本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、储存及合同内容等。本标准适用于以高纯四氯化锗为原料，经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗。产品供制作还原锗、有机锗、催化剂、光纤用四氯化锗、锗酸铋晶体及化合物晶体等。 GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗 GB/T1106

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓晶片中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于1.0×10 GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 GB/T19199-2003

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8~125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成硅抛光片。 GB/T 129

本标准规定了硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。 GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片 GB/T12

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的半导体级硅多晶。产品主要用于制备硅单晶。 GB/T 12963-1996 硅多晶 GB/T12963-1996

本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂)制备的硅单晶。产品主要供制作半导体器件使用。 GB/T 12962-1996 硅单晶 GB/T12962-1996

本标准规定了可用于定量描述公称圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范 GB/T16595-1996

本标准规定了工业硅的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于在矿热炉内用碳质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅。此种工业硅主要用于配制合金、制取多晶硅和有机硅等。 GB 2881-1991 工业硅技术条件 GB2881-1991