
【电子行业标准(SJ)】 半导体集成电路 JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL锁存器详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 05:48:48
- SJ20291-1993
- 现行
标准号:
SJ 20291-1993
标准名称:
半导体集成电路 JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL锁存器详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1993-05-11 -
实施日期:
1993-07-01 出版语种:
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本规范规定了硅单片JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL镇存器(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 20291-1993 半导体集成电路 JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL锁存器详细规范 SJ20291-1993

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5962
SJ20291—93
半导体集成电路JT54LS279、
JT54LS375型LS-TTL
锁存器详细规范
Detail specificationforJT54LS279JT54LS375types latches of LS-TTLsemiconductor integrated circuits1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部
了批准
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JT54LS279、JT54LS375型LS一TTL锁存器详细规范
DetailspecificationforJT541LS279.JT54LS375types catches of LS---TTL semiconductor integrated cireuits1范围
1.1主题内容
SJ20291—93
本规范规定了硅单片JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL锁存器(以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推存工作条件分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597<微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下:
器件型号
JT54LS279
JT54LS375
1.3.1.2器件等级
器件名称
四R-S锁存器
双2位D锁存器
器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1.3.1.3封装形式
封装形式如下:
封装形式
C20P3(陶瓷无引线片式载体封装)D16S3(陶瓷双列封装)
F16X2(陶瓷扁平封装)
H16X(陶瓷熔封扁平封装)
J16S3(陶瓷熔封双列封装)
注:1)按GB7092(半导体集成电路外形尺寸)。中华人民共和国共电子工业部1993-05-11发布-iiKAoNKAca-
1993-07-01实施
1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下:
电源电压
输入电压
贮存温度
功耗1)
JT54LS279
JT54LS375
引线耐焊接温度(10s)
SJ20291-93
注:1)器件应能经受测试输出短路电流(Ios)时所增加的功耗。1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下:
电源电压
输入高电平电压
输入低电平电压
输出高电平电流
输出低电平电流
工作环境温度
建立时间
保持时间
引用文件
GB3431.182
GB3431.2—86
GB3439—82
GB4590--84
半导体集成电路文字符号
电参数文字符号
半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械和气侯试验方法GB4728.12-85电气图用图形符号二进制逻辑单元GB7092
GB54888
GJB597—88
GJB XXX-XX
3要求
半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
3.1详细要求
SJ20291-93
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸按GJB597和本规范的规定。3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。JT54LS279
逻辑符号
引出端排列
(D、F、H、J型)
逻辑图
212019
10111213
(C型)
iiKAoNrkAca-
JT54LS375
逻辑符号
引出端排列
3.2.2功能表
功能表如下:
JT54LS279
SJ20291-93
口2LE
(D、F、HJ型)
逻辑图(1/2)
910111213下载标准就来标准下载网
(C型厂
图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列人
注:1)当S和R同时回复到高电平时,输出状态不确定。2)对于有S和S的锁存器,表中的S=S.Sg4-
JT54LS375
SJ20291-93
注:H一高电平,L一低电平,Q一稳态输入条件建立前Q的电平,X一任意。3.2.3电原理图
制造厂在鉴定前应将电原理图提交给鉴定机构。制造厂的电原理图由鉴定机构存档备查。
3.2.4封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
表1-1JT54LS279电特性
输出高电平电压
输出低电平电压
输入箱位电压
撤入高电平电流
悬大输入电压下
的输入电流
入低电平电流
输出短路电流2)
电源电流
(若无其他规定,T=-55~+125)Vcc=4.5V,IoH=-400μA,
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,IoL=4mA,
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,Ik=-18mA,
Vcc=5.5V.
Vee=5.5V,
Vcc=5.5V.
iiKAoNKAca-
传输延时间
注:1)
SJ20291-93
续表1-1
(若无其他规定,T=55~+125℃)CL=15pF±10%;
Rl=2kn±5%;
完整的测试条件列于表3。
每次只短路一个输出端。
表1-2JT54LS375电特性
输出高电平电压
输出低电平电压
输入猎位电压
输入高电平电流
最大输入电压下
的输入电流
输入低电平电流
输出短路电流2)
电源电流
传输延迟时间
(若无其他规定,T^=-55~+125℃)Vcc=4.5V,lon=-400μA.
