
Istg=125°℃, t=168h
低温-55℃，高温100℃，10次循环加速度14700m/s，脉冲宽度 0.5mmgB
T=100℃，Ir=0，Va=20V，至少48h。在规定的高温试验时间的终了，应降低环境温度保持产品上的试验电压直到T，=30±5℃，然后取消偏压
IR，Vg、FcEO、VcE(a)、CTR应符合表2，测试方法及条件同表2
TA=25±3℃，【=9%h，其余见4.2.1△IR=1.0IVI 或 0.5μ4,职较大值：AVp=0.2IVD;AJo=1.0IVD或 50nA,取较大值，V(an) =0.2IVD;△CTR=0.2IVD；谢试方法及条件同71014
注：1）构成一种典型失效的 FDA不允许超过 10%，否则拒收该批。剔除超过极限值的产品，4.2.1电老炼
老炼电路如图4所示。
Plot = 90± 10DmiW，电老炼：Jp= 40mat，态寿命：1p=20na图4电老炼和稳态寿命试验电路
TYKAOIKAca-
4.3鉴定检验
SJ 20642/4 - 1998
鉴定检验应包括表4、表5、表6和表7中规定的检验。4.4质量一致性检验
质量一致性检验应包括逐批进行的A组、B组检验和周期进行的C组、D组检验。在心组、D组检验合格的周期内，A组、B组检验均合格的批可以交货。4.4.1 A组检验
每个检验批均应按表4的规定进行检验。4.4.2 B组检验
每个检验批均应按表5的规定进行检验，4.4.3C组检验
C组检验应按 SI20642 的4.12.3条和本规范表 6 的规定进行。4.4.4 D组检验
D组检验应按SJ20642的4.12.4条和本规范表7的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应符合本规范表4、表5、表6和表7的规定。4.5.1隔离电压的试验
在进行A2分组检验时，应先进行高温隔离电压试验，再进行高温测试，高温隔离电压试验应将红外发射二极管的正负极（2、3）短路连接；光电二极管和晶体管各端（5、6、7、8）短路连接的条件下进行。将样品分成两个数量相等的组，其中一组样品红外发射二级管接Vm的阳极，光电二级管和晶体管接Vo：另一组样品红外发射二极管接Vin的阴级，光电极管和晶体管接V的阳极。试验条件：T,=100℃，V=400V，t=24h4.5.2红外发射级管性能测试
本试验输出端在晶体管开路的条件下进行。4.5.3晶体管性能测试
本试验在输入端红外发射二极管开路的条件下进行。4.5.4隔离电期、隔离电容的测试本试验应在输人端2、3和输出端5、6、7、8分别短路连接的条件下进行。6
试验项目
常温测试
特性项同表2
高温测试
低温测试
Yoef a
注：1）见GB 179。
试验方法
GJB 150.3
GJB 150.4
试验项目
物理尺寸
PIND（适用时）
抗溶性
内部目检及机械检验2)
键合强度2
芯片剪切强度2）
可焊性
密封）
细检漏
粗检漏
SJ20642/41998bZxz.net
表4A组检验
1TA=25℃
测试条件同表2
rsg=125℃，存24h
T=100℃，加电1h
I, = 10mA, Vcc = 10V
测试条件同表2
测试条件同表2
测试条件同表2
Tsg = - 55℃，存 24h
Tx=-55℃，加电1h，
Ir= 10mA, Vec =10V
测试条件同表 2
测试条件同表 2
测试条件同表 2
表５B组检验
GJB 548
注：1）可用同一检验批中电特性不合格品。2)见 Sf 20642的4. 12.2条。
溶剂a
3）此样本大小/（失效数）为引线数，试验平均分配各种线径引线：4）此样本大小/（失效数）为引出子数，至少检验2个样品。失效判据
超过表2级
限值为失效
> 50μu4
> 1000μA
抽样要求\
样本大小/
(失效数)
2/ (0)
5/ (0)
2/ (0)
2/ (0)
15/ (0)3)
2/ (0)
15/(0)4)）
