【国家标准(GB)】 蚀刻型双列封装引线框架规范

中华人民共和国国家标准
蚀刻型双列封装引线框架规范
Specificatlon of DiP leadframes produced by etching1主题内容与适用范围
GB/T 15877-1995
1.1主题内容
本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。
1.2适用范围
本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2引用标准
GB7092—93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113-93半导体集成电路封装术语SJ/Z9007--87计数检查抽样方案和程序3术语,符号、代号
本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4技术要求
4.1设计
引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1引线键合区的量小面积
引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm，长度不小于0.635mm，由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以避免的，并将产生端头倒圆现象，因此在长度计量时应从距端部0.25mm处起进行计算。4.1.2金属间的间隔
引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之闻的距离不小于0.15mm4.2引线框架形状和位置公差
4.2.1引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%。4.2.2引线框架的卷曲应小于标称条长的0.3%。4.2.3引线框架的横弯
引线框架的最大横弯尺寸应符合表1的规定。国象技术监督竭 1995-12 -22 批准1996-08-01实施
引线数
4B 和 48以上
CB/T15B77—1995
24. 64 ~ 25. 40
27.18~~27.94
29. 72~30. 48
32. 26~-33. 02
37.34 ~~38+10
42.42~~43.18
56. 66~58- 42
60. 96-~67. 82
4.2.4引线框架的扭曲应小于0.5mm，4.2.5引线框架的内引线扭曲应不大手0.01mm4.2.6引线框架精压区端头共面性应不小于0.1mm。4.2.7引线框架精压区深度应不大于材料厚度的1/3。横弯（量大值）
4.2.8芯片粘接区的斜度从拐角测量，在每2.54mm长或宽的距离内，对未精压的粘接区，斜度最大为0.025tnm，对精压的粘接区，斜度最大为0.050mm。4.2.9芯片粘接区的平面度
在芯片粘接区的四个固定点（支承条两个连筋）与基准面之间的平面度应符合表2的规定。表2
引线数wwW.bzxz.Net
18~ 64
4.3引线框架的外观
4.3.1毛刺
粘接区平面度
+0. 070/—0. 127
+0. 152/ -0. 076
引线框架连筋内侧的任何位置垂直毛刺不得大于0.025mm，连筋外侧的垂直毛刺和任何位置上的水平毛刺不得大于0.051mm。
4.3.2西坑
在引线键合区端部0.635mm和芯片粘接区周界0.508mm范圈内，不能有直径大于0.013mm，深度超过0.008mm、数量多于1个的凹坑。在芯片粘接区周界0.5mm以内的功能区不能有直径大于0.130mm、深度超过金属材料厚度50%，数量多于2个的凹坑：其余非功能区不能有直径大于0.5mm深庭超过金属材料厚度50%，数盘多于3个的凹坑。4.3.3划痕
在引线框架引线键合区和芯片粘接区有效区域内不能有最大尺寸：0.050mm×0.025mm×0.010mm，数盘多于1个的划痕，其它部位不能有最大尺寸：0.150mm×0.075mm×0.030mm，数量多于3个的划痕。
4.3.4表面缺陷
无镀层部位应呈材料金属本色，无锈蚀、发花等缺陷。4.4引线框架镀层
GB/T 15877—1995
4.4.1镀层厚度
4.4.1.1局部镀金引线框架，其镀金层厚度不小于1.0um。4.4.1.2局部镀银引线框架，其镀银层厚度不小于3.8um。4.4.2镀层外观
键层表面致密，色泽均匀并呈镀层金属本色，不允许有起皮、起泡、剥落、发花，斑点、异物、划伤、沾污、水迹和锈蚀等缺陷。
4.4.3镀层耐热性
镀层经高温试验后应无明显变色.不允许有起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4镀层键合强度
引线框架内的引线键合区应易于键合，键合强度大于40mN。4.5引线架外引线强度
引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。5检验规则
5.1检验批的构成
一个检验批可由一个生产批或由符合下述条件的几个生产批构成。这些生产批是采用相同的材料、工艺、设备等制造出来的+o
每个生产批的检验结果表明材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质b.
量水平，
若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除另有规定外，最长不得超过一个月。5.2检验项目及要求
引线框架的检验项目见表3,标有（D)的试验为破坏性试验，表3中所引用的试验方法系指GB/T14112附录中规定的方法，AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。麦3
检验或试验
形位公差
镀层厚度
镀层耐热性(D)
键合强度()
外引线强度(D)
试验方法
目测或满足测量精度的量
具测素,毛刺按附录 A 的
检验要求
按本规范4.3及4.4:2
用满足测量精度的盘具测
量，金遇间距按附录A的
按本规范 4.1
附录A的A1～A6,A8和
链层测厚仪或其他等效方
附录 B的 B1
附录B的B2
附录B的B3
按本规范4.2
按本规范4.4.1条
按本规范4. 4.3条
按本规范4.4.4条
按本规范 4. 5 条
6订货资料
GB/T 15877-1995
若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料：产品型号规格；
b．数量：
c产品图纸和图号：
d.材料名称和规格，
e。任何其他细节（适用时)。
7标志、包装、运输、贮存
7.1标患
引线框架包装盒上应有如下标志：a。厂名或商标；
b.产品名称、型号、规格，
。产品标准编号；
d、数量；
e.生产日期；
1、检验批识别代码和检验员代号。7.2、包装
引线框架内包装采用中性防潮纸，并保证产品不受污染和不变形。中间包装应采用纸盆和塑料袋，内装产品合格证，并保证在运输过程中不受损坏。外包装采用瓦榜纸箱或木箱，并注明“防潮、防虑”等字样。
7.3运输
产品的包装能适应任何交通工具的运输，并在运输过程中能防止耐淋、受潮和破损。7.4存
7.4.1产品应贮存在环境温度为10℃～35℃，相对湿度不大于80%的通风、干燥、无腐蚀性气体的库房内。
7.4.2自出厂日期起有镀层引线框架保存期为3个月，无镀层引线框架保存期为6个月。附加说明：
本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由宁波集成电路元件厂、西安微电子技术研究所负责起草。本标准主要起草人陈雪尧、王先睿、赦风荣。
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