【电子行业标准(SJ)】 半导体达林顿型光耦合器

中华人民共和国电子工业部部标准SJ2220-82
半导体达林顿型光耦合器
1982-11-30发布
中华人民共和国电子工业部
1983-07-01实施
中华人民共和国电子工业部部标准半导体达林顿型光耦合器www.bzxz.net
SJ2220-82
本标准适用于GH331型半导体达林顿型光耦合器，该产品主要用于稳压电源、光电开关、逻辑电路、光削波器、功率计、限幅器等方面。1产品除应符合本标准规定外，还应符合S」2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》的规定。
2产品外形尺寸应符合部标准SI2247一82《半导体光电器件外形尺寸》的规定。3环境试验项目的顺序及环境试验的考核标准按SJ2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》第3.2.2、3.2.3、3.2.4款的规定。4技术要求和试验方法
4.1产品电参数应符合电参数规范表的规定，测试方法应符合部标准SJ2215一82《半导体光耦合器测试方法》的规定。
4.2振动强度试验、机械冲击试验、变频振动试验、温度冲击试验、湿热试验后，测试产品的JS参数，以不超过电参数规范表的规定为合格。湿热试验后，测试反向截止电流IcEO、反向电流IR，以不超过参数规范表规定值的5倍为合格。4.3引出线试验，按S」2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》第2.6、2.7条规定执行。4.4高温性能试验S」2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》13条，将产品置于85±2℃的环境中，加电参数规范表规定的反向工.作电压，保持30分钟，测达林顿型三极管反向截止电流IcEO<500A，二极管反向电流IR以不超过电参数规范表规定的5倍为合格。4.5低温性能试验：按SJ221382《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.14条，将产品置于-40±3℃的环境中，放置30分钟，按参数规范表测试条件进行测试，正向压降VF、饱和压降VcE(sat<规定值的1.2倍为合格。
4.6工作寿命试验：按SJ2213一82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.10条。试验后，测试产品的JS类电参数应符合电参数规范表的规定值，其中允许三极管的反向截止电流IcEO、二极管ACTR
的反向电流IR不超过规范值的2倍，电流传输比的变化率节输入电流Ir使输出光敏管的耗敏率P=Pe为合格。2
<35%。试验条件VCE=5~10V调
4.7高温贮存试验按S」2213—82《半导体光敏管、光耦合器总技术条件》2.11条产品试验温度为125±3℃，试验后测三极管的反向截止电流IcEO、二极管的反向电流IR不超过参数规范表规定值的2ACTR
倍，电流传输比的变化率一
<35%为合格。
4.8在产品说明书中，一定要提供-40～+85℃的电流传输比的变化参考曲线。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
SJ2220—82
瑞卓中
4009-4
002~000
（A）
SJ2220-—82
附录A
半导体光耦合器参数符号说明
（补充件）
IF正向电流一在被测管两端加一定的正向电压时，二极管中流过的电流。一二极管通过的正向电流为规定值，正负极之间所产生的电压降。VF正向压降一
IR反向电流—在被测管两端加规定的反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。VBR）反向击穿电压一一被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。Ci结电容——在规定偏压下被测管两端的电容值。V(BR)CE集电极发射极反向击穿电压一一发光二极管开路，集电极电流Ic为规定值时，集电极VeE(sat)输出饱和压降—
与发射极间的电压值。
发光二极管工作电流IF和集电极电流Ic为规定值时，并保持Ic/1FICEO反向截止电流——
一发光二极管开路，集电极一发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。
CTR电流传输比
输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比。
ta脉冲延迟时间从输人电脉冲开始到输出脉冲前沿的10%所需的时间。t，脉冲上升时间一从输出电脉冲前沿幅度的10%到90%所需时间。t脉冲下降时间一从输出电脉冲沿幅度的90%到10%所需时间。Ciso入出间隔离电容一一光耦合器件、输人端和输出端之间的电容值。一光耦合器件、输人端和输出端之间的电阻值。Riso人出间绝缘电阻一
Viso入出端绝缘耐压一一光耦合器件、输人端和输出端之间绝缘耐压值。3
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