【电子行业标准(SJ)】 半导体光敏三极管集电极－发射极反向击穿电压的测试方法

中华人民共和国电子工业部部标准半导体光敏三极管集电极一发射极反向击穿电压的测试方法
SJ2214.6-82
本标准适用于光敏兰极管集电极一发射极反向击穿电压VBR)CEo的测试。测试反向击穿电压VBR)CEo总的要求应符合SJ2214.1—82《半导体光敏管测试方法总则》。反向击穿电压V(BR)CEo的测试
2.1定义
在无光照下，集电极电流1.为规定值，集电极与发射极间的电压降。2.2V(BR)CEo的测试原理图应符合下图。A
遮光率
3测试步骤wwW.bzxz.Net
接人被测管后，调节恒流源，使Ic达到规定值，电压表上的读数即为所测反向击穿电压V(BR)CEO。注：有基极引线的光敏三极管按半导体三极管测试方法。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。