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,loL=40mA
Vn.=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V.Ik=-18mA,
T=25℃
Vcc=5.5V.
Vec=-5.5V,
Vcc=-5.5V,
Ci=15pF±10%;
R=2kn±5%;
注:1)完整的测试条件列于表3。2)每次只短路一个输出端。
3.5电试验要求
LE→Q
规范值
SJ20291-93
器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按表3的规表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的分组
D组终点电测试
注:1)
B级器件
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3,A7,A9,A10,A11
Al,A2,A3
不要求
Al,A2,A3
该分组要求PDA计算(见4.2条)。组(见表3)
BI级器件
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3,A7,A9
Al,A2,A3
A10,A11
Al,A2,A3
表3—1JT54LS279电测试
引用标准
GB3439
(若无其他规定,T。=25℃)
Vcc=4.5V,Vm=2.0V.被测输出端
loH=-0.4mA,S端输入个负脉冲\)Vcc=4.5V,V=2.0V,被测输出端
IoL=4mA,R端输人一个负脉冲1)
Vcc=4.5V,被测输入端Irk=-18mAVce=5.5V,被测输入端V,=7.0V,其余输入端V,=0V。
Vcc=5.5V.被测输入端V,=2.7V,其余输入端V=0V
Vcc=5.5V,被测输入端V,=0.4V,其余输入端V,=5.5V
Vee=5.5V,R输入端V,=5.0V,
S输入端V,=ov,输出端接地
Vcc=5.5V,R输入端V,=0V
S输入端V,=4.5V.输出端开路
除Ta=125C外,参数、条件、规范值均同A1分组。Vik不测除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同A1分组。Vik不测按功能表进行
-iiKAoNKAca-
注:1)
引用标准
GB3439
SJ20291-93
续表3—1
(若无其他规定,T^=25)
Vee=5.0V.
CL=15pF±10%;
RL=2k0±5%;
见本规范图2
TA=125C,条件同A9分组
除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同A10分组脉冲特性:幅度为0~3V:宽度为500ns。sQ
表3—2JT54LS375电测试
引用标准
GB3439
(若无其他规定,TA=25℃)
Vcc=4.5V,D输入端:V,=2.0V(测Q端);
V,=0.7V(测Q端),LE端输入一个正脉冲\),被测输出端1on=-0.4mA
Vcc=4.5V,D输人端:V,=2.0V(测Q端);
V,=0.7V(测Q端),LE端输入一个正脉冲\,被测输出端IoL=4mA
Vcc=4.5V,被测输入端「ix=-18mAVcc=5.5V.被测输入端I,=7.0V
Vcc=5.5V,被测输入端I,=2.7V
Vcc=5.5V,被测输入端
Vc=5.5V,LE输入端,V=4.5V,D输人端
V=0V.(测Q);D输入端V,=4.5V(测Q)被测输出端接地
Vcc=5.5V,LE输入端,V,=0V,D输入端V,=0V,输出端开路
除TA=125C外,参数、条件、规范值均同Al分组。Vik不测除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同AI分组。Vi不测按功能表进行
引用标准
GB3439
SJ20291-93
续表3-2
(若无其他规定,T=25℃)
Vcc=5.0V.
CL=15pF±10%,
R,=2kn±5%
见本规范图2
TA=125℃.条件同A9分组
除T^=-55C外,参数、条件、规范值均同A10分组注:1)脉冲特性:幅度为0~3V;宽度为500ns。JT54LS279
接被测
输出端
LE-→+Q
LE→+Q
规范值
iiKAoNrkAca-
JT54LS375
注:脉冲发生器应具有下列特性:2.7V
SJ20291-93
测试点!
