本标准代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)，本标准分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料分辨率的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料的分辨率测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１

本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订，分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第５部分。 本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中 粘度的测定方法。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法

本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订，分为７个部分,本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第４部分。本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中附着力的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料附着力的测定。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—１

本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订，分为７个部分.本部分为ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９

本部分规定了微电子技术用贵金属浆料细度的刮板测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料细度测定。 GB/T 17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定 GB/T17473.2-2008

本部分规定了微电子技术用贵金属浆料中固体含量的测试方法。本部分适用于各种烧结型和固化型微电子技术用贵金属浆料固体含量的测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—１９９８相比，主要有如下变动：———将原标准名

本部分首次发布。本标准是对ＧＢ／Ｔ１５０７２—１９９４《贵金属及其合金化学分析方法》(所有部分)的整合修订，分为１９个部分。本部分为ＧＢ／Ｔ１５０７２—２００８的第１９部分。本标准规定了银合金中钒和镁量的测定。本部分适用于ＡｇＣｕＶ 和ＡｇＭｇＮｉ合金中钒和镁量的测定，测定范围(质量分数)：０．０５

本标准规定了金合金中锆和镓量的测定。本部分适用于ＡｕＮｉＦｅＺｒ和ＡｕＧａ合金中锆和镓量的测定。测定范围(质量分数)：０．１％～２％。本部分代替ＧＢ／Ｔ１５０７２．２０—１９９４《贵金属及其合金化学分析方法 金合金中锆量的测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１５０７２．２０—１９９４相比，主要有如下变动：———

本标准规定了铂合金中钨量的测定。本部分适用于ＰｔＷ 合金中钨含量的测定。测定范围(质量分数)：７％～１０％。本部分代替ＧＢ／Ｔ１５０７２．１７—１９９４《贵金属及其合金化学分析方法 铂合金中钨量的测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１５０７２．１７—１９９４相比，主要有如下变动：———标准名称由ＧＢ／Ｔ１５０７

本标准规定了金合金中铜和锰量的测定。本部分适用于ＡｕＡｇＣｕＧｄ、ＡｕＡｇＣｕＭｎＧｄ、ＡｕＮｉＣｕ、ＡｕＧｅＮｉＣｕ合金中铜和锰量的测定。测定范围(质量分数)：０．５％～６％。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１５０７２．１６—１９９４《贵金属及其合金化学分析方法 金合金中铜、锰量的测定》。本部分与ＧＢ／Ｔ１５