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- SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
标准号:
SJ 2214.5-1982
标准名称:
半导体光敏二极管结电容的测试方法
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1982-11-30 -
实施日期:
1983-07-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
35.63 KB

部分标准内容:
中华人民共和国电子工业部部标准半导体光敏二极管结电容的测试方法本标准适用于光敏极管结电容C的测试。1测试结电容C,的要求应符合SJ2214.1一82《半导体光敏管测试方法总则》。2结电容C,的测试
2.1定义
在无光照及规定偏压下被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
遮光罩
选频放大器
鉴频器bzxZ.net
SJ2214.5-82
指示器
调节零位,然后放上被测管,加规定偏压在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
2.1定义
在无光照及规定偏压下被测管两端的电容值。2.2结电容的测试原理图应符合下图。振荡器
3测试步骤
遮光罩
选频放大器
鉴频器bzxZ.net
SJ2214.5-82
指示器
调节零位,然后放上被测管,加规定偏压在指示器上显示出来的读数即为该管之电容值C,。中华人民共和国电子工业部1982-11-30发布1983-07-01实施
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