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【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路 JF147型JFET输入运算放大器详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 05:43:10
- SJ20299-1993
- 现行
标准号:
SJ 20299-1993
标准名称:
半导体集成电路 JF147型JFET输入运算放大器详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1993-05-11 -
实施日期:
1993-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了硅单片JF147型JFET输入运算放大器(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制生产和采购。 SJ 20299-1993 半导体集成电路 JF147型JFET输入运算放大器详细规范 SJ20299-1993

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ20299-93
半导体集成电路JF147型
JFET输人运算放大器详细规范
Detail specificationfortypeJF147JFETinputoperationalamplifierof semiconductor integrated circuits1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
2引用文件
3要求
4质量保证规定
5交货准备
6说明事项
附录A偏置电流随电源电压、共模电压和工作环境温度变化的典型曲线iiKAoNirkAca
1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JF147型
JFET输人运算放大器详细规范
Detail specification for type JF147JFETinput operational amplifierof semiconductor integrated circuitsSJ20299-93
本规范规定了硅单片JF147型JFET输入运算放大器(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值、推荐工作条件、功率和热特性分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按GJB.597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下:
器件型号
1.3.1.2器件等级
器件名称
JFET输入四运算放大器
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B,级,1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定。封装形式如下:
D14S3(陶瓷双列封装)
封装形式”
J14S3(陶瓷熔封双列封装)
F14X2(陶瓷扇平封装)
H14X2(陶瓷熔封扁平封装)
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07-01实施
1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下:
电源电压
输入电压1)
差模输入电压
贮存温度
输出短路时间
引线耐焊接温度(60s)
SJ20299—93
注:1)反相输入电压绝对最大值等于反相电源电压。数
不限定2)
2)可对地或任一电源短路。额定用于125℃壳温或75℃环境温度。1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下:
电源电压
工作环境温度
1.3.4功率和热特性
功率和热特性如下,
封装形式
引用文件
GB3431.1-82
GB3431.2—86
GB4590-84
GB/T7092—93
GJB548--88
GJB597-88
GJB1649—93
最大功耗
(TA=125C)
热阻Ra(-C)
60℃/w
60℃/w
半导体集成电路文字符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号·引出端功能符号半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
iiKAoNiKAca
热阻Ra(J-A)
120c/W
120c/W
140c/w
140℃/W
3要求
3.1详细要求
SJ20299—93
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范第1.3.1.3条的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。3.2.2电路图
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构。各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。1ourd
1IN+d3
1440ur
13h4IN
124IN+
103IN+
引出端排列
3.2.3封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定,适用于全工作温度范围一55~125℃和电源电压为士5~土15V,源电阻(R,)对所有试验均应为500。非测试运算放大器应连接成同相端接地的跟随器状态。
表1电特性
输入失调电压
输入失调电压温度系
输入失调电流1\)
(若无其他规定,见图5,V.=士15V)V±5V,V=0V和
Vs-±15V
Ve=±11V
Vie-ov
Vic-oV
TA=25℃
-55CTA125℃
T=25℃
T,-125℃
规范值
输入偏置电流23)
电源电压抑制比
共模抑制比\
输出短路电流”
(正输出)
输出短路电流”
(负输出)
电源电流
(单运放)
输出峰峰电压
开环电压增益?
