【电子行业标准(SJ)】 硅光敏三极管

中华人民共和国电子工业部部标准硅光敏三极管
SJ2217-—82
本标准适用于3DU10～82半导体硅光敏三极管（以下简称产品）。该产品主要用于可见光、近红外光的接收及光电转换的自动控制仪器、触发器等方面。1产品除应符合本标准规定外，尚应符合SJ2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》的规定。
2产品外形尺寸应符合部标准SJ2247—82《半导体光电子器件外形尺寸》的规定。有基极引出线的产品在产品型号后加B区别，透光部分是平头的产品在型号后加C区别。3环境试验项日、顺序及环境试验后考核标准按SJ2213一82《半导体光敏管光耦合器总技术条件》3.2.2、3.2.3、3.2.4款的规定。4技术要求和试验方法
4.1产品光电参数应符合参数规范表的规定，测试方法应符合部标准SJ2214-82《半导体光敏管测试方法》的规定。
4.2振动强度试验、机械冲击试验、变频振动试验、温度冲击试验、湿热试验后测试产品的JS类光电参数以不超过参数规范表的规定为合格，其中湿热试验后测试ID，以不超过规范表规定的5倍为合格。
4.3引出线抗拉试验、弯曲试验、易焊性试验按总技第2.6条进行。4.4高温性能试验（SJ2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.13条），将产品放在85土2℃的环境中加V（RM)CE保持30分钟，测试ID，以不超过35uA为合格。测达林顿型三极管反向截止电流IcE<50μA为合格。
4.5低温性能试验(SJ2213-82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.14条），将产品放在-40土3℃的环境中放置30分钟后，加照度H为1000勒克斯，加偏压（RM)CE，测试其IL，应不小于光电参数规范表规定值的50%为合格。此项试验为特殊试验供协议时参考。4.6工作寿命试验（SJ2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.10条）。在产品上加VcE=V(RM)CE在1小时内调节光源照度，使产品承受的功率等于光电参数规范表中规定的功率PM。此后不再调节光源照度，试验后测试JS类光电参数，其中Ip不超出光电参数规范表规定的2倍为合格，其中1变化率不超过30%。4.7高温贮存试验（SJ2213-82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.11条），将金属封装产品放置在155±3℃、塑料封装产品放置在100±2℃的环境中，贮存340小时后，测试ID，不应超出光电参数规范表规定2倍，IL.应符合光电参数规范表的规定。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1
1983-07-01实施
SJ2217-—82
(sH)(s)(sH）
0000I=H
SJ2217—82
附录A
光敏三极管参数符号说明
(补充件）
ID光敏三极管暗电流一一在无光照下（基极开路），集电极一发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为暗电流。
IL光敏三极管光电流一一光敏三极管在规定光照下并加规定的工作电压（基极开路）时流过三极管的电流。
V（BR)CE集电极一发射极击穿电压——在无光照下，集电极电流Ic为规定值时，集电极与发射极，间的电压降。
t，光敏三极管脉冲上升时间一一光敏三极管在规定工作条件下，调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10%到90%所需的时间。t光敏三极管脉冲下降时间一一以输出脉冲后沿幅度的90%到10%所需的时间。td光敏三极管延迟时间一一从输人光脉冲开始点到输出电脉冲前沿的10%所需的时间。t，光敏三极管脉冲贮存时间一一当输人光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90%所需的时间。
V(RM)CE光敏三极管最高工作电压——在允光照下，集电极电流Ic为规定的允许值时，集电极与发射极间的电压降。
一光敏三极管在规定的条件下能承受的最大功率。PM光敏三极管最大功率一bZxz.net
入P光敏三极管峰值波长一一当光敏三极管的光谱响应为最大值时，对应的波长为峰值波长。
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