接被测
输出端
tw=40±10ns;t,≤15ns;t,≤6ns;f1MHz。RL=2kn±5%。
CL=15pF±10%(包括探头和夹具电容)。二极管为2CK76。
图2负载线路和波形图
3.6标志
标志应按GJB597第3.6条的规定。3.7微电路组的划分
本规范所涉及的器件应为第11微电路组(见GJB597附录E)。4质量保证规定
4.1抽样和检验
除本规范另有规定外,抽样和检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4.2筛选
在鉴定和质量一致性检验之前,全部器件应按GJB548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。
若无其他规定,表中采用的方法系指GJB548的试验方法。10—
筛选项目
内部目检
稳定性烘焙(不
要求终点测量)
温度循环
恒定加速度
中间(老化前)
电测试
中间(老化后)
电测试
PDA计算
最终电测试
细检漏
粗检漏
B级器件
SJ20291-93
表4筛选程序
条件和要求
B1级器件
试验条件B
试验条件C
(温度:150℃,
时间:24h)
试验条件C
试验条件E,
Y方向
本规范AI分组
试验条件D
(温度:125℃,
时间:160h)
本规范A1分组
5%,本规范A1
分组。当不合
格品率不超过
20%时可重新
提交老化,但只
充许一次
本规范A2、A3、
A7、A9分组
试验条件B
试验条件C
(温度:150℃,
时间:24h)
试验条件C
试验条件D,Y
本规范AI分组
试验条件D
(温度:125,
时间:160h)
本规范A1分组
10%,本规范
Al分组。当不
合格品率不超
过20%时可重
新提交老化,但
只充许一次
本规范A2、A3、
A7、A9分组
可用方法1011试验条件A替
可在“密封\筛选后进行。
引线断落、外壳破裂、封盖脱
落为失效
由制造厂选择是否进行
按本规范图3线路或等效线
若老化前未进行中间电参数
试验,那么老化后A1分组检
出的失效数也应计入PDA内
本项筛选后,若改变器件的引
线涂覆或返工,则应再进行
A1和A7分组试验
iiKAoNKAca-
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SJ20291—93
半导体集成电路JT54LS279、
JT54LS375型LS-TTL
锁存器详细规范
Detail specificationforJT54LS279JT54LS375types latches of LS-TTLsemiconductor integrated circuits1993-05-11发布
1993-07-01实施
中华人民共和国电子工业部
了批准
中华人民共和国电子行业军用标准半导体集成电路JT54LS279、JT54LS375型LS一TTL锁存器详细规范
DetailspecificationforJT541LS279.JT54LS375types catches of LS---TTL semiconductor integrated cireuits1范围
1.1主题内容
SJ20291—93
本规范规定了硅单片JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL锁存器(以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范给出的器件按器件型号、器件等级、封装形式、额定值和推存工作条件分类。1.3.1器件编号
器件编号应按GJB597<微电路总规范)第3.6.2条的规定。1.3.1.1器件型号
器件型号如下:
器件型号
JT54LS279
JT54LS375
1.3.1.2器件等级
器件名称
四R-S锁存器
双2位D锁存器
器件等级应为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B1级。1.3.1.3封装形式
封装形式如下:
封装形式
C20P3(陶瓷无引线片式载体封装)D16S3(陶瓷双列封装)
F16X2(陶瓷扁平封装)
H16X(陶瓷熔封扁平封装)
J16S3(陶瓷熔封双列封装)
注:1)按GB7092(半导体集成电路外形尺寸)。中华人民共和国共电子工业部1993-05-11发布-iiKAoNKAca-
1993-07-01实施
1.3.2绝对最大额定值
绝对最大额定值如下:
电源电压
输入电压
贮存温度
功耗1)
JT54LS279
JT54LS375
引线耐焊接温度(10s)
SJ20291-93
注:1)器件应能经受测试输出短路电流(Ios)时所增加的功耗。1.3.3推荐工作条件
推荐工作条件如下:
电源电压
输入高电平电压
输入低电平电压
输出高电平电流
输出低电平电流
工作环境温度
建立时间
保持时间
引用文件
GB3431.182
GB3431.2—86
GB3439—82
GB4590--84
半导体集成电路文字符号
电参数文字符号
半导体集成电路文字符号引出端功能符号半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理半导体集成电路机械和气侯试验方法GB4728.12-85电气图用图形符号二进制逻辑单元GB7092
GB54888
