【国家标准(GB)】 陶瓷和玻璃绝缘材料 第3部分：材料性能

ICS29.035.30
中华人民共和国国家标准
GB/T8411.3—2009
陶瓷和玻璃绝缘材料
第3部分：材料性能
Ceramic and glass insulating materials-Part 3:Specifications for individual materials（IEC60672-3:1997,MOD）
2009-05-06发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
2009-11-01实施
GB/T8411《陶瓷和玻璃绝缘材料》分为三部分：-第1部分：定义和分类；
第2部分：试验方法；
第3部分：材料性能。
本部分为GB/T8411的第3部分。
GB/T8411.3-2009
本部分修改采用了IEC60672-3：1997《陶瓷和玻璃绝缘材料第3部分：材料性能》（英文版）。本部分的章条编号、标准结构与IEC60672-3：1997完全对应。本部分所采用的术语、符号、单位与IEC60672-3：1997一致。本部分与IEC60672-3：1997的主要差异是：删除了IEC60672-3：1997的前言；一一用小数点“”代替了作为小数点的逗号“，”；一在表1C100组中增加了C121亚组，并增加表注说明与原分类的关系。增加C121亚组的原因是：C121中强度铝质瓷在我国大量使用，但IEC60672将其粗略地归类为C120，实际使用时会产生不便。增加的C121亚组铝质瓷，技术参数对应于GB/T8411.1--1987IV类瓷的技术参数。
本标准代替GB/T8411-1987《电瓷材料》，与GB/T8411--1987相比主要变化如下：将原标准名称《电瓷材料》按照IEC60672改为《陶瓷和玻璃绝缘材料》。一为适应文本采标的需要，按照IEC60672的结构，改原来的两部分为三部分。-一将GB/T8411的适用范围从单纯的电瓷材料扩展到电气绝缘用陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃结合云母和玻璃材料。
本部分代替GB/T8411.1--1987《电瓷材料第1部分：定义、分类和性能》中的材料性能部分。本部分与GB/T8411.1--1987相比主要变化如下：在材料种类上，完全按IEC60672-3的材料种类，从原标准的单一电瓷材料扩充为9类陶瓷绝缘材料和7类玻璃绝缘材料：
—将名词术语与同类专业或行业的统一，如“抗热震性”、“电气强度”等；-材料分类的编号改为与IEC60672相一致。本部分由中国电器工业协会提出本部分由全国绝缘子标准化技术委员会（SAC/TC80)归口。本部分起草单位：西安电瓷研究所、西安西电高压电瓷有限责任公司、南京电器集团有限责任公司、湖南大学、抚顺电瓷制造有限公司、大连电瓷有限公司。本部分主要起草人：谢清云、罗汉英、姚君瑞、袁枫、万隆、蔡克非、张海滨、郭鹏。1
1范围
陶瓷和玻璃绝缘材料
第3部分：材料性能
GB/T8411.3—2009
GB/T8411的本部分规定了各类陶瓷和玻璃绝缘材料的特性和最低性能参数。GB/T8411的本部分适用于电气绝缘用陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃结合云母和玻璃材料。作为指南，本部分列出了一般电气绝缘用材料的分类，同时还列出了用GB/T8411.2规定的试验方法测定的每一亚组或类型材料相关性能的典型数值。这些数值仅适用于特定的试样和试验方法，不能当然地推广应用于其他形状、尺寸或生产方法制备的试样和产品。2分类、特性、最低性能参数
各个亚组（或类型)材料性能参数的典型数值列于各表，表1是各种陶瓷绝缘材料的性能参数，表2为玻璃陶瓷和玻璃结合云母绝缘材料的性能参数，表3为玻璃绝缘材料的性能参数。在材料应用中，往往有一些比较重要的特性，而这些特性构成了该材料性能的最基本要求，表中有下划线的黑体数值就是这类性能参数。某些性能用“最大值”或“最小值”加以注明，这些性能通常在合理选择绝缘材料时极为重要。因此建议把这些特性作为关键性评价指标。与标准本部分要求一致的材料符合标准本部分给定的特性水平。特性水平是在试样上测得的结果，适于材料选用。但是，使用者针对特定应用场合选择材料时，应根据应用场合所必需的实际要求来确定，而不能仅仅根据标准的本部分来确定。GB/T8411.3—2009
开口(显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度，
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
平均线
热膨胀
陶瓷绝缘材料的性能
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
a30~10 (30 ℃~100 ℃)
α30~30 (30℃~300 ℃)
a30~50 (30 ℃~600 ℃)
a3~100（30℃~1000℃)
比热容
30℃~100℃
热导率
30℃~100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值*
耐受电压，最小值
相对介电常数
48Hz~62Hz
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
率的温度
最小值
48Hz~62Hz
200℃
600℃
Cp30~100
入30~100
tanopr
tandik
tandim
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
10-6K~1
Jkg~\K-1
Wm-iK-1
kVmm-1
10-6K-1
按GB/T8411.2—2008中图6的试样所测得的值。C110
硅质瓷
硅质瓷
b该亚组为根据我国情况列人，IEC60672中没有C121亚组。C100
碱金属铝硅酸盐瓷
方石英
瓷湿法
铝质瓷
铝质瓷
中强度
铝质瓷
高强度
锂质瓷
开口（显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度，
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
表1 (续）
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
30~1 (30 ℃~100 ℃)
平均线
热膨胀
α30~30 (30 ℃～300℃)
αa30 ~ 00(30 ℃～600 ℃)
α30~10 (30 ℃~1 000 ℃)
比热容
30℃～100℃
热导率
30℃~100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
率的温度，
最小值
48Hz~62Hz
200℃
600℃
Cp30100
入30~100
tanojk
tandim
Pv,z00
Pv,600
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
Jkg-K-1
Wm\IK-1
kVmm-1
10-‘K-1
滑石瓷
800～900
滑石瓷
8～10
镁硅酸盐瓷
低损耗
滑石瓷
GB/T8411.3—2009
滑石瓷
橄榄石瓷
橄榄石瓷
800~900
