【电子行业标准(SJ)】 半导体红外发光二极管测试方法

中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658-86
半导体红外发光二极管测试方法1986—0121发布
1986—1001实施
中华人民共和国电子工业部
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658.1-86
半导体红外发光二极管测试方法总
本标准适用干半导体红外发光二极管光电参数的测试，其光电参数的测试按相应的标准和技术条件的规定进行。
1对光学参数的要求
1.1输出光功率的测试误差不大于5%。1.2峰值波长的测试误差不大于土2nm。1，3发散角的测试误差不大于10%。2对测试仪表的要求
2，1各有关光学参量的测试仪器应预先进行计量。2.2直流电表的误差，
电参数指示用电表的误差不大于0.5%。221
数指示或记录用的直流电压表的内阻应足够小使通过的电流在其上产生的最大压降不过工作电压的1%。2.3交流仪表的误差
电客测试仪表的误差不大于10%。2.3.1
截止题牵测试仪表的误差不大于10%。2.3，3工作点指示用电表的误差不大于土2.5%。3对电源的要求
3，1在测试设备中用交流整流作直流电源时，波纹系数不大于0.1%。4测试环境条件
.1光电参数的测试均应在正常大气条件下进行，特殊要求者在超应的产品标准与技术条件中规定
常大气条件：
环境温度：13~35℃
相对湿度：
45~75%
大压强：
86kPa106kPa
4.？如果被测量参数依据温度、相对显度及大气压强而定、则训在下列仲裁大气条件下进行测试。特殊要求者在产品标准及技术条件中规定。仲找大气条件：
环境激度：25±1℃
中华人民共和国电子工业部19860121发布1986—10—01实施
相对湿度：
大气压强：
48~52%
SJ2658.1-86
86kPa~106kPa
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658.2-86
半导体红外发光二极管测试方法正向压降测试方法
本标准适用于半导体红外发光二极管正向压降的测试。测试正向压降VF总的要求应符合SJ2658.1-86正向压降Vr的测试
2.1定义
红外发光二极管通过规定的正向电流时，在两级间产生的电压降。2.2
正向压降的测试原理图应符合下图：恒花源
2.3测试步骤
谢节恒流源，使直流电流表的读数为规定值、这时在直流电压表上的读数即为被测点向电压降值。
中华人民共和国电子工业部1986-01—21发布198610—01实施
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2656.386
半导体红外发光二极管测试方法反向电压的测试方法
本标准适用于红外发光二极情反向电压的测试。测试反向电压Vr总的要求应符合总则SJ2658.1-86。反向电压VR的测试
2.1定义
红外发光二极管通过的反向电流为规定值时，在两级间所产生的电压降。反向电压的测试原理图应符合下图：2.2
源压源
2.3測试步骤
调节稳压源输出电压，使电流表读数为规定值，这时电压表的读数为反向电压值。中华人民共和国电子工业部1986一0121发布1986—1001实施
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658.486
半导体红外发光二极管测试方法电容的测试方法
本标准适用于红外发光二极管电容的测试。测试电容C要求应符合总则SJ2658：1一86。电容C的测试
2.1定义
在规定正向偏压和规定频率下，红外发光二极管二端的电容值。2.2
电容的测试原理图应符合下图：电
2.3测试步骤
调节稳压源，给红外发光二极管加上规定的正向偏压和频率，调节电容仪。在电容刻度盘上的读数扣去电容Co等效值即为该管的电容值。中华人民共和国电子工业部1986-01—21发布198610—01实施
中华人民共和国电子工业部部标准SJ26585-86
半导体红外发光二极管测试方法正向串联电阻的测试方法
本标准适用于红外发光二极管正向串联电阻的测试。测试正向串联电阻rs总的要求应符合SJ2658，1一86。2正向串联电阻rs的测试
2.1定义
红外发光二极管在正向工作状态下，在I－V特性的线性区里，两级之间的电压增量与通过器件的电流增量之比，即：rsZVF/ZIF