GJB597—88
GJB XXX-XX
3要求
半导体集成电路外形尺寸
微电子器件试验方法和程序
微电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
3.1详细要求
SJ20291-93
各项要求应按GJB597和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸按GJB597和本规范的规定。3.2.1逻辑符号、逻辑图和引出端排列逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。引出端排列为俯视图。JT54LS279
逻辑符号
引出端排列
(D、F、H、J型)
逻辑图
212019
10111213
(C型)
iiKAoNrkAca-
JT54LS375
逻辑符号
引出端排列
3.2.2功能表
功能表如下:
JT54LS279
SJ20291-93
口2LE
(D、F、HJ型)
逻辑图(1/2)
910111213下载标准就来标准下载网
(C型厂
图1逻辑符号、逻辑图和引出端排列人
注:1)当S和R同时回复到高电平时,输出状态不确定。2)对于有S和S的锁存器,表中的S=S.Sg4-
JT54LS375
SJ20291-93
注:H一高电平,L一低电平,Q一稳态输入条件建立前Q的电平,X一任意。3.2.3电原理图
制造厂在鉴定前应将电原理图提交给鉴定机构。制造厂的电原理图由鉴定机构存档备查。
3.2.4封装形式
封装形式应按本规范1.3.1.3条的规定。3.3引线材料和涂覆
引线材料和涂覆应按GJB597第3.5.6条的规定。3.4电特性
电特性应符合表1的规定。
表1-1JT54LS279电特性
输出高电平电压
输出低电平电压
输入箱位电压
撤入高电平电流
悬大输入电压下
的输入电流
入低电平电流
输出短路电流2)
电源电流
(若无其他规定,T=-55~+125)Vcc=4.5V,IoH=-400μA,
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,IoL=4mA,
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,Ik=-18mA,
Vcc=5.5V.
Vee=5.5V,
Vcc=5.5V.
iiKAoNKAca-
传输延时间
注:1)
SJ20291-93
续表1-1
(若无其他规定,T=55~+125℃)CL=15pF±10%;
Rl=2kn±5%;
完整的测试条件列于表3。
每次只短路一个输出端。
表1-2JT54LS375电特性
输出高电平电压
输出低电平电压
输入猎位电压
输入高电平电流
最大输入电压下
的输入电流
输入低电平电流
输出短路电流2)
电源电流
传输延迟时间
(若无其他规定,T^=-55~+125℃)Vcc=4.5V,lon=-400μA.
VL=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V,loL=40mA
Vn.=0.7V,VH=2.0V
Vcc=4.5V.Ik=-18mA,
T=25℃
Vcc=5.5V.
Vec=-5.5V,
Vcc=-5.5V,
Ci=15pF±10%;
R=2kn±5%;
注:1)完整的测试条件列于表3。2)每次只短路一个输出端。
3.5电试验要求
LE→Q
规范值
SJ20291-93
器件的电试验要求应为本规范表2所规定的有关分组。各个分组的电测试按表3的规表2电试验要求
中间(老化前)电测试
中间(老化后)电测试
最终电测试
A组试验要求
C组终点电测试
C组检验增加的分组
D组终点电测试
注:1)
B级器件
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3,A7,A9,A10,A11
Al,A2,A3
不要求
Al,A2,A3
该分组要求PDA计算(见4.2条)。组(见表3)
BI级器件
A2,A3,A7,A9
A1,A2,A3,A7,A9
Al,A2,A3
A10,A11
Al,A2,A3
表3—1JT54LS279电测试
引用标准
GB3439
(若无其他规定,T。=25℃)
Vcc=4.5V,Vm=2.0V.被测输出端
loH=-0.4mA,S端输入个负脉冲\)Vcc=4.5V,V=2.0V,被测输出端
IoL=4mA,R端输人一个负脉冲1)
Vcc=4.5V,被测输入端Irk=-18mAVce=5.5V,被测输入端V,=7.0V,其余输入端V,=0V。
Vcc=5.5V.被测输入端V,=2.7V,其余输入端V=0V
Vcc=5.5V,被测输入端V,=0.4V,其余输入端V,=5.5V
Vee=5.5V,R输入端V,=5.0V,
S输入端V,=ov,输出端接地
Vcc=5.5V,R输入端V,=0V
S输入端V,=4.5V.输出端开路
除Ta=125C外,参数、条件、规范值均同A1分组。Vik不测除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同A1分组。Vik不测按功能表进行
-iiKAoNKAca-
注:1)
引用标准
GB3439
SJ20291-93
续表3—1
(若无其他规定,T^=25)
Vee=5.0V.