800~900|800~900800~900|800~9002～3
GB/T8411.3—2009
开口（显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度，
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
表1（续）
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
ag0~10 (30℃~100℃)
平均线
热膨胀
ag0~300(30 ℃~300 ℃)
a30~50 (30℃~600℃)
αg0~10 (30 ℃~1 000 ℃)
比热容
30℃~100℃
热导率
30℃～100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数
48Hz～62Hz
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
率的温度，
最小值
C,30~100
入g0~100
48Hz~62Hz
200℃
600℃
tanopf
tanoik
tandim
Pv,200
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
Jkg\K-1
Wn-1K-1
10-6K-1
钛酸镁
12～40
钛酸盐和其他高介陶瓷
氧化钛和其他
氧化物
25～50
30～70
Sr、Ca、Bi
钛酸盐
100～
—1200~
-6 000
铁电钙钛矿基
>3 000
开口(显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
表1(续）
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
α3010(30℃～100℃）
平均线
30~300 (30 ℃~300 ℃)
热膨胀
α30~600(30℃～600℃)
30~ 00(30 ℃~1 000 ℃)
比热容
30℃~100℃
热导率
30℃~100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数
48Hz~62Hz
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
率的温度，
最小值
48Hz~62Hz
200℃
600℃
Cp30~100
入30~100
tanopr
tandik
Pv,200
10-K-1
10-‘K-1
10-6K-1
10-°K-1
Jkg-1K-1
Wm-1K-1
kVmm-1
10-6K-1
碱王金属铝硅酸盐
和锆英石瓷
GB/T8411.3—2009
多孔铝硅酸盐和镁铝硅酸盐瓷
C410C420|C430C440C510C511C512C520C530
致密堇致密钡致密石致密锆铝硅酸青石
灰石基英石基
8～12
镁铝硅酸盐基
铝硅酸
GB/T8411.3—2009
开口（显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度，
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
平均线
热膨胀
表1（续）
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
a30~10 (30 ℃~100 ℃)
a30~30 (30 ℃~300 ℃)
430~500 (30 ℃~600 ℃)
a0~100（30℃~1000℃）
比热容
30℃~100℃
热导率
30℃~100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
率的温度，
最小值
(48～62)Hz
200℃
600℃
Cp30100
入g0100
tand,r
tandik
tandjm
Pv,200
Pv,600
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
10-5K-1
Jkg\K-1
Wm~1K-1
kVmm-1
10-6K-1
低碱莫来石瓷
Al2O3含量%
a某些用于金属化的大晶粒材料可能满足不了本强度水平6
高铝瓷
Al2O3含量%
86～95
19～30
开口(显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
表1（续）
（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
ag0~100(30℃～100℃)
平均线热
膨胀系数
aj0~300(30 ℃~300 ℃)
a'30~600(30 ℃~600 ℃)
a30~1 00(30℃~1000℃)
比热容
30℃~100℃
热导率
30℃～100℃
抗热震性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数
介电常数温度系数
损耗因子
20℃时，
最大值bzxz.net
体积电阻
率，直流，
最小值
相应电阻
的温度，
最小值
48Hz62Hz
200℃
600℃
与体积密度有关。
Cp30~100
入30100
tanopr
tano,x
Pv,200
b与是否按热压方向进行测量有关。单位
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
10-6K-1
Jkg-iK-1
Wm\1K-1
kVmm-1
10-‘K-1
非氧化铝单一氧
化物陶瓷
氧化铍
瓷致密
150～220
氧化镁
瓷多孔
GB/T8411.3—2009
非氧化物绝缘用陶瓷
10~50b
氮化硅瓷
反应烧结
氮化硅
瓷致密
2.5~3.5|2.5~3. 5
GB/T8411.3—2009
开口（显)孔隙率，最大值
体积密度，最小值
弯曲强度
最小值
未上釉
弹性模量，最小值
表2玻璃陶瓷和玻璃结合云母材料的性能（带下划线的黑体数值，见本部分第2章）组
30~10 (30 ℃~100 ℃)
平均线热
膨胀系数
α30~300(30 ℃~300 ℃)
as0~ 00 (30 ℃~600 ℃)
a30~1 00(30 ℃~1 000 ℃)
比热容，30℃~100℃
热导率，30℃～100℃
抗热振性，最小值
电气强度，最小值
耐受电压，最小值
相对介电常数，48Hz62Hz
介电常数温度系数
损耗因子，
30℃，最大值
体积电阻率，
直流，最小值
相应电阻率
的温度，最小值
48Hz~62Hz
200℃
600℃
Cp30~100
入30~100
tangjk
tandim
Pv,200
a取决于化学成分和热处理，有时可控。8
10-6K-1
10-‘K--
10-‘-1
10-‘-1
Jkg-i-1
Wm-1K-1
kVmm-1
10-6K-1
玻璃陶瓷材料
玻璃陶瓷
整体型
玻璃陶瓷
烧结型
玻璃结合云母材料
玻璃结合
云母玻璃
GB/T 8411.3—2009
%66~%S6
出审理
192~s\9
90~000
o1~g'8
s°6～8
099~000
t-g-o1
1-g-01
oos\Ad
(0.008～
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