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【电子行业标准(SJ)】 CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

本网站 发布时间: 2024-07-13 20:37:05
  • SJ2101-1982
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 2101-1982

  • 标准名称:

    CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1982-05-15
  • 实施日期:

    1982-12-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    135.12 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理

关联标准

  • 采标情况:

    MIL-S-19500 NEQ

出版信息

  • 页数:

    2页
  • 标准价格:

    8.0 元

其他信息

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SJ 2101-1982 CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管 SJ2101-1982

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国电子工业部部标准CS44型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2101-82
1本标准适用于CS44型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管。该产品主要用于电子设备的开关电路中。
2该产品除应符合本标准的规定外,还应符含SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。3产品的外形结构和尺寸应符合SJ139-81《半导体三极管外形尺寸》中的B-1型的规定。引出线排列顺序为 S、D、G。
4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ19491973—81《场效应半导体管测试方法》及SJ2092—82《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A的规定。免费标准bzxz.net
4.2各项环境试验后,按顺序测试下列电参数:漏源通态电阻rDs(.)
b.截止漏电流Ip(o):
栅源截止电压Vcs(o1);
d.截止栅电流Icss;
栅源击穿电压V(BR)GSS。
测试结果:rps(。.),ID(oH)、VGsron>的相对变化均不得超过±30%,Iess、V(BR>Gss应符含规范值。4.3短期寿命试验条件
电压:Ves=-10V,Vps=0:
b.温度:175C;
c时间:240小时。
4.4高温存试验条件
温度:175℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为:rps(。)、Ip4.6本标准参数规范的仲裁条件为:a,环境温度:25±1℃;
b.相对湿度:48%~52%;
c.气压:8601060mbar。
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线:I,曲线:
a. TDston
b. rps(an)
-T.曲线:
Ipss—T。曲线;
d.Ves(om--T.曲线:
I,VDs曲线,
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件。中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1982-12-01实施
SJ2101-82
A8--(O)S0
AOT=SGA
0=(*)S2
A0-=S0A*0=S0A
(ro)sa
AOTSAA
A8-=S0A
AOTSaA
sse(ue)s
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