【电子行业标准(SJ)】 石英晶体元件参数的测量 第6部分：激励电平相关性(DLD)的测量

中华人民共和国电子行业标准
SI/T 11212 — 1999
idt EC444-6:1995
石英晶体元件参数的测量
第6部分：激励电平
相关性（DLD）的测量
Measurenient of quartz crystal unit paramentersPart: Measurement of drive lcrel dcpendepce (DLD)1999 - 09 - 26 发布
1999 ~ 12 -01 实施
中华人民共和国信息产业部
一总则
1.1范用
1.2引用标推
2效应
2.1翻率和电阻的可逆变化免费标准bzxz.net
2.2额和申的不可逆位
2.3DLD效应的原因
3I的电
4试验方法
4.1诚验为法（元型网势法）
4.2试验方快B（录药器快）
附录A(标准的附录)
石英品体元件的激励电平和机械位移之闻的关系(1)
本标座等同来用国际电工要员会正C444-6：195《石美品体元件参数的副量第6部分：激励电平框关性(DID)的测量)。这样，使我国石英晶体元件鲁数测量的电于行业标准与EC石粪品体元件数的测量标相一数，以适应此领减中国际技术交滋和经济贺显往来迅速发展的需要，便于我回生产的这类产品质量水平达到国际通周要求并在国际市场流通。本标准与下述五项电子行业标准构成石英晶体元件参数酬燃的完整系列标准，S/亿9154.1-87用元型网络等相位法测盘石英品林元件孝数的第一部分：用元型网势要相位法测量有英晶体元件借据频率和谐振电组的替车力法（EC444-1：1986)
SJ/z9154.2-87用元量网陷零相位测量石英晶体元件参数第二部分：测盘石英晶件元件动态中容的相位偏查法（ictIEC444-2：1980)用型网结孕相位法测量石英品体元件券数第一部分：利用有并电容S1/29154.3-87
补偿的x型别相位张测量频率达200MH的石美品体元件两继网率数的账本方法（试EC444-3：1986)SI/T11210--1999石英晶体元件泰数的需量第四部分：数率达30MTI石英品体元件负载谱握赖率乒和负崧讲据电阻R，前测最方法及其他早出参数的算(dEC444-4：1988)
SJ1L211·[999不英品4元件参数的别量第5部分：采用良动路分析技尽和误差控i.确定等效电参数的方法（dtIEC444-5：1995）本标准史电子工业部标准化研究所归比。本标准由电子工业梯标准化研究所负质起草。本标准主要起草人，求扮、章作、宋慎、逆一林。k kA
IEC前言
1）IFC（国际电工登员会是出国家电工员舍【:画家委员会）的安的此界性标准化组织。[EC的日的是促进电工电子领域中标准化问题的国际合作。为此目的，除其他活动外，正C戈布尽际标准。国际标准的制距旧技术委员会示扭，对所涉及内容关切的迁何IFC国家委员会均可梦加国际标准的制定工偿。与正C有联系的任何国际收府和非官方组职也时以参加际标难的制定，EC与国际探难化织（ISO）根据两维织闻协商谢定的条性保持密切的全作关系。
2）IEC在投术问题上的正式决议或协设，是由对这些，可题特关团的国委员会多的披术委员会制定的，对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。3）这些决议或协傻以标，技术据告导购的形式发布，以推荐的形述供已际上便用，并在此意艾上，为各国家要灵会认可。4）为了定进国际上的统-，各正心国家要员会有责证使其国家和地区标准尽可施采用EC标准。EC标准与村应国家必区标准之间的任何麦外均应在国家或地区标准中指明，国标标准E4M-6出FC竞【燃率拦词和选择用乐底和介电器件）接不委员会制定。
本标证构成石英晶体元件参数测量系列标准的第6需分。第1部分：型网络零相立法副量石英品体元件谱旅数率和谐报也胆的基木方法，出版为TFC444－1（19R6年第二版）
第2部分：测量石美晶体元件动电零相位偏留法，出版为1EC444-2（1986年版）。第」部分：有并电容C。朴偿的元型两格相位法测量凝率达200MH的石英拍体元件两踏路参数的基本方伙，出版为TF444-3（196年版）。第4部分：频字达30MH石英品体元件负载请拆频和负就满摄中组H的测耳方法及其他导出参数的计算，出版为IFC44-4（1988年版）。第5带分；采用育动网路分析益利误差经正确定等效电参数划量品体元件的基准方法，出版为[EC444-5（1995年成）。本标准文本以下列文件为搬：
国际标准草案
49 (c0) 273
我决拟告
49/284/RVL
表京批准本标准的详组资将币在上表列出的表决报告中查与。附录A均取率标准不可缺少的·新分，确：CW，“山为X5其杯中，Pamm端“o-淘
IEC序宣
