本标准规定了贵金属及其合金复合带材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于电器、仪表、电子元器件等领域用的以贵金属及其合金为复层材料，以铜或铜合金为基体材料的复合带材。本标准代替GB/T 15159-1994《贵金属及其合金复合带材》。本标准与原标准相比，主要有如下变动：—

本标准规定了贵金属及其合金电触点材料(静态)接触电阻的测量方法。本标准适用于贵金属及其合金电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料也可参照使用。 本标准代替ＧＢ／Ｔ１５０７８—１９９４《贵金属电触点材料接触电阻的测量方法》。本标准与原标准相比，主要变化如下：———用于测量装置的直流电源、电

本方法规定了用直接测量法测定贵金属及其合金板、带、管、丝、线、棒材和复合材料几何尺寸的方法。 本方法适用于贵金属及其合金板、带、管、丝、线、棒材和复合材料几何尺寸的测量。测量范围：软金属(纯金和纯银)丝材、线材和棒材直径大于０．１ｍｍ，硬金属丝材、线材和棒材直径大于０．０３ｍｍ；软金属(纯金和纯银)

本标准规定了片状银粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)内容等。本标准适用于电子浆料用片状银粉。 GB/T 1773-2008 片状银粉 GB/T1773-2008

ＧＢ／Ｔ１１０６６《金化学分析方法》分为１０个部分,本部分为第５部分。本部分规定了金中银、铜、铁、铅、锑和铋的测定方法。本部分适用于纯金中银、铜、铁、铅、锑和铋的同时测定。本部分代替ＧＢ／Ｔ１１０６６．５—１９８９《金化学分析方法 发射光谱法测定银、铜、铁、铅、锑和铋量》。本部分与ＧＢ／Ｔ１１０６６

ＧＢ／Ｔ１１０６６《金化学分析方法》共分为１０部分,本部分为第４部分。本部分规定了金中铜、铅和铋含量的测定方法。本部分适用于金中铜、铅和铋含量的同时测定，也适用于其中一个素的独立测定。本部分代替ＧＢ／Ｔ１１０６６．４—１９８９《金化学分析方法 火焰原子吸收光谱法测定铜、铅、铋和锑量》。与ＧＢ／Ｔ１１

ＧＢ／Ｔ１１０６６《金化学分析方法》共分为１０部分，本部分为第３部分。本部分规定了金中铁含量的测定方法。本部分适用于金中铁含量的测定。测定范围：0.0005%--0.0080%。本部分代替ＧＢ／Ｔ １１０６６．３—１９８９《金化学分析方法 火焰原子吸收光谱法测定铁量》。与ＧＢ／Ｔ１１０６６．３—１９

ＧＢ／Ｔ１１０６６《金化学分析方法》共分为１０部分，本部分为第２部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ １１０６６．２—１９８９《金化学分析方法 火焰原子吸收光谱法测定银量》。本部分规定了金中银含量的测定方法。本部分适用于金中银含量的测定。测定范围：0.0005%--0.0400%。本部分代替ＧＢ／Ｔ １１０６６

ＧＢ／Ｔ１１０６６《金化学分析方法》分为１０个部分,本部分规定了金中金含量的测定方法。本部分适用于金中金寒冷的测定。测定范围：99.50%--99.95%。本部分代替ＧＢ／Ｔ １１０６６．１—１９８９《金化学分析方法 火试金法测定金量》。本部分与ＧＢ／Ｔ１１０６６．１—１９８９相比，主要有如下的变动

本标准规定了半导体器件键合金丝的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存等。本标准适用于半导体器件内引线用的拉伸或挤压金丝。 GB/T 8750-2007 半导体器件键合用金丝 GB/T8750-2007