【电子行业标准(SJ)】 ３ＣＤ６４７型ＰＮＰ硅外延平面低频大功率三极管

中华人民共和国电子工业部部标准3CD647型
PNP硅外延平面低频大功率三极管SJ2376--83
1本标准适用于耗散功率为1.5W的3CD647型PNP硅外延平面T艺的低频人功率三极管（以下简称三极管）。
三极管除应符合本标准规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的参数符号--般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定，并补充如下符号：VcEO(sus）———集电极一发射极（基极开路时）的维持电压；一集电极一发射极（基极一发射极接电阻时）的维持电压。VCER(SUS)
3三极管的外形结构和尺寸应符合S」139-一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准8.1和8.2条的要求。其测量方法应符合SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外，均以管壳温度Tc为25℃时为准。5环境试验后，三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准8.1条的规定。其中VcRO、VcEo不许降档；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
6功率试验和高温贮存试验后，三极管应符合本标准8.1和8.2条的规定。集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcCEO、发射极一基极电压VEBo应符合要求，其中VCBO、VcEo不许降档，反向电流IcEo不超过规范值的2倍；饱和压降VcE(san）不超过规范值的1.2倍；电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7生产单位在产品月录（或说明书）中提供以下特性曲线：安全工作区（包括直流、脉冲宽度t为1s、100ms、10ms、1ms等）曲线：a.
热循环特性曲线；
PcM一Tc的关系曲线
hFE-Tc的关系曲线（Tc为-55、25、100℃时）IB-VBE的关系曲线；
f.Ic-VcE的关系曲线（Tc为25℃时）g．Ic—VBE的关系曲线。
83CD647型PNP硅外延平面低频大功率三极管参数规范见表1、表2。8.1三极管的最大极限值见表1。中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1984-03-01实施
Pcm(Tc=25℃)
SJ2376—83
150（金属封装），125（塑料封装）-55~+150（金属封装），=40~+125（塑料封装）注：IcM为hFE=5时的集电极直流电流。8.2三极管的电特性见表2。
计量单位
(Te-100℃)
(Tc-55℃)
Veeuan
(f=10MHz）
tw=1s或直流
RAn（塑料封装）
试验条件
测试条件
Veg=0.9Vceo
Tc-75℃（塑料封装）
Ic--0.075A
15~30,
，25~50,
40~80,70~140,
120~240,
VeR=-20V
注：①B档以上的器件第一个测试点的Vce选在Pecm线与Ps/a线的交点处，Vce×s>PeM。②B档以上的器件第二个测试点的VCE>0.9VCEO，此点不应发生二次击穿。
Ic-0.038A
3CD647
S-6型Www.bzxZ.net
塑料封装
2376—83