【国家标准(GB)】 硅单晶抛光片

CB/T12964—2003
本标准修牧采用半导体设备和材料国际组标准FM1M10S97储单品范光规范3中的有关内，对H/129641996进行修订而成的。上要在凉标准的内餐上增加了直径2:10m\\直拉硅单品抛光片的内溶。
本标维由中国有也金属工业协公提出。本标准出中国有色金国一业标雅计基熙量研究所黄责归山。本标准由京有负亲同研究总随落阳单品硅有限责公司负声起车。本标准主要起草人：翘高义、孙版，单益兼，文延、曲孜、外文择。未标准所代学标准的历次服本发布情况为：ti8/T129641991.GB/T129641SS6.1
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硅单晶抛光
GB/112964——2003
木标准规定了硅单品他光片（简起地光片》的必要的相关性术语、产而分类、术要求、乱验方法、检鸿规视则以及标志，有装、运输，存等本标准适用于点拉症单品研磨片经虏蚀减薄后进行单面地光制备的硅担光片、产品上妄用于制作渠成电路等半异达益格或傲为证外延沉积的衬底。2规范性引用文件
下列文性中的杀款通过本标注的引用而就为本标准的策款。孔是注且斯的引用文件·其随后所有的接改单（.小包活划谋的内容）统修订版均不适用于本标准、然而，岐根机本示准达成协吸的各力列究尼告可使用这归支范新版率，下不注日期的用文件，书新版本适出于本标准G/T 1650—1997
GB/T1552
升本征卡导材料导电类型测成方法证销单品心阻率便定点排四探站GH:T5E4
砖品休完整性化平种优脑灿检验方达GR/T 155:
G3/T 15E8-1983
GB/- 2828
GB/T4022-.995
G,T 6616- 331
GB,T 6e18 - :aa5
GH 661S
半导体单品品成测定方法
渔定硅品仁中代位微含量的红务吸收方法遂检计数拍样程序及洲格衣（适用于连续批的险查）群批氧化诱缺陷的险收方达
平与沐连片电塑密及佳荐膜游层电阻制定非按涡流法础片与度杆总厚度变化期试方法硅片奈由度测试方法
硅片涵曲度非接融式测试方法
GB: T 662!—:Q:
表面整测试方法
GR/TE624
G3/T 11U731984
硅范光片表血西盘目险测试方法硅片轻向申阻半变化的测试方法GR/T129/i2—199硅羊品
心材料晶片象考面长度配试方法GB/T133871992
G31H—碑参考面销品学取向X射线量方流GB/工1440113吨片径测品方法光学报彬法GB/T 11: 10.2-1SS
种\直径刻量为法十分尺法
4332-量外收
GB/T -423-—1u93
半导体材料术语
GB/T :13:.—1993
中尽林材料牌号表示方法
YS/26192硅片边缘轮席险验方法3术评
主参考面直径priniaryflatdlameter从孝考面的中心活若下与患多追的自径，通过建片达对面的边谢周过处的直线长度，用），1
CB/T 12964-2003
品！选您
最事些事半编0. 9
主会专间
等十中心
汁：本函以患贫表小的均了川来对准资我户有划创口品片，在测显口尺即尺寸公差时，该拍子还用作有口品片的基准，本用中所的以只，假这对的子径为图1主费考面直径和切口尺寸
硅片切口ninlchonasilicanwafer在硅片上加T的只有规定形状和只，的也措，详见图1bC3mm范光比，划由平行规定的低嫩品问并通过划口心的自径来制定：该自径文棕联向准辅3.3
合格质量区（FA）
fixed quality area
GB/I12964—2003
标称达餐，除去文后，所限实的硅地北表而的中心区减，饺区感内各逐数的值均应符合规定值局部区域site
碰他光片前表而工的一种炬形风域：年形的边中行垂主务考面或划的等分角线：超形内巾心应在FQA内
局部平整庭
site tlulness
在FQA内，局部区域的TIR或FP行中的最大值，4产品分类
4.1分类
科毯片接等类型分为N型，型两种类型：接让单品生长方法分为查效（2）和举区焙(FZ)。
4.2牌号
硅他光片的牌号表示：按GB/1:434-规定。4.3规格
描光片按白轻分为0.8mme.2mm，m125mm利0-m火种规格，5技术要求
5.1物理性能参数
佳施光片的导电类型杂剂、电阻率及其径间变化、少缴转流了态命，率含量碳含量、晶体缺陷应符合T1G2的规定.
5.2几著数
地光片的几他参效应表目的既症表：
硅抛光片儿何尺寸梦整要求
娃片径/arm
立径许整u
片厚度，中心点口
早医允亡综差/rms
总库库变化m天
曲既不太
总产整度(TIR>m.
