【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路多层陶瓷双列直插外壳详细规范

中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T10175~1017691
半导体集成电路外壳
详细规范
1991-05-28发布
1991-12-01 实施
中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准半导体集成电路多层陶瓷双列直插外壳详细规范
Drtnil spesifieution of mululuyerceramic dual in-linc package far semicnnductor integrated circuitsSF/T10175—91
本规范规定了半导体成电站多层内瓷双划插外点山双质量评定的全部内穿本规范符合G664导体架战电路外尧总现范的翌求，中华人民共和国机械电子工业部1991-05-28批准1991-12-01实施
SJ/I 1017591
中华人民共和国机越电子工业部评定外壳质量的依据
自B649半导述成电照外完总划
实层断瓷效列直插外壳(型）详细规范订货资料，见本规范第7章
1机械说明
外形依据：
GB7092(半导体塑减也路外形尺寸3.结构图，学部件图：见本规范第4，引出端让别标患：见本规范第4.2条，外范表面镜涂底座及垫板应链镍，金简要说明
SJ/T1017591
主娶材料
外引，焊接环及盖板，定晓胀食金(4J29就4142)
陶案基体：95A1,U图瓷
封益方法
焊料炼封或平行燃焊
质量评定类别
」、「、装
4外亮结构与尺寸
外壳聚列缔号
JKS-D1
DK8S2-02
H14$2-01
15145202
14$2-03
D16S2-31
D16S2-02
D1BS2-0
D15S2-02
D1BM2-03
J32082-61
L25M2-02
D2-M12-G1
D24L2-02
D24L2-G3
D24L8-04
D28E.2-01
D2BL.2-02
D4DI.2-0I
D4DI.2-02
D42L-01
4.2外壳物和各帮位的尺寸
SJ/T10175—91
9, 30
外完结构和各部位的寸如图1～图4所示，并存合4.1案的规定，所有民寸公券欧务图中注明考外，陶流部分较GB4069电广陶尧零件公稳新级精度计算，金再部分按18044公差与配合木注公差尺寸的极限偏1113级精册计算，未注形位公差接GB1184影状和位量公差木江公差的规定糖度计算。
好恒开
沟究莓
引设梵巢
.54×t
SJ/T10175—91
自0±
图1外尧结构
焊接环
陶究基座
引线框架
引出端识别标志
.2±0.
SJ/T 10175—91
0. 50±0.03
—1)±
图2底座结构
DBS2-0
D05S2-02
D14S2-02
D4S2-02
D14S2-03
D16S2-01
D15-01
D18Sz-02
D1BM2-03
D23S2-0
D22M201
1324M2-01Www.bzxZ.net
[241,2-02
Dz$-03
D24L2-04
D28L2-0:
D28L2-02
T3401.2-01
1401.2-02
TD421.2-01
[04S1.2-0]
SJ/T10175—91
图3盖(—)
图3附表
3. 15 或 c. 30
1或 C. 30
.10 满0. 30
3.10#6.30
310或6.30
2 10或 0. 30
3.10减0.30
10班0.30
0.70 吨0.30
C, JU 啦 U. 3U
J. 1U 啦 U. 30
0.10威0.30
6,1D成D.30
0.1D啦D.30
10 30
G,=0. 1010. 02供平行晚师用.
C,=0. 30±0. 02供焊料射重用。型
Do8S2-31
[308S292
Di4s2-01
D1S9-92
17453-93
1116S2-32
[118S2--3]
D1852-02
18M203
D20S2-1
2nM292
D22M3-51
24M221
D24:2-02
1291301
D2BL2-02
DA2L2-101
4.3尺寸
SJ/T10175-91
盖板(二)
图4时表
心：100.30
=0.10上0.01供平行
缝好用，
0.19或0.30
0,10或0.30
C-0.30去0.02供焊
对整用。
0.10或0.3m
0.10宽0.30
0.11或0.30
0.10或0.30
1.10或 0.80
0.:0或0.80
0.:0 或0. 30
n. 1n或 n. aD
0.10#0.3D
D.iD或b.SD
0.10g6.$0
时来0当心
SJ/T 10175—91
若无其它规定，需要捡查的各部位尺寸，可历满足外壳标情度要求的任何量且选行测盘，其分组如下，
5外观
尺寸群号
Z GK 7093)
面到管面
医止资度
底专对基面的距离
志腔尺于
实引淡注率端尺寸
益版事元
引线长度
引践源世
引线的同医
州线测头型院
对载实部分
整板觉质
蓝坛长爽
5.1外充结构的准括性和装配的准研性要求中
不火于 5. 1Cmnl
应并合压2群放
应符合国2张求
不小于 3. 51%m
符合湿要
应符合显 3 或图 4 ,水
t.53+4.c5ma.