式中：.VF为电压增量，IF为电流增量。22
正向串联电阻的测试原理图应符合下图：恒流源
2.3测试步骤
在红外发光二极管I－V特性的线性区域里调节正向工作电流分别为IFI和IF2，同时测定相应的正向工作电压VFI和VF2。使IF2-[FI一△IF，VF2-VFI△VF，利用公式rs=△Ve/AIF，算出正向串联电阻rs值。中华人民共和国电子工业部1986—01—21发布19861001实施
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658.6—86
半导体红外发光二极管测试方法输出光功率的测试方法
本标准适用于红外发光二板管输出光功率的测试。测试输出光功率总的要求应符合SJ258186。1
2输出光功率的测试
2，1方法［-直流输出光功率P的测试2.1.1定义
在规定正向直流工作电流下，红外发光二极管所发出的光功率。212
直流输出光功率的测试原理图应符合下图：發
恒流源
2.1.3测试步骤
把红外发光二极管和接收器置于同一暗盒中。使发光面稚接收面互相平行并尽量靠近。调节恒流源、使其直流电流IF为规定值时，指示器上的读数即为被测管的直流输出光功率值。
附：接收器光缴面期应大于发光管光斑，接收器和指示器要予先进行直流输出光功率的标定和校准。2.2方法Ⅱ—脉冲输出光功率的测试2.2.1定义
在规定幅度、频率和占空比的矩形脉冲电流作用下，红外发光二极管发光面上所发出的光功率。
中华人民共和国电子工业部1986一01一21发布1986—1001实施
SJ2658.6—86
脉冲输出光功率的测试原理图应符合下图：暗箱
矩升脉浓源
环波器
图中的RL为取样电阻。
2.2.3测试步骤
接收器
把红外发光二极管和接收器置于同一暗盒中，使发光面和接收面互相平行并且靠近。调节脉冲源，使其蜂值电流Ip为规定值时，指示器上的读数即为被测管的脉冲输出光功率值。
脉冲峰值输出光功率和平均输出光功率的关系为：Pp
式中：Pp为脉冲峰值输出光功率；PyA为脉冲平均输出光功率；
D为脉冲波形的占空比。
注：接收器光橄配积应大干发光管光斑。接收器和指示器要预先进行脉冲输出光功率数的标定和校准。8
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半导体红外发光二极管测试方法辐射通量的测试方法
本标准适用于红外发光二极管辐射通量的测试。测试辐射通量总的要求应符合SJ2658，1一88。辐射通量中的测试
2.1定义
在规定正向工作电流下，红外发光二极管所辐射的全部光通量。辐射通量的测试原理图应符合下图：2.2
爽光屏
恒疏源
2.3测试步骤
熟分球
调节恒流源，使其直流电流IF为规定值时，指示器上的读数即为被测管的辐射通量。2.4说明与要求
被测器件、遮光屏及小孔应大大小于球体内壁面积。球和探测器应在所用波长范围内以瓦特校准。2.42
球壁内涂层应有高的漫反射率和均匀性（反射率R>0.80）。2.4.8
中华人民共和国电子工业部1986—0121发布1986—10—01实施
中华人民共和国电子工业部部标准SJ2658、8—86
半导体红外发光二极管测试方法法向辐射率的测试方法
本标准适用于红外发光二极管法向辐射率的测试。测试平均辐射率总的要求应符合SJ2658，186。2平均辐射率LAv的测试
2.1定义
红外发光报在规定的正向电流下，垂直于出光面方向上的单位发光面积，单位立体角内所发射的光功率，即；LAV-dp/(ddA)
式中：dp--光面元向垂直于光面方向上的立体角元所发射的光功率；d。.垂直于光面方向的立体角元。dA--发光面元.
2.2平均辐射率的测试原理图应符合下图：推
图中：0.2-主光轴：
二，发光管发光函与接收器光敏面的距离。中华人民共和国电子工业部1986一01一21发布02
198610—01实施
测试步骤
SJ2658.8-86
将红外发光二极管安装于予定位置上，调节恒流源，使正向电流1F达到规定值，读取指示器上的辐射光功率数，然府求出该电流下的平均辐射率。2.4
说明和要求
发光管的安装支案应有足够的定位重复性。发光管的发光面和接收面的光敏面应垂直于主光轴。L.与接收器光敏面直径之比为10：1以上。暗箱里的光栏个数可依情况而定，最少为1个。发光管光班面积的测试误差应小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。