瞬态啊应
上升时间
过冲系数
转换速率
建立时间
输入宽带噪声电压
输入爆裂噪声电压
通道分离度
Sr(±)
Vxr(BB)
Vi(PC)
SJ2029993
续表1
(若无其他规定,见图5,V.=士15V)Vie=11V
t≤25ms
t≤25ms
Vic=—11V
t≤25ms
T,=25℃
Tj=125℃
T,-25℃
T,=125℃
T,-25℃
T=125℃
V+=20V.10V,V_--15V
V+=15V.V_-20V,-10V
t≤25ms,短路到地
≤25ms,短路到地
TA--55℃
25℃≤T125℃
Rt-10ka
Vo=±10V
TA=25C
—55℃≤TA≤125℃
Vs±5V.R=10kn.Vo=2±V
V,=50mV,A=1,RL=2kn
CL-100pF,见图6
V,=50mV.Avp=1.R=2km
Ct=100pF,
见图6
V,=±5V.Avr=1
见图6
TA=25℃
T=-55℃,1250
Avp=1.0.1%误差,见图7T=25
BW=10kHz见图8,TA=25℃
BW=10kHz见图8.TA=25C
见图9.TA=25℃
规范值
—200
iiKAoNiiKAca-
注:1)Io-(+I)-(—Im),
SJ20299—93
2)实际上输入偏暨电流为结的漏电流。结温每升高10C时,偏置电流增加一倍。为了减少温升的热漂移,对器件首先测试偏置电流,且偏置电流后的测试必须在施加电源后的25ms内进行。3)偏暨电流随电源电压、共模电压和工作环境温度而变化。参见附录A(参考件)。4)共模抑制比由在Vc=11V和Vc=-11V时测量Vio后计算得到。5)短路持续时间应相当低,在T,≤175℃下对各电源提供短路保护。6)由于输出到输入的热反馈效应,在整个工作温度范翻内开环增益不保证是正向的或线性的。若要求,则在订货资料中规定。
3.4.1不稳定性振荡
当按本规范给出的测试线路工作时,器件应无振荡。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组,各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试\
D组终点电测试\
B级器件
分组(见
表3)
B级器件
A1,A2.A3,A4,A5,A6,A7,
A1和表4的△极限
注:1)该分组要求PDA计算(见本规范4.2条)。A1,A2A3,A4,A5,A6.A7,
A8,A12
A1和表4的△极限
2)C组,D组终点电测试中还应包括表3中测试号为22和40的娶求,5
SJ20299—93
器申彩
测试号
-iiKAoNiKAca
SJ20299—93
= -501
1=+5o1
1(-\)/0/80=
(\3\0=-
(\-\a)0=-1
馨串薪
测试号
SJ20299—93
1 = +so1
(\\80=
测试号
iiKAoNiKAca
SJ20299—93
器串瓶
测试号
SJ20299-93
(26图
(2*6园
(26图
(2*6园
2*6图
(2*6图
(9\8园
(9\8周此内容来自标准下载网
(8*9图
(8*9周
N/-AV-
+W/AV=+g
(LA/AV)0OI AOY
器申薪
iiKAoNiKAca
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SJ20299-93
半导体集成电路JF147型
JFET输人运算放大器详细规范
Detail specificationfortypeJF147JFETinputoperationalamplifierof semiconductor integrated circuits1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1范围
2引用文件
3要求
4质量保证规定
5交货准备
6说明事项
附录A偏置电流随电源电压、共模电压和工作环境温度变化的典型曲线iiKAoNirkAca
1范围
1.1主题内容
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JF147型
JFET输人运算放大器详细规范
Detail specification for type JF147JFETinput operational amplifierof semiconductor integrated circuitsSJ20299-93
本规范规定了硅单片JF147型JFET输入运算放大器(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值、推荐工作条件、功率和热特性分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按GJB.597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下:
器件型号
1.3.1.2器件等级
器件名称
JFET输入四运算放大器
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的B,级,1.3.1.3封装形式
封装形式应按GB/T7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定。封装形式如下:
D14S3(陶瓷双列封装)
封装形式”
J14S3(陶瓷熔封双列封装)
F14X2(陶瓷扇平封装)
H14X2(陶瓷熔封扁平封装)
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07-01实施
1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下:
电源电压
输入电压1)
差模输入电压
贮存温度
输出短路时间
引线耐焊接温度(60s)
SJ20299—93
注:1)反相输入电压绝对最大值等于反相电源电压。数
不限定2)
2)可对地或任一电源短路。额定用于125℃壳温或75℃环境温度。1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下:
电源电压
工作环境温度
1.3.4功率和热特性
功率和热特性如下,
封装形式
引用文件
GB3431.1-82
GB3431.2—86
GB4590-84
GB/T7092—93
GJB548--88
GJB597-88
GJB1649—93
最大功耗
(TA=125C)
热阻Ra(-C)
60℃/w
60℃/w
半导体集成电路文字符号电参数文字符号半导体集成电路文字符号·引出端功能符号半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
iiKAoNiKAca
热阻Ra(J-A)
120c/W
120c/W
140c/w
140℃/W
3要求
3.1详细要求
SJ20299—93
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范第1.3.1.3条的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。3.2.2电路图
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构。各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查。1ourd
1IN+d3
1440ur
13h4IN
124IN+
103IN+
引出端排列
3.2.3封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定,适用于全工作温度范围一55~125℃和电源电压为士5~土15V,源电阻(R,)对所有试验均应为500。非测试运算放大器应连接成同相端接地的跟随器状态。
表1电特性
输入失调电压
输入失调电压温度系
输入失调电流1\)
(若无其他规定,见图5,V.=士15V)V±5V,V=0V和
Vs-±15V
Ve=±11V
Vie-ov
Vic-oV
TA=25℃
-55CTA125℃
T=25℃
T,-125℃
规范值
输入偏置电流23)
电源电压抑制比
共模抑制比\
输出短路电流”
(正输出)
输出短路电流”
(负输出)
电源电流
(单运放)
输出峰峰电压
开环电压增益?
