【电子行业标准(SJ)】 集成电路主要工艺设备术语

中华人民共和国电子工业行业标准SI/T10152--91
集成电路主要工艺设备术语
1991-04-02发布
1993-07-01实施
中华人民共和国机撼电子工业部发布
1、村料制造设备术语
2制服仅普术语
3光期设备术语
4修杂设备求语
5薄膜积议备求诺
6后工序设多本语
?检副设备术语
附录A汉培索引
附英文引
中华人民共和国电子工业行业标准集成电路生要工艺设备术语
Terirs Relatlng to Main Eguipmeat forIuteg rrted Circuit Techaalogtes主题内容与适用范国
SJ/T10152—91
本标准规定了半导体集成电略制道工序主要生产议备的有关术语及定义，本标推活用于牛导体集成电陷制造工序主要生产设备的研究、生产、使用，检验，教和技术交流。bZxz.net
1材料制造设督术语
1.1单品奶crystalgrowingfurnace以高温塔化方法由原材料制备或揭纯单资或化合快导体单品筑的设备。1.t.1直拉单品炉Czochralakicrystalpuller在适当的温度和工作气氛控制下，特特制的础单品打品与培化于内的高览多品硅材料相换触，并在籽品与错圳的相对转中按一定速度重自向上提拉籽品，使建培体不断沿籽品晶体取向结，直锻拉制战单品硅锭的设备，1+1.1.1柑圾cruiale
由石英制成的桃碰装和焙化炉料的容器。1.1.1.2世辆抽crreibleshaft
用来违按培，并带动其按一定速虐升降，转动的部件。7.1.1.3杯晶杆Beed holder
用来装卡杆晶，带动其按一定速度升降，转动，并提拉生长成的单晶绽的部件。1. 1. 1. 4
柠晶行sedtrel
籽晶杆带动籽晶在炉内据拉晶链垂向移动的会火直线距商。1.1.1.5直径自动控系统nutunuteldiametercontroiayarem利用红外成象方法对固一液界而的担度禅度进行监控，以实现品统直择恒定的自动控制装氧。
1.7-1.6品笑直径偏差ingoldiamcte:deviaton在品锭的等径部分，沿回一副母线方向直欲的最大值与最小值之差。1.1.1.7晶体取向crystalorientation又称品向。半导体单品休或品片的品格推列方向。1.1.2盛场直拉单晶护nagrelin:Czochrllk:eryse]pellcr中华人民共和国机械电子工业部1991-04-02批准1991-07-01实施
SJ/T10152—91
外部设有电能铁，以核向或纵司强您场说高炼体动黏带性，抵制熔体对流和将疏的直拉单品炉，
1.1-3悬浮区塔单晶啦门natzuuecrystalgrael在真空或后性气体保护下.用移动的高规感应继面对落轴线垂立的多晶料棒进行自下配上的狭窄区段如热熔化，熔融材料依尊自身表面张力悬浮于原位，并在羚切的：端沿籽品品向结品的运程中得到进步据纯的硅单品生长议备。11.4子东单晶electronbeamcrystalgrowe:文称电子束区城将炼炉，用电子束变击方法对多是硅样进行案区段圳热熔炼的感浮区熔单品炉
1.1.5液封直拉单品linuidecepsulatedCzochralskicrystalpaller利用过压质性气体及测浮于培体表面的范态封益剂来维持合皮象件，外阻止高蒸汽压元案择发+以拉制GAs或其它化合物单品能的直拉单品炉1. 1. 5. 1工作压working pressure反应室内为继持aA的化学台成及掌品牛关案作所充入的情性气停压力。1.1.6离单品炉sigh pressrc cysial aller反应室内两性气体压力在9MPa以上的液真拉草晶炉护。1.1.7中压单邑medium preasu:ecrystal pull:反应室内两性气悼用刀在0.5到2MPa之的滴自拉单品炉，11.8压单品炉loreasrcylller
反应室内情性气件伴压为在9.3MTa左右内液封直拉单晶炉。1.1.9水区炼单最炉，horizontalBridgmancrysta.growcr以密封石英管维持合成和单晶生长条件，以妮形微面石英壶放As、Ga原料，当凌石荧反应荐与军区段加然护按定速度相为水平移动时.高益合成的G点：穿怀即在冷却的阅籽晶品向结晶，并得到证一步提纯的GA9方品尘长设备1.2机sticirgmachinc
