【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路ＪＦ１５８、ＪＦ１５８Ａ型双运算放大器详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ20301--93
半导体集成电路报型
双运算放大器详细规范
Detail specification for types JF158 and JF158Adual operational amplifiers of semiconductorintagrated circuits
1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1
引用文件
质量保证规定
交货准备
说明事项…
iiKAoNrKAca-
（3）
1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路
JF158、JF158A型双运算放大器
详细规范
Detail specification for types JF158 and JF158Adual operationalamplifiersof semiconductorintagrated circuits
SJ20301—93
本规范规定了硅单片JF158、JF158A型通用单电源双运算放大器（以下简称器件）的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值、推荐工作条件、功率和热特性分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
JF158A
1.3.1.2器件等级
器件名称
通用单电源双运算放大器（内补偿）通用单电源双运算放大器（内补偿）器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B，级。1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定。封装形式如下：
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07-01实施
封装代号
1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
电源电压
共模输入电压”
差模输入电压
输入电流
单电源工作
双电源工作
输出短路时间(单个运放)
贮荐温度
引线耐焊接温度（60s）
SJ20301—93
封装形式
D08S2（陶瓷双列封装）
J08S2（陶瓷熔封双列封装）
T08A4（无支柱，金属圆形封装）T08B4(带支柱，金属圆形封装）号
不限定
注：1）当电源电压差小于36V时，绝对最大输入电压等于电源电压。2)短路可以接地或任一电源。
额定用于125℃壳温或75℃环境温度。1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电源电压
工作环境温度
1.3.4功率和热特性
功率和热特性如下：
封装形式
最大允许功耗
(TA-125)
热阻Ra（J-C）
50℃/W
60℃/w
60℃/W
iiKAoNiKAca-
Ra(J-A)
120℃/W
120c/W
150c/W
150c/W
2引用文件
SJ20301—-93
GB3431.1-82半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB3431.2—86半导体集成电路文字符号：引用端功能符号GB459084
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
GB/T7092-—93
GJB548—88
GJB597—88
GJB1649-93
3要求
3.1详细要求
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定，引出端排列为俯视图。V+
3.2.2电路图
图1引出端排列
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构，各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。3.2.3封装形式
封装形式应按本规范第1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定，源电阻Rs为502，电源电压Vs为5～30V。表1-—1JF158电特性
输入失调电压1）
输入失调电压温
度系数
（若无其他规定，V+=5.0~30V，见图5）T=25℃
—55C≤TA≤125C
-55CTA25℃
25T125℃
规范值
输入失调电流1)
输入失调电流温
度系数
输入偏值电流\
电源电压制比
共模抑制比2
输出短路电流
电源电流
最大输出电压
开环电压增益
输出低电平电压
输出高电平电压
上升时间
过冲因数
电压转换速率
SJ20301—93
续表1
（若无其他规定，V+-5.0~30V，见图5Rs20kn
Rs=20ka
V+-5~30V
Vic-28V
V=30V,tos≤25ms
V+=30V
V+=30V
V30V,R.=10kn
Vo=1~26V
V+=30V.R,=-2k
Vo=5~20V
V+=5V.R.=10km
Vo=1~2.5V
V+-5V.R.-2kn
Vo=1~2.5V
V=30V.R.=10kn
V=30V,lor.=5mA
V+=4.5V.lor.=2μA
V+=30V,loH=10mA
V+=4.5V,lom=10mA
见图6
V+=30V,AvF=1
25C≤TA≤125℃
TA--55℃
-55CT≤25℃
25CTA125℃
25℃T125℃
T.-—55℃
TA=—55℃
T=25℃
TA=125℃
Rt10ka
Rt=2kn
TA=25℃
-55℃≤T125℃
TA-25℃
55℃TA125℃
TA-25C
—55C≤T125℃
TA=25℃
—55℃≤TA≤125℃
25C≤TA≤125C
TA=-55C
见图6，V+=30V、Av=1
-iiKAoNiKAca-
规范值
—150
—300
·特性
输入宽带噪声电
压（有效值）
输入爆烈噪声峰
蜂电压
VNicRa
Vnacrc)
SJ20301-93
续表1
（若无其他规定，V+=5.0～30V，见图5）Vs=±15VRs=50QTA=25℃
Vs-±15V.Rs=20knT=250
注：1)测试时，Vic=-13V，V+=2V，V_=-28V,Vic15V.V=30V.V.=0V
Vc=1.4V.V+=5V.V.=0V
Vc=-1.1V.V+-2.5V.V_=2.5V.
