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【电子行业标准(SJ)】 2CZ316型硅中速开关整流二极管详细规范

本网站 发布时间: 2024-07-13 16:49:15
  • SJ2730-1986
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 2730-1986

  • 标准名称:

    2CZ316型硅中速开关整流二极管详细规范

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1986-10-24
  • 实施日期:

    1987-10-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    479.46 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理

关联标准

  • 采标情况:

    IEC/TC47(CO)959 NEQ

出版信息

  • 出版社:

    电子工业出版社
  • 页数:

    10页
  • 标准价格:

    15.0 元
  • 出版日期:

    1987-09-01

其他信息

  • 起草人:

    王恩平、孙志昌、黄宗芬、李新华
  • 起草单位:

    天津第三半导体器件厂
  • 提出单位:

    中国电子技术标准化研究所
  • 发布部门:

    中华人民共和国电子工业部
  • 相关标签:

    中速 开关 整流 二极管 详细 规范
标准简介标准简介/下载

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标准简介:

标准下载解压密码:www.bzxz.net

在彩色电视机及其它无线电电子设备中作中速开关或整流用。 SJ 2730-1986 2CZ316型硅中速开关整流二极管详细规范 SJ2730-1986

标准内容标准内容

部分标准内容:

中华人民共和国电子工业部部标准2CZ316型硅快开关整流二极管详细规范中华人民共有国电子工业部
密件压置证宝是据:
G3 4936.1-85
《半导体分立器件总规范》
2CZ316型建快开关整流二极管详细规范订货资料:见本规范第7章
1机设说明
外形符合GB7531-87中D2-08A
的要求(见本规范第10.2条)
SJ2730-86
2简略说明
华静体料:N型硅单晶
针表:非腔塑料封装
SJ2780--86
应用:在彩色电视机及其它无线电电子设备中作快速开关或整流用。
3质量评定餐别
参老致绍
2CZ316C
2CZ316E
2CZ316G
2CZ316H
中华人民装和国电子工业部1986--10-24发布VRRM
1987-10-01实施
4毅限债(绝对最大额定值)
SJ2730-B6
除非另有规定,这些极限值在整个工作环境温度范围内适用。款号
工作环境温度
存温度
有效结温
反向重复峰值电压
2CZ316C
2CZ316E
2CZ316G
2CZ316H
反询工作峰值电压
2CZ316C
2CZ316E
2CZ316G
2CZ316H
反向不重复峰值中压
2CZ316C
2CZ316E
2CZ16G
2CZ316H
正向平均电流
在规定的转折点温度Tbret下的平均正向电流(见本规范图1)
测试电路为电阻性负载的单相路。正弦波的导通角为180:
正向(不重复)浪涌电流
正向(不重复)浪涌电流额
定值为:在最大平均正向电流下连续工作之后所加的正弦半波电流(50Hz10ms)的最大
试验时不加反向中低
Ip(Av)
最小值
最大值
电特性
检验要求见本规范第8章
特性和条件
条款号
6标志
SJ2730-86
除非另有规定,Tamb=25℃
(见总规范第4章)
正向电压
正向峰值电压
所加正向峰值电流为\倍最
大正向平均电流。“π”取
反向电流
在VRRM下的聚人反向峰值
电流(正弦半波,50Hz)
Tmb=25℃,无正向耗散
Tamb=125℃,无正向耗散
反向恢复时间
测试时,Ig=50mA
VR=10VRL=75Q
脉冲前沿小于0.5μs
引线长度:10mm散热铜
箔面积5mm×5mm
Reh(s-)
最小值
最大值
试验组别
6.1器件上的标志
在管体上标印完整的器件型号并在管体负极端标一色环,色环和型号的颜色均为银白色。(见本规范10.2条)。
6.2包装盒(箱)上的标志
a。制造厂商标,
b,器件名称、型号、质量类别标志,c,检验批识别代码;
d其它。
7订货资料
订购本产品至少需要以下资料:a。产品名称、型号、质量类别;b订货数量,
c产品详细规范号,
d。其它。
B试验条件和检验要求
SJ2780-86
本章中,除非另有规定,引用的条款号对应于总规范GB4936.1一85的条款号。测试方法引自GB4936.1-85的6.1.1款。A组一巡批
所有试验都是非破坏性的(3.6.6)条
检验或试验
A1分组
外观检查
A2a分组
不工作器件
A2b分组
A3分组
引用标准
除非另有规定,T.6=25℃
(见总规范第4章)