将立导本单晶等脆牌材所刮战造当厚度片材的设备。1.2.国片机nnerdiameteraw
利用内刚刃部镀有金钢石细粒的坏形不锈述小片，将半导体单晶，陶等晚硬摔材好判或高精虚游片的设备。
1. 2. 1. 1 主轴 pi1ellr
用以支承和装卡刀环和刀片，并带动其作高速、平慈施转的孕件。1.2.1.2刃环chuck ody
质是在主轴上，用来安装刀片并痣其强紧的都件。1. 2. 1. 3送料系统irndexing ya1em将工件按预定步即愉送到切制位置的分进给装家，系统cugfeadayatc
控制工件以适尝速度切进给及退出的装，1.2.1.5调品机orienatianaseerubly对晶变初剂所雨品南进行出降调整的机均，1.2-1.6谢度监测券图bowtrask test ins11tmr12
SJ/T10152—91
为确定切割表面的宽此状说而对晶体切利过种中刀片的变形轨迹进行观测与整示的户测式记录。
送料量复拥度indexingTepeaulility1.2.1.7
送料系统函次盘复运动的实际步单与设定距的最大差值。1.2-1.B片厚设定范围indexingrBnge送料系统自动工作时一次分皮进给动作的行租，1.2.1.9品问通节范国orientationrange谢晶机构镜X，Y轴乾转时所能达到的册大调整陷皮，1.2.1.10刻行程euttiagtruvel
切割过程中工件轴载利主树拥线相对位移的量大距商。送料进给速度indexingfeedtravel1. 2. 1. 17
划割全过中工件在主轴抽载方问直载运数的尽大距离，1.2.1.12切进给速度nringfeedspee单位时附内切进给系统推送工件逆行切制的移或距高。1.2.1.13切返回速度retused
单位时间内切削进给系统带动工件退回原位的侈选距离。1.2.1.14导轨运动方向自线座sjidewayaovinglineaily导轨在其规定运动方间的实际轨迹对理想轨速的变动避。1.2.2外国片机nutedisuetersay利用外测刃部镀有金网物啦的圆形刀片将半导体单晶等赔硬弹析切制放薄片的设备，
1.3磨机lupping r:lin
利用研害对品片表山进行机械磨削减薄，以获得具有一定厚宽、平行度和糕度要求的品片的表面加工设备。
1.3.1双面研磨机double-sided iappingmacliag利用适当方式驱动品片相对上，下磨盘作行量式或其它形式的运动-X晶片尚侧我面进行高精度机缺磨的的设备。1.3.2单面研机sicgle-sidedappingmacline追使品片相对下磨盘作行置式或其它形式的迈动，对品片的一划表面进行高精度机被磨情的说新。
1.3.2.1同盘加工厚宽编学thiuknessdevialinnnf the sanuebatcl回一批被研磨晶片间的大品片厚店和最品片呼度之落1.4独光设备polishingequipment利用抛光剂对研磨后的晶片进一步除去加工表面残望的机拟狗伤.以低得具有一定平面度和粗槛度要求的品片的表而均工设备，1.4.化学越热光cemicsl-mehaniceclsningmm:i利再化学腐触与机燃作用切结合的原理对品片装面进行抛光的设备。1. 4. 1. 1品片lice
又称裸片，出半导保单品控上切刹下的，或经研房、抛光等后续加工处理的圆盘状半导体单品博片。
1.5例机 edgegrinden
SI/TF015291
为版止如工中的显片碰撼破拥，接危效在达续形不正常生岗意，通过成型硬轮旁测面使品片试嫁恢向锐度障低的备，2制版设备求语
2.1制版设备maakanakingeuipment;hotomesk-makingequipmeat依据架成电路图形设计据，制遭集成电路捷模或中闻博换的系列投登，2.1.1坐标图机cuurdinutograph利月在平台裘面作两维运动，相对直角坐标轴准确定位的划刀，对量于台面上的红膜按设计教据刻线，并龄人工刺膜，以形成适当攻大倍率的掌成电略原图的装置，2.1.1.1原图ariwurk