2)测共模抑制比时，失调电压的判别条件为：V+-30V.V_=0V时，Vo-15V
V+=2V.V_-28V时.Vo=-13V
表1-2JF158A电特性
输入失调电压1）
输入失调电压温
度系数
输入失调电流1
输入失调电流温
度系数
输入偏值电流\
电源电压抑制比
共模抑制比\
输出短路电流
电源电流
最大输出电压
（若无其他规定，V+=5.0~30V.见图5）T=25℃
-55℃≤TA125℃
55℃T≤25℃
25℃TA125℃
Rs=20kn
Rs=20kn
V+=5~30V
Vie-28V
V+=30V.tos≤25ms
V+-30V
V+-30V
25℃≤TA125℃
TA--55℃
—55℃TA25C
25℃T125℃
25C≤TA≤125℃
TA=—55℃
TA--55℃C
TA-25℃
TA=125℃
Ri-10kn
Ri=2kn
规范值
规范值
μV/℃
pA/℃
开环电压增益
输出低电平电压
输出高电平电压
上升时间
过冲因数
电压转换速率
输入宽带噪声电
压(有效值)
输入爆烈噪声峰
峰电压
VNICBBS
VsT(PC)
SJ20301--93
续表1—2
（无其他规定，V+-5.0~30V，见图5V+=30V.R=10km
Vo=1~26V
V+=30V,R,=2kn
Vo=-5~20V
V+=5V.R-10k0
Vo-1~2.5V
V+=5V.R.=2kn
Vo-1~2.5V
V=30V.R=10kn
V+=30Vla.=5mA
V+=4.5V,lot=2μA
V+=30V.lom=10mA
V+=4.5Vlok-10mA
见图6
V+=30V,Avp-1
TA-25℃
-55C≤TA≤125℃
TA-25C
—55T1250
T—25℃
-55℃C≤T≤125℃bzxz.net
TA=25℃
-55CTA≤125℃
TA=25C.TA=125C
TA--55℃
见图6V+=30V，Avp=1
Vs=±15V.Rs=50ka
Vs=±15V,Rs=20ka
注.1）测试时，V=-13V，V+=2V.V_=-28V：Vic=15V.V+=30V.V_=0V
Vc=1.4V.V-5V.V=0V
Vc=--1.1V.V+=2.5VV_=2.5V.
2)测共模抑制比时，失调电压的判别条件为：V=30V.V_=0V时.Vo=15V
V+=2V,V_=-28V时,Vo=-13V。
3.5键合
键合应按GJB597第3.7.1.1条的规定。3.6电试验要求
规范值
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。6
-iiKAoNKAca-
中间（老化前）电测试
中间（老化后）电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试3
D组终点电测试
SJ20301—93
表2电试验要求
B级器件
分组（见表3）
A1,A2,A3,A4,A5,A6,A7
A1和表4的△极限
注：1)该分组要求PDA计算（见本规范第4.2条）。2)表4终点电测试用于Vio、Io和Im。表3-1
TA=25℃
测试号
引出端条件(V）
继电器
JF158电测试
被测端
数值单位
用1、2号测试结果E1,Es计算出来30
Bi级器件
A2,A3,A4
A1,A2,A3,A4,A5,A6,A7
A1和表4的△极限
In-106(E1-Es)/Rs
In=10(Eg-Eg)/Rs
Ih=10(E--E,)/Rs
Iw-10(E-E:)/Rs
Im+=10*(E1-E,)/Rs
IB+=10(E-E10)/Rs
I8+=10*(Es-En)/Rs
TB+-10°(E+-E12)/Rs
TB-=105(E1-E,)/Rs
I--10(Eu-E)/Rs
-106(E15—E:)/Rs
IB-=10°(E1—E)/Rs
KsvR=(E1—E:)40