Ipmm4.5A,t=1ms,8=2%
VRM=VRRM正半波,50Hz)
Ipm=4.5A,1u=1ms,8=2%
VRM=VRRM(正弦半波,50Hz)
Ig=50mA
VR=10 V
RL=752
脉冲能沿小于0.05us
最小传
最大借
极性颠倒
SJ2730-86
B组一逐批
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)条
检验或试验
B1分组
B3分组
引用标准
引线弯曲(D)GB4937-85
B4分组
可焊理
B5分组
温度变化
继之以
(GB4937—85
GB493785
IEC68-2
交变湿热(D)
最后测试
同A2b分组
B8分组
电耐久性
最后测试
CRRL分组
GB4938-85
除非另有规定,Tamb=25℃
(见总规范第4章)
试验采用方法1
受试引线数:2下载标准就来标准下载网
外加力:5N
优先采用焊槽法
受试引线数,2
其它要求见本规范附录A
TA=0℃T=100℃
循环次数:10次
严格度:1
采用方式2
严格度,55℃
循环次数:2次
工作寿命
IF(AV)=1.5A
VRM-VRRM
时间:168h
试验时,夹具夹在距管体
10~15mm的引线上。
IpM=4.5A,to=1m5,8=2%
VRM=VRRM(正弦半波.50Hz)
B3、B4、B5和B8分组的属性资料检
极限值
最大值
最小值
无损坏
润湿良好
SJ2730—86
C组一周期
只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)条
检验或试验
C1分组
C2b分组
C2C分组
最后测试
同A2b分组
IEC68-2-
GB4938-85
GB4937—85
GB4937-85
GB4937-85
引用标准
D—042
本规范
附录B
C4分组
耐焊接热(D)
GB4937-85
最后测试
同A2b分组
C7分组
交变湿热(D)
最后测试
同B8分组
C8分组
电耐灰性
最后测试
同B8分组
C9分组
高温贮存(D)
最后测试
同B8分组
C11分组
标志耐久性
C12分组
易燃性
CRRL分组
除非另有规定,T.=25℃
(见总规范第4章)
Tams=125℃
VRM=VRRM(正弦半波、50Hz)
Tamb=25℃
IFSM=50A
周波数和浪涌数均为1
采用方法1A
采用方式2
严产格度:55℃
循环次数:6次
工作寿命
时间不少于1000h
其它条件同B8分组
To=140C
时简不少于1000h
试验采用方法2
溶液,100%三氯乙烯
最小值
最大值
见GB4937—85
C4、C5、C7、C8、C9、C11和C12分组的属性资料要
组验(不至月)
附加资料
电流降额曲线
IRtAV)(A)
外形图
SJ2730—-86
125 TA(℃)
图1电流降额曲线
最小值
负极标念
单位,加租
图2外形图
最大值
美。1加速老化
SJ2730—86
附录A
可焊性试验的补充要求
(补充件)
对于在器件制成后,又进行沾锡(或镀锡)的器件,需做加速老化。其条件是。100℃水蒸汽中置放1小时。
A.2试验方法
:优先采用焊槽法。
b。必要时,可采用润湿称量法。按国家标准GB2423.2—85《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法的可焊性试验方法》进行。润湿过程,按使用非活性焊剂时,在3秒钟内达到理论润湿力的35%。附录B
正向(不重复)浪涌电流测试方法(补充件)
B.1目的
在规定条件下,验证二极管正向(不重复)浪涌电流的额定值。B.2电路图正向(不重复)浪涌电流测试电原理图如下:R1
电路说明和要求
电路说明
电路图
为测试通过被测二极管正向平均电流的仪表P2
为峰值读数仪表或示波器等
为被测二极管。
R3为取样电阻。
为正向平均电流调定电阻。
R2为浪涌电流的调定电阻。
S为控制器
SJ2730-86
G1为向被测管摄供正向电流的电源。G2为向被测管提供正向浪涌电流的电源。B.3.2电路要求
流过被测管的正向平均电流应与正向浪涌电流相位一致(见图B2)(A)
图B2IP与Ips的相位示意图
IFSM—正向浪涌电流
IFM—正向峰值电流
B.4测试步骤
将G1和G2两电源都调至零。
将被测管按其极性标志插入测试台的管座,并检查环境温度。调节G1和R1,使P1上测得的正向平均电流达到规定值。调节G2和R2,使P2上测得的峰值电压达到规定值,此时正向浪涌电流也达到规定值。
开启控制器,按B.5规定的条件对被测管施加正向浪涌电流。根据试验后的测试来验证被测管承受正向浪涌电流额定值的能力。B.5规定条件
正向浪涌电流的数值;
每次浪涌的周波数、浪涌次数和置复率,环境温度;
试验后测试项目、极限值、测试条件。9
附加说明:
sJ2730-86
附录c
国内外型号参考对照表
(参考件)
国内型号
2CZ316
本标准由中国电子技术标准化研究所提出。本标准由天津第三半导体器件厂负责起草。国外型号
本标准主要起草人:王思平、孙志昌、黄宗芬、李新华。10
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