CL=15pF±10%;
RL=2k0±5%;
见本规范图2
TA=125C,条件同A9分组
除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同A10分组脉冲特性:幅度为0~3V:宽度为500ns。sQ
表3—2JT54LS375电测试
引用标准
GB3439
(若无其他规定,TA=25℃)
Vcc=4.5V,D输入端:V,=2.0V(测Q端);
V,=0.7V(测Q端),LE端输入一个正脉冲\),被测输出端1on=-0.4mA
Vcc=4.5V,D输人端:V,=2.0V(测Q端);
V,=0.7V(测Q端),LE端输入一个正脉冲\,被测输出端IoL=4mA
Vcc=4.5V,被测输入端「ix=-18mAVcc=5.5V.被测输入端I,=7.0V
Vcc=5.5V,被测输入端I,=2.7V
Vcc=5.5V,被测输入端
Vc=5.5V,LE输入端,V=4.5V,D输人端
V=0V.(测Q);D输入端V,=4.5V(测Q)被测输出端接地
Vcc=5.5V,LE输入端,V,=0V,D输入端V,=0V,输出端开路
除TA=125C外,参数、条件、规范值均同Al分组。Vik不测除TA=-55C外,参数、条件、规范值均同AI分组。Vi不测按功能表进行
引用标准
GB3439
SJ20291-93
续表3-2
(若无其他规定,T=25℃)
Vcc=5.0V.
CL=15pF±10%,
R,=2kn±5%
见本规范图2
TA=125℃.条件同A9分组
除T^=-55C外,参数、条件、规范值均同A10分组注:1)脉冲特性:幅度为0~3V;宽度为500ns。JT54LS279
接被测
输出端
LE-→+Q
LE→+Q
规范值
iiKAoNrkAca-
JT54LS375
注:脉冲发生器应具有下列特性:2.7V
SJ20291-93
测试点!
接被测
输出端
tw=40±10ns;t,≤15ns;t,≤6ns;f1MHz。RL=2kn±5%。
CL=15pF±10%(包括探头和夹具电容)。二极管为2CK76。
图2负载线路和波形图
3.6标志
标志应按GJB597第3.6条的规定。3.7微电路组的划分
本规范所涉及的器件应为第11微电路组(见GJB597附录E)。4质量保证规定
4.1抽样和检验
除本规范另有规定外,抽样和检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4.2筛选
在鉴定和质量一致性检验之前,全部器件应按GJB548方法5004和本规范表4的规定进行筛选。
若无其他规定,表中采用的方法系指GJB548的试验方法。10—
筛选项目
内部目检
稳定性烘焙(不
要求终点测量)
温度循环
恒定加速度
中间(老化前)
电测试
中间(老化后)
电测试
PDA计算
最终电测试
细检漏
粗检漏
B级器件
SJ20291-93
表4筛选程序
条件和要求
B1级器件
试验条件B
试验条件C
(温度:150℃,
时间:24h)
试验条件C
试验条件E,
Y方向
本规范AI分组
试验条件D
(温度:125℃,
时间:160h)
本规范A1分组
5%,本规范A1
分组。当不合
格品率不超过
20%时可重新
提交老化,但只
充许一次
本规范A2、A3、
A7、A9分组
试验条件B
试验条件C
(温度:150℃,
时间:24h)
试验条件C
试验条件D,Y
本规范AI分组
试验条件D
(温度:125,
时间:160h)
本规范A1分组
10%,本规范
Al分组。当不
合格品率不超
过20%时可重
新提交老化,但
只充许一次
本规范A2、A3、
A7、A9分组
可用方法1011试验条件A替
可在“密封\筛选后进行。
引线断落、外壳破裂、封盖脱
落为失效
由制造厂选择是否进行
按本规范图3线路或等效线
若老化前未进行中间电参数
试验,那么老化后A1分组检
出的失效数也应计入PDA内
本项筛选后,若改变器件的引
线涂覆或返工,则应再进行
A1和A7分组试验
iiKAoNKAca-
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