【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 ３ＤＫ１０型功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL 5965
半导体分立器件
SJ20309—93
3DK10型功率开关晶体管
详细规范
Detail specification for type3DK10 power switching trsnsistor1993-05-11发布
中华人民共和国电子工业部
1993-07-01实施
中华人民共和国申子行业军用标准半导体分立器件
3K10型功率开关晶体管详细规范Detail specificatin for type3DK10power switehing trsnsistor1.1主题内容
SJ 20309-93
本规范规楚了3DKIOC～D，3DKI0G～H型NFN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按CJB33&半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT、GCT级）
1.2外形尺寸
外形尺寸应按GB7581女半导体分立器件外形尺寸》的A3-们6A型及如下的规定（见图1）。mm
最大额定值
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布号
A3-06A
引出端识别；
1一发射极
2—基极
3—集虫极
1993-07-01实施
iKAoNiKAca=
3DKion
3DK10G
3DK10H
Ta=25℃
7=75℃
SJ 2030993
1)T≥25℃时.按10mW/C的速率线性地降额。注
2)Tc>25时接50mW的建率线性地降额，4
主要电特性(Tn=25℃）
Vee -5V
Te 60mA
f=500mA
7c=600mA
Tg=60mA
最大值
3DK10C
3K10G~
黄 4~55
绿 55 ~-80
蓝B0~120
紫120~18d
7g=60mA
最大值
13E1的允许测试误差为士10%。
2）为rom 的值、
引用文件
GB 458784
GB 7581—87
GJB 33—85
GJB 128-86
3.1详细要求
:f00mA
I=—1g
(A)）
最大值
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
各项要求应按GB33和本规范的规定3.2设计,结构和外形尺寸
I=600mA
Tat w —— Iea
最大值
Vce-10V
—55～175
Vee--10V
-100mA
IF=100MH2
(MHz）
最小值
器件的设计、结构和外形尺寸应按GB33和本规范的规定，引出线材料和涂层
f=1MHz
最大值
Vee=10V
1e-20mA
最大值
引出线材料应为可我。引出线表面应为层或镍层。对引出线涂层有选择要求时，在合同2
或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按 GJB 33 的规定,A
质量保证规定
4.1捆样和检验
SI 20309-93
抽样和检验应按 G,JB 33 和本规范的规,定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4. 3 筛选(仅对 GT 和 GCT 级
器件筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行，超过本规范囊1规定极限慎的器件应于除，筛
(见 GJR 33的表 2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9. 最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下，
T=162. 5±12. 5℃
Vct—20V
Ptor-1. 5W
4.4质量一致性检验
试．或
GT 和GCT 级
Icen和 hki—hki
见 4. 3. 1
按本规范表 1 的 A2分组：
△/Bm≤初始值的100%或5.0A,(3DK10C~D）1. 0μA(3DK10G~H)取较大者：
A15初始值的士20%
质量一致性检验应接GJB 33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4. 4. 3 C 组验验
C组捡验应接GJB33和本规范表3的规定进行4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定：4. 5. 1 脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定4. 5.2热阻
KAONiKAca-
SJ 2030993
热阻测试应按 GB 4587 的 2. 10 和下列规定。率时的 Ic－20mA，
Vce-10V，
基准温度测试点应为管壳，
基准点温度范为25≤Tc≤75℃。实际温度应记录：安装应带散热器；
f.Rrrlji-)的最大极限值应为20℃/mW。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行4.5.4恒定加速度
恒定圳速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表 1 A组检验
验和试验
A1 分组
外观及机械检验
A2分组
巢电极-发射极击穿
3DK10C
3DK10D
3DK1OG
发射极-基极击穿
集电极-基极截止
3DK1(C--
3DK10G--H
集电极-发射极截止
3DK1C--D
32K10~H
集电极-发射极炮和
3DKEC--
3DK1OG--H
基极-发射极炮和
3DK10C--D
3DK10G~H
正向电流传输比
GJB 128
本规范
附录 A
GB4587
发射极-基极开路：
f-50mA
fe10μA
集电极-基极开略：
f-- 100μA
发射极-基极开路
Vcr=Vc
发射极-基极开路；
Je=60(mA
Ix=600mA
Ic-600mA
Ir=6(mA
Ver =5. oV
Ic=600mA
Veyero
VrBR>BO
极限值
最小值录人偕！
检验和试验
A3分组
高温工作：
集电极-基极截止
3DK10C～D
3DK10G--H
低蕴工作：
正向电流传输比
A4 分组
输出电容
导通时间
3DK10C~D
3DK10G--H
关闭时间
3DK10C-D
贮存时间
3DK1(GH
下降时间
3DK10G~H
A5 分组
安全工作（直流）
试验 1
试验 2
试验 3
3DK10G
3DK10H
避后测试，
SJ 2030993
续表1
GB4587
T4=125±5t
发射极-基极开路，
Vc= 0. 7Veso
TF-55C
Vce-5. 0V.
