【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路 ＪＢ５５５、ＪＢ５５６型时基电路详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ20298-93
半导体集成电路型
时基电路详细规范
Detail specification for types JB555 and JB556precision timers of semiconductor integrated circuits1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部批准1
引用文件
质量保证规定·
交货准备
说明事项·
-iiKAoNiKAca-
1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JB555、JB556型时基电路详细规范
Detail specificationfor types JB555and JB556precision timers of semiconductor integrated circuits1.1主题内容
SJ20298-93
本规范规定了硅单片JB555、JB556型时基电路（以下简称器件）的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值、推荐工作条件、功率和热特性分类。
1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597《微电路总规范》第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下：
器件型号
1.3.1.2器件等级
器件名称
时基电路
双时基电路
器件等级应为GJB597第3.4条规定的B级和本规范规定的Bi级1.3.1.3封装形式
封装形式如下：
D08S2（陶瓷双列封装）
D14S3（陶瓷双列封装）
封装形式”
J08S2（离瓷熔封双列封装）
J14S3（陶瓷熔封双列封装）
T08A4（无支柱、金圆形封装）
中华人民共和国电子工业部1993-05-11发布1993-07-01实施
SJ20298—93
注：1)按GB7092《半导体集成电路外形尺寸》的规定。1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下：
电源电压
放电电流
正输出电流
负输出电流
贮存温度
引线耐焊接温度（60s）
1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下：
电源电压
工作环境温度
1.3.4功率和热特性
功率和热特性（T=125℃）如下：封装形式
引用文件
GB 3431.1—82
GB341.2—86
GB459084
GB/T7092-93
GJB548--88
GJB597---88
最大功耗
热阻R(-C)
45℃/W
45℃/W
45℃/W
40℃/W
半导体集成电路文字符号
电参数文字符号
半导体集成电路文字符号
引出端功能符号
半导体集成电路机械和气候试验方法半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
iiKAoNiKAca-
热阻Rh(J-A)
135c/W
135c/w
120c/w
120℃/w
150℃/W
GJB1649—93
3要求
3.1详细要求
SJ20298-—93
电子产品防静电放电控制大纲
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB597和本规范第1.3.1.3条的规定。3.2.1引出端排列
引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。3.2.2电路图
制造厂在鉴定前应将电路图提交给鉴定机构。各制造厂的电路图应由鉴定机构存档备查JB555
3.2.3方框图和功能表
方框图和功能表应按图2的规定。60TH
引出端排列
SJ20298-93
比较器
融发器
比梗都
管出部分
图2方框图和功能表
复位(F））
置位(r)
注：①放电晶体管状态，输出高电平，放电晶体管截止：输出低电平，放电晶体管导通。1）在复位脉冲画到高电平后，输出不确定，2）在Vcc小于10V时，有些器件锁定高电平状态。3.2.4封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3·引线材料和涂疆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性按表1的规定。若无其他规定，适用于全工作温度范围一55～125℃。iiKAoNiKAca-
电源特性
触发电压
触发电流
阀值电压
阔值电流
输出低电平电压
输出高电平电压
放电晶体管漏电流
SJ20298-93
表1-1JB555的电特性
（若无其他规定，见图5）
Vec-15V
TA=25℃
Vee=5V
Vee-15V
TA-55℃
TA-125℃
TA-55℃
TA=125℃
Vcc15V.Vm0
Vec=5V
Vce=15V
Vce-15V
Vec-5V
1e+=5mA
1o+=50mA
Vee15V
lo+=10mA
Vee-15V
le+=50mA
Vec=15V
Io+=100mA
TA=25℃
-55℃TA125℃
TA-25℃
-55℃≤T125℃
25C≤TA=125C
TA-—55℃
TA-25℃
TA-—55CTA-125C
TA-—55
25T25℃
-55℃T25℃
TA125℃
-55≤T≤25℃
TA=125℃
TA=25C
TA=-55℃,TA=125C
25CT125℃
1o-=—100mA
Vee-15V
I-100mA
Vec=15V
TA=-55℃
25T125
TA--55℃
-55℃≤TA≤25℃
Ta=125℃
规范值
放电晶体管饱和电压
复位电压
复位电流
输出由低到高电平
传输延迟时间
(单稳）
输出由低到高电平
转换时间（单稳）
输出由高到低电平
转换时间（单稳）
输出高电平延迟
时间(单稳）
延迟时间电源电压变
化率（单稳）
阈值端到输出传输延
迟时间
延迟时间温度系数
（单稳）
电容充电时间
(非稳态）
电容放电时间
(非稳态)
电容充电时间电源电
压变化率
(非稳态）
Vc(an)
ta(OH)
ad(OH)
Vee-15V
Ip=50mA
SJ20298—93