依据果成电路平邮设计图用剃胺和烈膜方式所复制成的放大红腾图，2. 1. 1.2
线间距误花spanrrorinindeninglinex剂制矩彩图形时，所刻两策对应平行线间实际距商与设宗距离的偏养。2.1.1.3刻圆径换差diametererrorin engraving awi>rk刻制圆形图形时，所刻圆的实际直经与设定真径的偏券。2.1.2数字作议digtizen
以能成电降平面设计图上读收率形细节的座标位置，并将其转化为适当格式的医形数据的装盘，
2-1-3自动制机autonaticdrauph:e在计算机控制产，耳接输人的图形数据，以彩膜、别樊力式制作放大的兼成电陷原图，数以彩危第终图方式在图纸上尝制放大的各图层国形需刻示图的装置，2.1.4初缩掘相桃firstreduzcioncalera文称一次继小期扣机.利用光学成象原理，将免成电路原图按适当比例结小，并成象在轧胶板的感光膜上、以形成中间掩模的大型頭相设备。2.1.4-1感光photoalate;photomaskblaak表面除夏有供剂作光说图形的均空不透明村料属和咳光材料层的玻璃或造明塑料基板，
2.1.4.2乳您板emusionpaataplste以感光乳胶音接做光施模形途厦的感光板，2.7.4.3铭板whrraniun:μwrupaale以络悠光范膜图形除膜层的感光板。2.1.5辆缩相机plotorepeatermaskaleppe:史两分链亲光学成家系逆和程控辅工作会知成将中间神模图形按适尚比制箱小到实际尺计，并按分步需复方式或异函分布方式在乳胶板或努报的整光膜上象为图形陈列以形成来成电踏主掩模的商分现相设备，2.1.5.1激萌头edJea
出单·或忠种光外制作的不同而型领片所组成，精确校正于特定光辑射谐线，并可以该谱将物面图形按一定倍率油晰址缩小呈现存象函前折射光案奖置。2.1.5.2就头分筹率lenresolutionSJ/T10152-97
在标准工艺案件下，愧头在其视场内所能产生的感小图象尺寸，点单位长度可分境的最大线对目。
2.1.5.3铺头实拍分辩率araclill iensTesolxtion在生严工艺条件下，镜头布其规场内实拍的版而上配能产生的小图象尺寸，或单位长度可分辨的最人线对数目。自动调焦系统sutanalie:feicnxsysiten2. 1. 5. 4
传头您面与感光层战象表面自动年台，以得到曾佳欧象分群率的装其。2. 1. 5. 5
自动调然范图autuninaliefucusarigs可自动调节象距的单大距离。
2.1.5.6调热精focusaccuracy
自动或手动调时，实际象距与理起会距的偏书俩您分解率fosusreanlulion
2. 1. 5.7
在调焦范困内，谢焦机构实际调节可分辨的象面小位移觉。2. 1. 5. 8深deprh of foci3
在保证镜头在整个视场内按规定分辨率消晰成案的录件下，象面在需面的前后可秘动的奕医距商。
2.1.5.9异图分布different puttern disiributicr将两种或两种以上的不回中间抵模图形以相同或不阵列缩小成象在同一块主掩接版面上
2.1.5.10版架retieleholder;masichalder将中间撼脱或掩模固定了成录系物面的矩形金属程架。2. 1.5.11
将感光尖持并置改了工作台上，以保持其在成象系统象面的正确位置的遮光腔体。
2.1.5.12热势aak;ploro:nask
叉称光掩模。在避明基板上制作有各种所需屏蔽图形，并精确定位，以用于对光致抗试剂涂甚选择性呼光的图版结构。2.1.5.13中间抱梯reticle
又新初缩版就一次版。中兼改电路原图端小成象或用图形发生器直接创作在感光2.1. 5.14
2. 1. 5. 15
极上.国形尺寸大予或等丁莱成电路实际尺寸的掩模，手接换astermask
文称精络版或母应。将中间掩模图形经分步电急，小皮象在感光报上，图形尺中等丁举成出陷实际尺寸的掩模，二作德workingmaskiwatkinclatc又称工准版由工境模空而成，在染取中路制造中自接用十对网片上的步致抗性剂层进行选摇性喉光的疮类
