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- SJ 1405-1978 3DA1型NPN硅高频大功率三极管
标准号:
SJ 1405-1978
标准名称:
3DA1型NPN硅高频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1979-07-01 -
实施日期:
1979-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
128.09 KB
中标分类号:
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于3DA1型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和振荡。 SJ 1405-1978 3DA1型NPN硅高频大功率三极管 SJ1405-1978
部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部标准
NPN硅高频大功率三极管
SJ1405-78
中华人民共和国第四机械工业部部
3DA1型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1405—78
1.本标准适用于3DA1型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和摄荡。2.三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3,三极管的外形尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》中的F-1型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175C。试验后测量IcBo,VcEs,HB三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcE:不超过参数规范值的12倍,HE相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5。各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic——-Vc曲线
(2)I———V曲线,
(3)HE-Ic曲线:
(4)fr—-1c曲线:
(5)Pc——Tc曲线
(6)HE,VcEO,IcBO
T曲线:
(7)Po,Kp,ne—-Pi曲线bzxz.net
(8)Po,Kp,neVc曲线:
中华人民共和国第四机械工业部发布1979年7月1日实施
共3页第2页
(9)直流安全工作区,
SJ1405-—78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。电
测试条件
试验类别
3DA1型NPN硅高频大
SJ1405—78
功率三极管参数规范表
SBVeBO
Mro=1d
ZHWOI-
Mr'o=!d
共3页第3页
MIo=ld
ZHWOI=
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
NPN硅高频大功率三极管
SJ1405-78
中华人民共和国第四机械工业部部
3DA1型NPN硅高频
大功率三极管
SJ1405—78
1.本标准适用于3DA1型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管在电子设备中主要用于功率放大和摄荡。2.三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3,三极管的外形尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》中的F-1型的规定。
4.技术要求和试验方法:
(1)三极管的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合参数规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为175C。试验后测量IcBo,VcEs,HB三项参数。IcEo不超过参数规范值的2倍,VcE:不超过参数规范值的12倍,HE相对变化不超过35%,则为合格。
(4)额定功率试验时,壳温Tc=70±5°C,所加电压Vc=20V。试验后考核标准同高温贮存试验。
5。各生产厂应在产品说明书、手册或样本中,提供下列资料供使用方参考:(1)Ic——-Vc曲线
(2)I———V曲线,
(3)HE-Ic曲线:
(4)fr—-1c曲线:
(5)Pc——Tc曲线
(6)HE,VcEO,IcBO
T曲线:
(7)Po,Kp,ne—-Pi曲线bzxz.net
(8)Po,Kp,neVc曲线:
中华人民共和国第四机械工业部发布1979年7月1日实施
共3页第2页
(9)直流安全工作区,
SJ1405-—78
(10)典型运用状态和典型阻抗值。电
测试条件
试验类别
3DA1型NPN硅高频大
SJ1405—78
功率三极管参数规范表
SBVeBO
Mro=1d
ZHWOI-
Mr'o=!d
共3页第3页
MIo=ld
ZHWOI=
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