续表11
（若无其他规定，见图5）
-55T25℃
TA=125C
Vcc-15V，见图9，R,=1km
Vec=15V.Vr=0
5.0VVcc15.0V
Ch-0.1μF
见图6
-55CT25℃
TA-125℃
5.0V≤Vcc≤15.0V
R=1kn,C=0.1pF，见图6
5.0VVc15.0V
R=1knC+=0.1μF，见图6
5.0V≤Vcc≤15.0V
R=1kQCt=0.1μF，见图6
5.0VVcc<15.0V
R=100kn.C=0.1pF，见图6
AVce=10V
R=1knC-0.1μF见图6
TA-25℃
5.0V≤Vce<15.0V
R=1kn，见图7
Vee-15V
R=1knC=0.1μF，见图6
5.0VVce15.0V
见图8
RTAI=RB=1kO
RTA:-RTB-100ko
5.0VVcc15.0V
Cr-0.1μF
见图8
RtARrmiko
RrARra100ka
AVc=10VR=R=1kn,C=0.1μF,
TA=25℃，见图6
iiKAoNiKAca
规范值
电容充电时间温度系
数(非稳态）
复位时间
电源电流
触发电压
触发电流
网值电压
网值电流
SJ20298—93
续表1—1
（若无其他规定，见图5）
Vcc=15VRTA=R=1kn,C=0.1μF，见图8Vce=15V
见图9
Ri=1knWww.bzxZ.net
—55T25
TA=125℃
表1—2JB556的电特性
(若无其他规定，见图5)
Vcc=15.0V
Vee-15.0V
TA25℃
TA-—55℃
Ta=125℃
TA-25℃
TA--55C
TA=125℃
Vcc=15.oV.ViR0
Vce-15.0V
Vcc=15.0V
TA=25℃
-55TA≤125℃
TA25℃
-55C≤T≤125℃
25C≤T=125℃
TA=-55℃
规范值
规范值\
输出低电平电压
输出高电平电压
放电晶体管漏电流
放电晶体管饱和电压Veg)
复位电压
复位电流
输出由低到高电平
传输延迟时间
（单稳）
输出由低到高电平
转换时间（单稳）
输出由高到低电平
转换时间（单稳）
输出高电平延迟
时间单稳）
ta(oH)
e+=5mA
Ie+=50mA
lo+=10mA
Vee=-15.0V
Io+=50mA
Vec=15.0V
I.+-100mA
SJ20298-93
续表1—2
（若无其他规定，见图5）
TA-25℃
TA--55C,TA-125C
TA=-55℃
25C≤TA≤25℃
-55℃≤T≤125℃
TA=125℃
—55C≤T≤25℃
TA=125℃
TA=-25℃
TA=—55C,TA=125℃
25℃TA125℃
le-=—100mA
Vcc=15.0V
I-=-100mA
Vec-15.0V
Vec-15.0V
Ip=50mA
TA=-55℃
25CTA125℃
TA=-55℃
-55℃≤TA25℃
TA-125℃
-55≤T25℃
TA-125℃
Vce=15.0V.见图9R.=1kn
Vcc-16.5V.Vx=0
5.0V≤Vcc15.0V
R--1kn,
Ch=0.1μF
见图6
-55C≤T25℃
TA=125℃
5.0V≤Vcc≤15.0V
R=1knCt=0.1μF.见图6
5.0V≤Vcc15.0V
R1knC0.1F，见图6
5.0VVcc15.0V
Rr=1kn,C=0.1μF见图6
5.0V≤Vcc≤15.0V
R-100kCr=0.1μF见图6
规范值\
-iiKAoNiKAca-
延迟时间电源电压变
化率(单稳)
阀值端到输出传输延
迟时间
延迟时间温度系数
(单稳）
电容充电时间
(非稳态）
电容放电时间
(非稳态）
电容充电时间电源电
压变化率
(非稳态)
电容充电时间温度系
数(非稳态）
复位时间
AVcc10V
SJ20298-93
续表1—2
（若无其他规定，见图5）
R=1kn.C=0.1uF.见图6
TA=25C
5.0VR=1ka.见图7
Vcc-15.0V
Rr=1kn.C=0.1F.见图6
5.0VVce15.0V
见图8
RTAl RTBl Ik
RrARTm100ka
5.0VVcc<15.0V
Cr=0.1μF
见图8
RraRra1ko
RTA2RT100ka
AVcc=10VR=R=1ka,Cr=0.1μF
Ta=25℃，见图8
Vcc=15.0V.R=R=1k0.C=0.1F.见国8Vec-15.0V
见图9
-55TA25
TA=125C
输出高电平延退时间At(oHm
5.0V≤Vc=15.0V.T=25C
匹配(单稳)2)
延迟时间温度系数四au(OH)M
配(单稳)\)
延迟时间电源电压变
化率匹配（单稳）)
Rr=1knCr=0.1μF，见图6
Vcc=15.0V,
R=1k0Cr=0.lμF，见图6
AVcc=10V
R=1kn.Cr=0.1F见图6
TA=25℃
注：1）对器件每侧应分别测试。2)(OH）M-L4(OH）—(OH)3
3)aN(OH/M=ad(OH)I—d(OH）2
4)Sy=SiV1—SVge
3.4.1触发
规范值
—110
SJ20298-93
在单稳形式中，器件在触发脉冲的下降沿上触发.触发脉冲必须短于“RC”时间宽度。最小触发脉冲宽度为1us。
0.5Vcc≤VTROV≤VTR≤0.22VcC
触发脉冲
3.4.2复位
在单稳形式中，器件在复位脉冲的下降沿上复位（从Vo到VoL）。一且复位脉冲回到高电平时，输出仅在触发是高电平，保持是低电平。如果触发是低电平，复位仍是高电平，输出高电平。最小复位脉冲宽度2us。
1.3V≤VREs≤Vco
OVVRES 0. 1V.
复温脉冲
3.5电试验要求
器件的电试验要求应为表2所规定的有关分组，各分组的电测试按表3的规定。表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间（老化后）电测试
最终电测试\
A组试验要求
C组终点电测试
C组附加的电分组
D组终点电测试
B级器件
A1,A2.A3.A9
A1和表4的△极限
A10,A11
注：1）该分组要求PDA计算（见本规范4.2条）。分
B级器件
A2,A3,A9
A1.A2,A3,A9
A1和表4的△极限
不要求
2）表3中测试号为58至65及A9分组中tRes的测试不要求。表3—1
JB555的电测试
TA-25℃
测试号
引出端条件（见图5）4)
开关8
ks,k1o
被测端
规范值
iiKAoNiKAca
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