【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ５４９、３ＣＤ５５０、３ＣＤ６４９型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2377-83
1本标准适用于耗散功率为5W的3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面工艺的低频大功率三极管（以下简称三极管）。三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号-般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus)——集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；VcER(sus）-——集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VCBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcBO、VcEo不许降档，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VCBO、VCEO不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍，饱和压降VcEsar不超过规范值的1.2倍，电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品目录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度tw为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线a.
热循环特性曲线：
PcM-Tc的关系曲线；
d。hFE—Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）；IB一VBE的关系曲线；
f.Ic一VcE的关系曲线（Tc为25℃时）；g.IcVBe的关系曲线。
83CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃）
SJ2377-83
150（金属封装），125（塑料封装）-40～+125（塑料封装）
-55~+150（金属封装），
注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Tc=100℃)
Vceotmn
(Te=-55C)
Vagicen
(fe=10MHz)
t=15或直流
Rj（金属封装）
Ranji（型料封装）
试验条件
测试条件
VCE=0.9VCEO
Te=75℃（金属对装）
Tc=75c（塑料封装）
Vce=-10V
VCE--10V
15~30，25~50,40~80，70~140,
120~240,
Vee-20V
Je=-0.15A
VeR=-20V
Ic=-0.15A
注：①B档以上的器件第一个测试点的VcE选在Pem线与Ps:B线的交点处，VcE×Is/B>PcM。②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcEO，此点不应发生二次击穿。minbzxz.net
3CD549
F-1型
铜底座、
3CD550
F-I型
铁试座、
3CD649
S-6型
塑料封装
2377—83
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