【国家标准(GB)】 硅抛光片表面质量目测检验方法

ICS29.045
中华人民共和国国家标准
GB/T6624—2009
代替GB/T6624-1995
硅抛光片表面质量目测检验方法Standard method for measuring the surface qualityof polished silicon slices by visual inspection2009-10-30发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2010-06-01实施
本标准代替GB/T6624一1995《硅抛光片表面质量目测检验方法》。本标准与原标准相比主要有如下变化：GB/T6624-2009
修改了高强度汇聚光源照度要求，由不小于160001x改为不小于2300001x；一增加了净化室级别要求；Www.bzxZ.net
扩大了照度计测量范围为0lx～3300001x；增加了测量长度工具；
-更改检测条件中光源与硅片之间的距离要求。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准主要起草单位：上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人：徐新华、王珍。本标准所替代标准的历次版本发布情况为：-GB/T6624—1986、GB/T6624—1995。I
1范围
硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T6624—2009
本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T14264半导体材料术语
3术语
本标准涉及的术语应符合GB/T14264的规定。4方法原理
硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可以产生光的漫反射，且能通过目测观察，据此可目测检验其表面缺陷。
5设备和器具
5.1高强度汇聚光源：照度不小于2300001x。5.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为4301x～6501x。5.3净化室：净化室级别应该与硅片表面颗粒检测的水平相一致，不低于100级。5.4净化台：大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，离净化台正面边缘230mm处背景照度为501x~6501x。
5.5真空吸笔：吸笔头可拆卸清洗，抛光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。5.6照度计：应可测到0lx～3300001x。5.7公制尺：精度不低于1mm。
6试样
按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。7检测程序
7.1检测条件
7.1.1在净化室内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光面朝上，正对光源。光源、抛光片与检测人位置如图1所示。光源离抛光片距离为10cm～20cm。α角建议为45°士10°，β角建议为90°士10°。GB/T6624—2009
7.1.2检测光源分别为
10cm~20cn
真空吸笔
观察者
图1用高强度会聚光检测硅片正面的示意图高强度汇聚光：照度≥2300001x；大面积散射光：照度4301x～6501x。7.2检测步骤
7.2.1用真空吸笔吸住抛光片背面，使高强度汇聚光束斑直射抛光片正面（如图1所示）。晃动抛光片，改变人射光角度，目测检查整个抛光片正面的缺陷：沾污、雾、划道、颗粒。7.2.2将光源换成大面积散射光源，目测检查抛光片正面的缺陷：边缘碎裂、桔皮、鸦爪、裂纹、槽、波纹、浅坑、小丘、刀痕、条纹。7.2.3用真空吸笔吸住抛光片背面，转动吸笔使抛光片背面向上，在大面积散射光照射下，目测检查抛光片背面的缺陷：边缘碎裂、沾污、裂纹、刀痕。检测结果计算
记录观察到的颗粒情况。
记录划道根数。
记录观察到的边缘碎裂、弧坑、波纹、小丘、浅坑、鸦爪、条纹、槽和裂纹数目。9
试验报告
试验报告应包括以下内容：
硅抛光片的批号；
硅抛光片的生产单位；
检测条件；
检测结果；
本标准编号；
检验者签章；
检测日期。
GB/T6624-2009
打印日期：2010年1月27日F002
中华人民共和国
国家标准
硅抛光片表面质量自测检验方法GB/T 6624-2009
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开本880×12301/16
2010年1月第一版
印张0.5
字数5千字
2010年1月第一次印刷
书号：155066·1-39586
定价14.00元
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