二卷考面长废：orn
多/Tm
深魔/
十面二径：mm
22. 5± 2. 5
11. #±1. 5
汁：1200mm引物来片的平静变由供需欢力快确会三25
42. 5-- 2. 5
.b±2.1
1. 00±:3
105.53-6.33
220mm引带片的基理标分为有灯的和有参考面的两科有老面的用态考两径农征，5.3品体完整性
5.3.1性地光片的并体完整性应符合GB/112952的规定5.3.2东化诱生缺陷：
CB/T12964—2003
氧化诱中献陷与量体的完悠忙，地力上艺等诸多因素有关，至化诱生缺陷指标山供需双方初布确定
5.4表面取向
5.4.1必光片的表面间11或1111
5.4.2硅掀光片表面取向的偏肉为： 正品向;±, 。
）请品间（111!）主教考的殊片衣回法线沿行土孝考面的平面向最近的心110间询2.59\或40.5，11的违片索前适线没垂再1划口蒸树的学而向被舒近的-.1_3-方向低 2. 3°-0, 5*或 1, 0\±6. 5 .5.5基准标记
150丑口硅抛光片整考血取回及位胃应符合表3和2的规定。表2硅抛光片主副参考面位置
按面效分
:1lu:+1°
:110:±1
:1lu±1°
：对：【的，等效于·以而的,和(品面，对：01猫片，等效于.1.而的4(c11)、(01),(0:3)和(0：品面，土学面
1.型:111:
凡道州于直轻f大下125mmF片
下家考
到卡面
与+考成45=5
可主多海三皮\三
可主多有成
18n=5125m我片）
1315:nm佳片）
新号面
型1111:
图2硅片直径%：15Cmm抛光片主、副参专面位置135
田2<线）
GH/T12364—2003
5.5.2WI范光片分有切口的抛光片和有参考面的地光片两种，均副参号面。口和土参号面位置分别如图：及表3所示。
表3切口及主考面位置
口基市轴取向
主蒙考面笠置
注：对：1.的磁片等效十的和U.品面对)佳片，等效的,>利品。
5.6表面量
硅抛光片表面质量应符合表的热定。表 4 抛光片表面质量目检要求
独直丝/mm
充点：期校沾污)/个/片）
区堪站汀
迪纹，玛
节皮·菠纹
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甘农而必理
最大根陷限
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无注23
(件1)
酸率减商说学、恶院外理书大供法效方商定±，符合是义：且径双要求周迎长厦人(25mm为尚进注2，电丑本不大三00，m的范光F充许白杂场条效。2
GB/T12964—2003
5.7边娠轮廊
硅地光片须经边线阈角，例前行的边嫁轮案应等合YS/TG的现定，特殊要实啡其需双方协曲确淀。
5.B其他
硅撤光儿表面府部平鹿、做小顺校沾行、金展站及激光刻号等要成，出供需双方协商确定，6试验方法
6.1导申型测草按GB/T1550进行。6.2电率量接CB/T6616送行。
6.3径向电阻率变化测层按GH17173进行品向的测量按G1E进行，
6.5参卡面长度彻量按GP/T13397进行6.6主量考面品间滤量接G凡/T：3383进行。6.了主肇考面直径酒量虫供效力商定的方次进行。切口尺寸的测由供端双方协商确定。6.8
6.9品体完整烂检验按GB11554逃行.6.10独光片氧化诱些缺陷B/T4038进行。6.11
直检测量按H14[进行
抛片阅除氧含量的测定要GH/T14148进行6.12
厚度和总厚度变化的测正接（R/TG1只进行。6.13
6.14也测按GR/E进行
6.15平整度测量拟1/T6621进行，6.16表面质量控验按G1/T6621进行。6.17轮那检验力法接YS/T26过行。6.18理产片向部登度（STIR或P1）微小颗粒衍污，会活行的检测方法山共需改方协商7检险规则
7.1检查和验收
71，1产品应主供力技衣（质益>监件部进行检收，保证产品质早符合本标准的规定，并块写产品页章保证书。
7.1.2需方可对收到的产，迷行检验，若检验结果与本环弹尽不符时，应在收票产品之月起3·个月内间供力提出·主供需效力协商滑决。7.2组批
码抛光片以批的形式提义验收，每批底由同·牌号，相同境格的胞光片组成，每批硅片不得少下23片.
7.3检验项目
7.3.1每批地光片拍检的项日
宁电关型品向：品向偏离，电用率范用.径间电阻处化、氧和偿杂质含，厚度，总子度变化，落业度，总平整度月检表而质，化诱尘缺陷·径，丰副李考面位置和长度或次口尺十及主垂考面直径。
7.3.2供智改方协的检验项日
点部平整理，表面敲小疾粒，金测杂质沾污及氧、碳杂质含量。7.4抽检方法
GR/T12964—7003
7.4.1科批产品如底非破以件测量的项日，测安B/T3828一般检含水平Ⅱ，正带检查一次拍样力案进行或由供估收方协商族定的抽样方案进行。7.4.2如属破坏非测量的项日，快测族G/T2828特殊立水半52.下常检查一次抽样方案进行，成由供双力协商确定的拍样方案进行7.5检验结果的判定
7.5.1导电类型、品向检验芳一片不分格.州划滤批产品为不合怖。其他检验项日的个格匠止水半1AQ1.>见表。
表5检测项目及含格质量水平
检短项1
电阻范
径电险化
品向询高
总厚资变化
温自医
径通然
参考面选留
参考面长质或占径：
凯层治
营径酸杂质含
完点（颗轻污）
区深沾号
边，科
：尚有,而.小悟及
刀这杂质等纹
合格星水平32
密it l.u
7.5.2持检不合格的产品，供力可对不合停强进行全数检验除大小合格品后.合格品可以立新纠批。8标志，包裂、运输和贮存
8.1硅抛光片成在超净室内装人专用的抱光片裂运盒外用活净的契粘密封：每个地光片盒成贴有产品签。标等内容至少应包括：产品名款（底号）、欧格，片数，让受及日划：盒再装人定规资的外包装箱，采取防点，所谢拱证。8.2包装内府有装粘单，偏应在“小心经故”“防潮”，“易降”，“队\等标识，标明：）需方名称，电点；
CB/T 12964—2003
产品名际，牌号
产品件数及重（毛重/净章）：
共名称
每批产品应有质盘国明书注明：8.3
供方名！
产品名称及规格、牌号：
产品批号：
产品片数数）：
各项举撤检验结果和检验部门的印记：标编号
g）」R期。
4产品在运输过程中应轻装轮卸，创压创挤，并果取防强防潮消施8.4
产品应忙存在消清、千焕的环境巾，8.5
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