2. 1. 5. 16
正注光掩棋poeitiveelictcraask及正接模，是有透阅背景印心速明国形的境损，2.1-5.17
nrgulive pholunisk
负生光模
又称负掩模。具有不避明背和透时图形的博损2.1.5.18掩模保护膜2cllicle
5J/T10152--91
由金感架固定在模感中间境模图上方一定高典处，用以伴之免受尘换污菜和工艺接坊的高适光率材料薄膜，2..6分步照机epdeecoea
不携荐，见精缩照相机，
2.1.7掩摄复印maskpnnter
文称制版机，将来底电路主掩机图形进行按印相以克制工作祺的孕洗设备，2.1.7.1携贝力upy Force
互印眼光时，施加于摘模版和感光扳上的正力2.1.8光学图形发先器optiealpatterngcneratar在计算机挖制下，利用可变机根续盘嵌固定图形模块、有光核的工作台及闪光灯的协谢动作，直要或输人的策成电路数据在感光满上顺序障光，并将大量呼光象素拼接盛光整染成电路中间掩梯医形的设备。2. 1.B. 1 X-Y工作台 X-Y s:age, X-Y table又称X-Y工件介：在X.Y方向的适当行程内载动原庭千其上的工件作两维高速运动，并能进行惜晚完位的机据台典。2.1.8.2播宽作台piesinnsage
不推荐，死X-Y工作台。
异轮系统guidance syatera
产请摆，迎，测旅大度变间内保证工炸台面按规定坐标轴内乎德运的承赖和导向机构，
工作台行程atagetrave
工作台作直线运动的最大移动距离、2. 1- &. 5 T作分运动互线性 linearity of stage mo:ion工作台在其线运动范围内的实际运行执近与埋恐运行执迹的量大偏差最。2.1.8.5T作台泛动正交性arthoganality af a:age mticns汇作台在基竭运动范因内作维运动时，其个运动方向的均直线轨迹和多：个运效方向的平均高线热迹的变患与自的差量，2、1.8.7
可康通动系统serdrivingsm
根据定性信息，对运动件进行起、疗、症位控制，并使运试件作相应运动的装量。2 ]. 8. 8工作长加速说siage acceleration在一个运动方向上，工作台单位时间所能达到的速度改变取。2.1.8.9工作台最高违度maxi:nunsagese东人运动方向上，工作负单位时间所能移动的悬大距离。21e10工作台位践atagepoaitianrerole.tian在×厅可或望片尚的实际运录卡，工作台可函复实说的最小轻移量，2.1.8.11作色定位师度stageacuracy作台牢一个运动方应站全行问内的任一点作量复定位时，其变际定这位置与理想定位位暨的符合程度，井忽其实标定安立置的平均值与现想定位位置之偏差来定。
SJ/T 12152-·91
2.1.8.2工位台电复精stagepreciaian工位台在全行程内的任一点作复定位时，其实定位位置与客次定位内平均位置的符合程度并以其实陈定立位配统计分布的两格成三倍标准偏差极限来评定，2.1.8.13光册测长系统gralingneleringaystem以量光册的栅距作长度基谨，通过观悬两光册干涉产生的莫尔条纹的变化量工作台实际位移，并将测得位移量转快为所求信号的装置，2.1.B.14乐光测长系罐lasermeteringsyscen以稳新邀光器的辐射波关作长度垫，通逆微光干涉仪精离熊工作台的实际位移，并将测再立移量转换为所签求信号的装置，2.1.日15湖定图形台fixztiveatage将具有单个或客个特定形状的图形换块放过物面的机构，2. 1. 8. 15
可变孔轻variuuleaperture
称可变秋鞋，小因组可开合的机品刀口或其它件组我，在数而上产生不可矩形基驰图形的机构。
2.1.8.17孔轻变化范围uverturerangc以象面而表示的孔径从是小到总大的变化量。2.1.8.13孔径分率aperureresalution以象面图形贫度表示的控制系统所实定的引径最小位侈量，2.1.8.19亚径程序分辨率averregirugramasereul.tin以象面图形宽度示的控制理序所决定的了径经最/位移量，2.1.8-20孔径小口平行aperirebladeparaJlelix在变化范册内，孔径一对刀「「之间在平行方向上的变动岛。2.1.8.21