2. 54+$.c5mm
应合用一
=. 20±0.: 0mm
不于1.27mm
虚符合区3或区4要求
用 成医 4要求
5.1.1外亮结构完整，表面清洁、不应站有行物，细迹和指癌等。5.1.2离瓷底座应平整，其平面度不大F0.1rum5.1.3焊接坏与窄芯惊的中心销移不人于0.15mm；烘接环与笼床室Y行度不太于G.lmm.
5.1.4外壳外引线的焊接偏整，8～22引钱外洗外引线上端行焊接环之间距离座大于0.25mm；24线以上光的外引座用瓷底座上平面且不低放降我座厚度均二分之5.1.5外引线中心线陶瓷脂座剧配展化区中心载的偏移应小于外引载宽度能三分之5.1.6外引线上端的商度编差应符合下丧规定，外引峨粒
值券（mm）
两侧任意两根外引线上端的高编应小于.4，0. 5
SJ/T 10175. --91
5.2外走与普的金厚链层应监链种本色，表凹光亮，致密，均勾，不允许发花，恤、起皮，起期脱密（外引线边帮除效！，
53外壳外引线直，小许扎曲，别告，凹陷租画助；毛刺应小于材样厚度的五分之一，5.4外党的压焊端的应无设1宽度三分之一的缺担1在距端部五分之三位量处应有不小于0.35mm×n.3rtm的平，细密的压烊面.5.5外壳态片放真这表面片整，致途1间券面积范国内应无商度大于0.05mm的凸起，5.6外壳的焊接环代盖起封拨他应整，其平面度不大力D.5mm表面不允许有缺边，快角，凹坑利明显的机城到伤1毛划不大丁材料厚度的万分之一，5.7潮瓷底座要求
5.7.1内资满虚正丽允许有克大1：8mm的气迎、班点各1个+或直径本火于0.5mm的气池，斑点各2个
5.7.2随经底座的度向.作管芯对成的范函内：充许有直不大于U.8mm的气泡、爱点各2个或白径不大于0.5mm的气池、率点各4个5.了3图瓷疾密表而幸适道、免泽丝，不允许有缺摄、奖痕，污透和明显的凹坑，凸起。6电特性
净效号
持性和条件
铭装电用
(任意根之司）
引线也雨
每只外充试监不
得少于4报饿其
中享少密包括2报
最长引钱。
订质资料
规范值
最小伯
岩无其他规定，引跑外荒比案少而紧下刻资料：，外的型号：
b.详细范号：
基大值
质量评定英别
高溢老炼料度
SJ/T 10175—91
需要增加和补充的技术来件和试验方法！f.
盖方法，焊料烯封或价链焊。
试验察性和格验要求
差无其他规定,本率引用多数均为GB619的有关条款，检的抽样要求
B组,C组检验的抛样要求
■类外充筛选项目和条件
检验或试验
外部目恰
引用弟神
乘5.1谈
条件和规定
本现第 5 章
SJ/ 10175 -91
所有试腔均为非酸坏性的第3.4.6等）检略来式验
A1分期
外现世验
引线电阻
引用兼款
第 5. 1 条
果 E. E条
K规定Tmh-
本现成年6.2谈
标有(D)的试验为张坏性的（第3.4.5条）控验或试验
D2e外相
纯圾阻
B3分阅
川强度
B4分组
可你性
Ei分组
严度快速变化
然后进行，
限进行，
外观、
染就业风和
赛封益验(F）
引用条粒
第 5. 2岁
来6.1条
第7.1条
第7.12条
第13系
第7.7条
[第 ? 9条
第6多
9 7. 13 4
共充其他或,Famh--xs
主规范第点，条，
至少点。
最外低抽根引（必频包
边境的二根）
拉力14.%
按3C半导体第底电消机摄
,慢式轻方法>率 2. 5. 4 免(b.精街
用院气法
控洲采用急密化合物加巨法。
按CB4590第3.1录
严格度E:—65~+150T:
适坏火放16次
液CB4E30第2.5承
严希复D
规获值
本规范第5章
本规恺帝6.2高
规范信
按本拓临第4.3条
资车规范第5.1录
引线无断翌，动！
与能底座间不出观相对位
绿游好
外壳心险体表
充许漏率
(Pu-En'/n)
5X×10-*
1×1D-
结构完整无损，气密性、跑坏电且在合想带供
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