瞬态啊应
上升时间
过冲系数
转换速率
建立时间
输入宽带噪声电压
输入爆裂噪声电压
通道分离度
Sr(±)
Vxr(BB)
Vi(PC)
SJ2029993
续表1
(若无其他规定,见图5,V.=士15V)Vie=11V
t≤25ms
t≤25ms
Vic=—11V
t≤25ms
T,=25℃
Tj=125℃
T,-25℃
T,=125℃
T,-25℃
T=125℃
V+=20V.10V,V_--15V
V+=15V.V_-20V,-10V
t≤25ms,短路到地
≤25ms,短路到地
TA--55℃
25℃≤T125℃
Rt-10ka
Vo=±10V
TA=25C
—55℃≤TA≤125℃
Vs±5V.R=10kn.Vo=2±V
V,=50mV,A=1,RL=2kn
CL-100pF,见图6
V,=50mV.Avp=1.R=2km
Ct=100pF,
见图6
V,=±5V.Avr=1
见图6
TA=25℃
T=-55℃,1250
Avp=1.0.1%误差,见图7T=25
BW=10kHz见图8,TA=25℃
BW=10kHz见图8.TA=25C
见图9.TA=25℃
规范值
—200
iiKAoNiiKAca-
注:1)Io-(+I)-(—Im),
SJ20299—93
2)实际上输入偏暨电流为结的漏电流。结温每升高10C时,偏置电流增加一倍。为了减少温升的热漂移,对器件首先测试偏置电流,且偏置电流后的测试必须在施加电源后的25ms内进行。3)偏暨电流随电源电压、共模电压和工作环境温度而变化。参见附录A(参考件)。4)共模抑制比由在Vc=11V和Vc=-11V时测量Vio后计算得到。5)短路持续时间应相当低,在T,≤175℃下对各电源提供短路保护。6)由于输出到输入的热反馈效应,在整个工作温度范翻内开环增益不保证是正向的或线性的。若要求,则在订货资料中规定。
3.4.1不稳定性振荡
当按本规范给出的测试线路工作时,器件应无振荡。3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组,各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试\
D组终点电测试\
B级器件
分组(见
表3)
B级器件
A1,A2.A3,A4,A5,A6,A7,
A1和表4的△极限
注:1)该分组要求PDA计算(见本规范4.2条)。A1,A2A3,A4,A5,A6.A7,
A8,A12
A1和表4的△极限
2)C组,D组终点电测试中还应包括表3中测试号为22和40的娶求,5
SJ20299—93
器申彩
测试号
-iiKAoNiKAca
SJ20299—93
= -501
1=+5o1
1(-\)/0/80=
(\3\0=-
(\-\a)0=-1
馨串薪
测试号
SJ20299—93
1 = +so1
(\\80=
测试号
iiKAoNiKAca
SJ20299—93
器串瓶
测试号
SJ20299-93
(26图
(2*6园
(26图
(2*6园
2*6图
(2*6图
(9\8园
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(8*9图
(8*9周
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+W/AV=+g
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器申薪
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