由于压电效应，激励电平（以晶体元件阅端的内率或电压或通过品体元件的电流表示强追避摄子产生机械裁落。在这个过程中，所速度功转换为动和弹性催，功耗转换为热。启者的转换是由干石英偕报子的内部和外部库撕所疮成的。摩撼损耗与握动质点的速虚有关，当渠获不再是线性的，变当石英错搬子内部或其表面及安微点的拉神或应变，位群或所速度达到临界速度时，障搬损耗将增加（见附录A)。因而引起电阻和率的变化，并且，出这些参数与盘度有关，从而引起电阻和频本的进一步变化。
高激励电乎（如AT切晶体元件在1mW或Im以上）时，可以在所有品体元件上规案到这些变化，制且，它们还会造成振幅和翻率的不可逆变化。激励电平再增加就可筛酸坏谢振了。
除.上述效应外，对某此品体在低激励电平【如T切靠体元件在1W或50A下）时也可以观赛到期率和自阻的变化。这种情况下，若环路增益不足，起娠很困难。在品体越被器中，传输衰耗和被动就会发尘变化。此外，婉足的握动握式与其它模式（如谐振了本身、裁架和回填气体）之间的糊合也与激励电平有美，由干这些模式有不尚的制度均应，因北，在窄温范明内，这些帮会使规定模试的率和电阻变化证人。这护变化随激励中平的增加而港加。但景，在EC444的本部分中将不对该效应做进一步的研究，iIYKeSKA
中华人民共和国电子行业标准
石英晶体元件参数的测量
SJ/T11212-1999
d1E444-e：1995
第6部分：避励电平相关性【DL的规测Measurement af gartz cryatal wnit parameers -Parto:Measurement of drive levd depeodence(DLD)总
1.1萨用
本标准适用于石英品体元件励电平相关性（们）的测盘。本标准规定两种试验方适。方法A，以5J/Z9154.1-8了的元双网络为其磁，适同丁该标难所覆益的替个赖率范图方法B，是据劳器法，适洲下固定条件下大批最基频石英品体元的测量。1.2、判用标准
下列引用标准所包含的条文，通过在本标准中引用而物成为本标准的象文。本标准出版时，所示版本每为有效。所有引用标准都会被样订，使用本标难准的各方应探过，使用下列引用标谁量新妞本的可能性
S/么9154石美品体元件每微的测量S1/29154.1-用元型网络零相位法测量石英品体元件参数第1部分：月元型网结零相空法测量石英晶体无件谐振频率环振电乱的基车万法（迅E444-1:1986)
2L效皮
2.1额率和电阻的可逆变化
可逆变化是，分别在齿电平和高电平下进行耳测后，或从最低电平到最商电平及相反做还续或半连续测量后，在同一激电平下出现的赖率和电阻的变化，如果这些变化保持在洲盘准确度的范制内。
2.2瓶率和电阻的人可逆变化
不可逆变化是，在高平下中间测，在低电有率和（或）降的最普变化。供如，低电乎下先前的高电塑在单复谢母时成了低电阻。中华人民共和国值息产业部1999~08-26发市KNKA3
1999 - 12- 01卖辅
SU/T 11212 --- 1999
注：若体元件几天不工作，当其在低电平下再次工偿时，它的电可以返回到高的值。应当特别往意不可逆效虚，因为它会对那些只是在尔工作的靠件性催选成较大的执。
2.3DLD效应的原因
虽热大多数可逆效应是由于品体激随电平过懒引起的，但延不可逆效应则是由于制造的原医进成的，尤其是不完善的生产技术所造成。例如有以下原因：一增操予表面的截粒（由于油、清洗刺、游剂的局部黏附袁静地吸附）；一继摄了的机械损伤（例如，因过于粗整的脚粒选成的划效）：一电轻中含有气体和油（例如，由于燕发期间真空度不良或锻膜速率不合道)一装架时电极接触不良（例如，导电腔金属含量不合适，改有充分地烘烤，或烘烤时过热；此外还育导电胶与电极或支架间的拨触电阻过大)；一支架、电极和右美片之间的机械应力。3DT测量的歌励电平
D测照要施加低邀励电平和尚邀前电平（简且与能的话可以有尽可能多的激励电乎）。高愈励电平是标称激励电平，即后状态下应用的电平。应该往意，这个电中应低于附求A中推导山的量大可用电平。如采设有规定，对于A均品体元件，应该保用品体电流为1m4，相应的速度为0.2v时的标准直，热后月规定的最大和冠小电阻的乎均值引算徽励电平（单位：W），出十测量仪器喝声激值（根据/Z9154.1约在1或10下测量），仅在少数情况下，适过有源或无源测量方法能够确定据药器起报时性现的最小激励也平。对AT切停，速度为0.01m/g，对应于50已证明起元网络测量（见方法A）的实际慎
在下文中，对LLD测量的两种方法进行说明：为法A是以SI/Z9154.1的元型网路法为苯础的，它可以在本标准所覆整的整个赖范用内使用。该方法提供敏励电平的快速选择、前通过三次测量序列测量敏始的石美晶体元件。图1中给出的谐缴电阻容许变化是以不向的测量者对体元性长期考核为基码并证明是晶体元件显示起振状态的可靠的标志图，芳有要，木方齿也可以采同测量许多个不同的谢励电平进行扩展。但是，实际中，大多数情说（见4,1b）是没有必要的。方法B是摄落器依。在经济性力而，该法待财适用于固宽测量条件及大游助电平比）的大批量其顺石美品体元件。在特殊情况，茗推荐的酬基技术不适用，用户可以制作·一个低反馈振荡器，或制作一个适用的越被器。