5）在筛选时、如在终点光电测试和外部目检之间进行了100%密封筛选，8分维可不要求。若样品数过不足15只，则100%检验，TTKAONKAa
试验项目
外部目检
温度循环
机械冲击
细检漏
粗检漏
婺点光电测试
la(eat)
稳态寿命试验
资点光电测试
1010 3.1，3.2
GJB 4587 2. 14
GJB 2215.10
GJB 4587 2.3,1
CJB2215.4
GJB 4587 2.14
SI 2215.10
试验项目
热冲击
稳定性烘焙
引线车固性
细检漏
粗检漏
SJ 20642/4 - 1998
表6C组检验
GJB 548
低温-55℃，高温100℃10次循环加速度14700m/s，脉冲宽度0.5mgA
Va= 10V, Iμ=0
Vo-10V, Ip=10mA,
Ig= 10mA, Ic=1.0mA
Ta=25±3℃下1000h，其余见4.2.1Vee-10V,=0
Ve= 10V, Ir = 10mA,
表７D组检验1）
GJ8 548
A，15次
125%，1h
注：1）D组试验可用同一检验批中光电参数不合格的产品。5交货准备
5.1包装要求
包装要求应符合S20642中5.1条的要求。5.2贮存要求
整存要求应符合SI20642中5.2条的要求，5.3运输要求
失效判据
>100n4
>200nA
样本大小/
(失效数）
5/ (0)
5/ (0)
样本大小/（失效数）
3/ (0)
SI 20642/4 -- 1998
运输要求应符合SJ20642中5.3条的要求。6说明事项
6.1预定用途
符合本规范的产品可用于火箭上和导弹上的发射控制设备中的数字逻辑传输、转换与隔离，还可用于计算机通信。实时控制，电源开关、线性反馈以及驱动TTL电路等。6.2订货文件内容
合同或订单中应注明下列订货文件内容：#.产品的型号、名称；
h.本规范的编号和发布日期；
c.应提供的试验数据
d.订货数量；
e.其它。
6.3定义
6.3.1术语
6.3.1.1 带宽 bank width
在相同辐度的调制信号输入下，产品的输出电压随调制频率的增高而降低，当输出电压降到低频（~B/10）输出电压的0.707倍时所对应频率，即为产品的带宽。6.3.2符号
符号应符合CB11499和本规范下列规定。6.3.2.1IVD单个产品的初始值；6.3.2.2CTR电流传输比的静态值；6.3.2.3R隔离电阻；
6.3.2.4C隔离电容；
6.3.2.5B带宽；
6.3.2.6Vu调制信号电压；
6.3.2.7tpuH输出高电平传输延迟时间；6.3.2.8Lpm输出低电平传输延迟时间。9
TTTKAONTKAca-
A1目的
SJ 20642/4 -- 1998
附录A
带宽的测试方法
(补充件）
在规定条件下，测试光耦合器的频率带宽B。A2测试电路图
见图Al。
A3电路说明和要求
VI— 被测光耦合器;
P1一直流电流表；
CI一直流电流源；
G2 一调制发生器：
AI一交流放大器；
C3一直流电压源；
P2一宽频带电压表。
A4注意事项
交流放大器的带宽应至少为被测光耦合器带宽的5倍10
5測试步骤
SJ 20642/4 - 1998
给被测光耦合器输入端加规定的直流电流，输出端加规定的直流电压。用低频调制（小于B/10）红外发射二极管，在宽频带电压表.上測量交流输出电压增加红外发射二极管的调制频率，并保持调制电平不变，直到在宽频带电压表上测量出的输出电压减到低频（B/10）输出电压的0.707倍时，这个频率就是带宽。6规定条件
一红外发射二极管的工作电流1r;一晶体管的工作电压Vcci
-调制信号的幅度Vy。
附加说明：
本规范由中国电子技术标雄化研究所归口。本规范由电子工业部第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人：王雨苏、李应辉。计划项目代号：R51039。
KAONKAca-
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。