Ic=60mA
脉冲法(见 4, 5, 1)
iV=10V
Ie= 600mA
1=— 12
To—25℃
[=i,单次
Ver =5. 0V, Ie - 1.5A
Vee -10V, I: - 750mA
VeE=60V
Ic=32mA
Ve:E =80V+
Je=2mA
见表4步骤1霜 3
极限值
最小值量大间
KAONIKAca-
B1分组
可焊性
检验和试验
...-..
标志耐久性
B2 分组
热冲出（温度循环）
s.细检漏
b.细检凝
最后测试：
B3 分组
稳态工作寿命
段后洲试：
B4 分组
开惧内部目检
（设计核实》
键合强度
B6 分组
高温寿命（不工作）
最后测试：
稳验和试胎
C1分组
外形尺寸
C2 分组
热神击（玻璃应力）
引出端强度
细检漏
b. 粗滞
综合温度/湿度厨
GJB 128
见图！
SJ20309-93
B组检验
GJB128
低蕴—55 ℃
其余为试验条件F
试验条件H
试整条件F
此表 4 步 1 和 3
Tj=162. 5±12.5C,
Vr-20V
Ph.i-1.3W
见表4步骤 2 和 4
试验条件A
TA=175℃
见表 4 岁骤 2 和 4
表 3 C组检验
试验条件H
试验件 A
试验条件H
试验条件F
每批1个器件，
20(0—0)
极限值
最小值
最人值
险验和试验
期试骑
外观及机械检验
最后测试：
.3分组
实频娠动
查定加速度
后测试：
C4 分组
（适期时）
盐漫蚀）
C6分组
稳态F作寿命
最后测试：
CB分组
GH 4587
集电极-基极截止电范
3DKiC--D
31)K20G--H
集电极-基极截北电流
3DKIG--D
3DK1(G--HA4Www.bzxZ.net
正向电流传输比
正向电疏传愉比
SJ 20309—93
续表3
见表 4 步骤 1 和 3
见表 4步骤1 和 3
Ti=162. 5±12, 5℃
Vek—20V
Fn. =-1. 5W
见装1出骤2和4
Ver=10V
Rehtpr
A组、红和 C组最后测试
GH 1587
发射极-基极Ⅱ路；
Vrw- Veo
发射极-基被开路；
Vcn=Vw
le-600mA
VrE=5. 0V
Ic=600mA
注：1）本测试超过A组极滚值的器件不应接收符
极限值
最小個
最大值
最小值最大假！
初始俏的
KAONIKAca-
5交货准备
5.1包装要求
包装要求应按GJB 33的规定，
5.2贮存要求
贮存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GJB 33的规定
说明事项
SJ 20309—93
合同或订货单可规定要求的引出线材料和涂层(见3.2.1)。6.
6.2如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定，6.3真流安全卫作区(见图2)
Te-25℃
3DK10C、3DK10G：
3DK10D、3DK10H
集电极-发射极电压 VcE(V)
[图 23DK10C--D,31DK10G--H的直流安全工作区A1
SI2030993
美电极-发射极击穿电压测试方法（补充件）
本测试的国的是为了在规定的杀件下，确定晶体管的击等电压是否大于规定的最低极限测试电路
电压源
注：在测试电流时，电流表的接头之间实际上可看成短路，或对电压表读数作医电流表压降的校正，图A1集电极-发射极击穿电压测试电路测试步骤
限流电阻R1应足够大，以避免过渡的电流流过晶体管和电流表施加规定的偏置条件，增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VnRICFO的最低极限，晶体管为合格。本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性，在这种情况下，必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
规定条件
环境温度T；
b.测试电流Ic。
附加说明：
本规范由中国电子工业总公司提出本规范出机械电子工业部电子标准化研究所负责起草。本规范主要起草人，藜仁明、杨健。计划项目代号：B01016。
iKAoNiKAca=
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