KcMR-201g
规范值
最小最大
TA-125℃
-55℃
满试母
引出端条件（V）
SJ20301-93
续表3—1
继电器
被测端
avto由23号测得的Vyo（Eu），减去3号测得Vio(Ea)计算得到
Ks,K。
Ks,K。
ao由28号测的Tno（E2n)，减去7号测得Io<7）计算得到
KcMR由21、22号测试计算出来
avIO由3号及45号测试结果计算得到30
Vto=E22
ao(Vio(23)-Vto3))
/100℃
I1-10°(E10-E23)/Rs
l1-10'(E20E2)/Rs
Ita-10°(Eg1—E25)/Rs
lo-10*(E22—E)/Rs
amo(Tio(28)—Ino(7)
/100℃
TB+=10(E1g—E2)/Rs
T1B+10(E20-E28)/Rs
l+-10°(Eg-Eg)/Rs
I18+=10°(E22—E30)/Rs
In-10*(E3-E19)/Rs
I1B-—10(Eg2—E20)/Rs
Im--10*(Eg）
8-=10*(E
Ea)/Rs
E22)/Rs
(E-E)40
KcMR=201g
E19-E20
VtaEao
avio(Vio3)-Vro(15)
/80℃
Vl=10°(Eg-Eu)/Rs
Vl-10°(E-Ea)/Rs
Vla-10°(E
Vu=10°(Eg
Eu)/Rs
iiKAoNiKAca-
规范值
最小最大
±30μV/℃
±400pA/C
±30V/℃
Ta25℃
TA125C
引出端条件（V）
SJ20301—93
续表3—1
鼓测端
导编号数值单位
继电器
410由50号及7号测试结果计算出来53
Kcm由43、44号测试计算出来
GNDGNT
(Fo)。
anom(lo(50)-lo(）
/80℃
IB+-106(E--E)/Rs
IB+=10°(E8—Eg)/Rs
I1B+10°(E3-E)/Rs
TB+10°(E40-E)/Rs
Im--10°(Es—Ea)/Rs
T18-=10°(Es0-Esp)/Rs
T8-—105(Es1-Esg)/Rs
T18--105(Es2-Eae)/Rs
KSVR-(Es—Es)40
KcMR-201g
Vepp(Eo))
Vepp=(Eo)
AvD-25/(E56-Es5)
AVD-15/(E58—Es+)
AvD=1.5/(E-Es)
Avn=-1.5/(E—Ee)
Vol.=(Eo)3
Vot=-(Eo):
Vot.-(Ea)s
Vot.=(Ea)。
Vo.-(Eo),
V.Pp=(Eo)
Vopp(Eo)g
规范值
最小最大
±700pA/℃
—300
TA-125℃
-55℃
TA25℃
测试号
引出端条件（V）
SJ20301--93
续表3—1
继电器
见图6
见图6
见图6
见图6
被测端
（Eo)m
(Eo)n3
(Eo)rg
Eo）29
(Eo)an
(F032mV
(Fo)gmV
=25/(E-E)
Avp=-15/(E-E6s)
1.5/(E—E67)
Avn1.5/(EreEsg)
VoL-(Fo)10
VoL(Eo)
VoL-(Eo)
VOH=(Eo)13
VOH=(Eo)4
-(Eo)1s
Vep=(Eo)
AvD=25/(E2-En)
AvD-15/(E-E)
Avp=1.5/(En6-Ens)
Avp-1.5/(E-Em)
Vot=(Eo)1
VoL-(Eo)
Vot-(Eo)1s
VoH(Eo)20
VoH=(Eo)2
VNISBR)(Eo)
VNrc-(Eo)
t,=△t(波形)
Kov-100(Vo/Vo)
(波形1)
-AVo/A
（波形2)
S-Vo/,
（波形3）
注：①继电器K，和K，分别对应被测器件1和器件2而被激励。10
iiKAoNiikAca-
规范值
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