【电子行业标准(SJ)】 ＣＳ４９型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

中华人民共和国电子工业部部标准CS49型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2106--82
1本标准适用于CS49型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管。该产品主要用于电子设备的开关电路中。
2该产品除应符合本标准的规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。3产品的外形结构和尺寸应符合SJ139一81《半导体三极管外形尺寸》中的S-2型的规定。引出线排列顺序为S、D、G。
4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ1949~1973一81《场效应半导体管测试方法》及SJ2092—82《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A的规定。
各项环境试验后，按顺序测试下列电参数：a.
漏源通态电阻ps（#）：
截止漏电流Ip(am);
栅源截止电压VGs(on);
截止栅电流|Gss;
橱源击穿电压V（BR)GSS
测试结果：rDs(on）、Ip(off)、Vcs(oH)的相对变化均不得超过±30%,Icss、V(BR)Gss应符合规范值。4.3短期寿命试验条件
电压：Vcs=-10V，Vps=0：
b.温度：125℃；
C.时间：240小时。
4.4高温贮存试验条件
温度：125℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为：rps(。n)、Ip(e\、Vesam的相对变化均不得超过±30%为合格。
4.6本标准参数规范的仲裁条件为：a，环境温度：25±1℃；
b.相对湿度：48%~52%
c.气压：860~1060mbar
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线：a.rps(o.)-
b.rps(on)-
-I。曲线；
-T。曲线；
c.Ipss--T曲线：
d.Ves(ot)
-T。曲线；
e.I,--Vps曲线。
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1982-12-01实施
SJ2106-82
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