违议：这两种方显可用丁各类晶体元件，们提，方张A持者用干滤效晶体和比对测量：一方法B推考用于药幕品体利合格或不合格判定划量，2
YKeSHKAE
4试验方法
4.1试验方法A（元型网络替）
）两激断电平试验
SJ/T 11212 —1909
按第3章规定，报据$/么9154.1测量期率和遮振电阻，在低的和高的和率成电平下进行试验。其电流电平的允许幅差为±10%，功率电平的允许们然为±2%1）在[05℃至少存放1d后，在室温至少存放2h，或在室得存荐放一周。2）低激房电平下测量（50)：f,=f，RRne3)高激励电平下测量(Im：于,=f2R,=RAu4）低激励电平下测量（50A）：=h，R,=ga5）算=应小于图1验制战段上络出的展大？值（横率标=）。容许的频本变化1-f1应为5×10\×和，臻非详细规范另有规定。6）计算-R/R应小于（+1）/2，值取图1给H的值（横座标=R）容许期书变化1-1应为2.5×10-×f：除非详细规范另有规定。6）按规范的试验
按）的规定，在低也平到高电平下进行比验，并再返回到低电?。必要时，这两个电平和其他更多的电平及允整，率电迅的允差及忙存年件应在详划范中规定。注：前定的丫曲残已被许多类揭费器用晶体元件积来年经验期的结果证实，大多数情况下，在？值下起振利，但在临界振落器第书中可能出现一些问题。由于不可制适出在托何一亲助电平下谐统电阻均不变的品体元件，推荐的?曲给出的是允许的关系曲。
YKeSKA
抢因比Y
SJ/T 11212 —1999
申迅Rm)
图1电阻R或R,随率励电平相关性变化的敏大容详电阻比4.2试验方法B（振替器法）
为检验整个激电平范国内的1以J效应，4,1中规定的方法是非常不经济的，而且，该方法不适会于100杀的合格或不合势判定试验。下推带的方法谢试品体元件起振期间的最人的起尽很经济前，试方送可用于100%的最后换验，也适于[00必的进货检验。本方法还可以基作为一种夜器，以判断晶体元件是否符合详组规范中执定的R要求，搬荐器中战体元的作用可2表不。4
报落条件：
-环路增益>I，表明1-R1>R
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一提情案愉人的区协信号应当有止确的相位图2搬荡器中的品体元件的接人
当电赔的R。的值小丁晶体元性比时，电路将不产生报凿。起振期间，两体元件的R，相当丁图3所示的惜况。)
团3战体比件码电阻随耗散功率的变化关系 1
正：比成且R，母不可再现的值，因为品体元件的曲线在不间的微量免环中有轻举的请降晶体元竹经数次微量时，好性出编向右或向左缓慢转动取逐游平理。比使=/比拍可施会因每次谢量而不，即使了值达到基一确定有（临界伯）：该比值并不意味著报荡器可能停工作。共成重要的意义晶体元件见现的最六R，与报离器势的-消之间的保险懿度
延议疾序庐取！-R3Rmu，均为，在温准范写内R和及样都会慢辞、FLKONKA
SJ/T 11212 1999
起握期问，谢感电平从低的值（图4曲线因的左期）移向标称渐所电平。翻量原理(见图5)
试验装置由一个在宽温范里具有纯负阻的经过精心设计的晶体振蒂器、一个品体元件耗数动率限值达1mW的反遗网络和一个带有LF目测指示的检测器电龄组成。rF , !
只坏的电的：
图4百类晶体元件花的状态
IYKeSKA
过整电期
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拉技器
学流晶正性
图5试龄方法B的方超图
振站器的负电阻（及其1山矩收水平）因与振蓄器申联的一个正电明器连接心可以改变，用这种方法可以迹择0至2000之间的任一效值。将具有足销低的长值的品体元件连接到试验夹具之间，华会从最初的频声电平（约10-10W至10-\W）开筛到1mW限定点立趣振菌，如图6所示。
起报斯间，品体元件的Rm与控准过的一，变绒比较，并检然出站果且转换以合格不合格判定。
妇果教试验品件元件送到基一DT.值时，抵落幅度可您这不到1W的退定值（图了的刀点）。图了给定的例子中，出建立的振诺弃低得多的激厨电平（A点）结束，还带这种增况下，观禁不山拆诺，与有用非肾灵敏的仪器才留检觉出某些嵌离。若品体元件达到1m自平（B点），E指示灯就照充，所意味替石英品牛元斗的陪报电胚并没有超逆起振期间的折收水半慎。本制最方法的优点是快速、最校推、经济且装量前单，洋细的电路图按图所示，该装氧是市场上可以恶将到的，
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