代径刀垂直度arerturebladeartiogoality在变化范固内，羽径相邻刀口在方向上的变动量。孔径转动围upcrtureroaticrargc2. 1.8.223
孔径从季位起转到最大的角度变化前。2.1.8.23径转动对中性ap2luremtatianeering孔径中心拒对孔径族转中心的癌移盘。2.1B24亲准精度egis;ralionμrecisiun-种案成中路的套摊携被此正确遇台时，其中一层癌模上的全部功递图形与其担应图形的现根位世的相对前些询差。同机套版描安aachineuverluyprccisio2. 1. 8.25
由-一台制版设备所制作的一种染成电龄的一衰虑惕或血间意接相互正确选时，其各图层相应图形的相对位盗偏差2.1.8.263
异机会放度machine-to-mechineoverlaypreeision由不同制版讯备所前作的一种奥成电路的要境模或六问掩棋柜互正确选合时其各图层相应图形的相对位置消差，2.1.9雅分子激光国形发生牌eximerlaserparierrgene:atal以准分于激光留做内光光源的排燃我绽式或盛光疾纯式光学图形发中器。2.1.9.1准分子微光器x2
SJ/T10152—91
以高递高效电激两含有岗案的适当合气体，使其形成受激二案物，从而产生递紫外波段高能、窄谱，超短脉冲光福射的气体脉冲激光器。2.1.9.2停进哦光atop,expogcandgo每到达一个预定赚光位置，即轻制工作台停止运动，并待光束对其承载的感光板完成困形定位率光后，再驱动下作台移向下一课光位置，以实现项序作图。2.1.9.3行进暖光flaslontle[iy在工作台不停频地诺动的过理中，每当适过一全预定暖光位置的瞬间，即家高能，超光脉冲对其载动的感光版进行同步逐您腰光，以实现顺序作图。2.1.0扫描激光图形发生幕scanningiaserpatterngenerator用计算控制的案焦激光来进行光错扫措，直换按输人的地址和图形数揭对感光板产，井将火量逐光象素摘确拱接成光惜案成电路换模或小H拖换图形的高效牢制版设备：
2.1.10.1声—光过器acouata-opticmodulatur利用超声谈在品体中所形放的分质出度的同期变化他入韩渐光束产生的拓射作用.对激光强度进行数等候制的装置，2.1.10.2声光偏转器acousto-cpticdeflecto利用超百波在晶体中所形成的介质密度的用期企化对入射泄光束产生的衍射来改变懒光束传播方向的装置，
2.1.10.3电声热能器electroacaustictranaduce利用品体材料的电声待性，将电报荡能盘转换为声改报动能基的装罩，2.1.1子来制版系统eleutrunbcammask-mrkirgsyalem用计算机控制的聚焦电子策进行光厨扫描或尖量扫描，直接按输入的地址和图形数据对格板的电于束抗性剂层睡光，将大量光象紊摘确拼摄成究整图形，以制作策成比路土接模的制版设备。
2-1-12激光布线机laserpantogag案用运托性金屏激光化学汽指淀息改二车化硅的促积与选择蚀刻、直接在计算机控制下，按输人的设计数据对通用集成电路芯片制作特定双展金履连图，以完成专用集收心露芯片制造的设备、
2.2搬模格设备maskrepair6yatem与掩模缺陷检香设条联换，科用各种辐射皮适当配用材料对据模或中同掩慎的还明快陷和/或不透明缺陷逆行假复的投备，2.2、1嫩光掩模爆扑设备Laxaraskrrursyytcm双用适当泌长的光对行定金屏有机动反应剂的光化学汽和淀积作册和对掩膜图形材料的热抵发作用，拟聚焦扫描激光末分别是域修克恪掩慎或中面拖模透明缺陷和不避缺陷的设备、
2.2.2聚商子束捷漠修补设备facusedinrheammmnkreauirsystem利比离子术对适当区声剂的化学汽淀积作月比对落润基片减模目恶材料的戳射性刻作用，以亚做来聚焦扫描两子束分别定减峰友势掩模或中向掩慎透明快陷和不透明缺降的设备，
2.2.2.1格致发射离-f源fieldicl5nu:ce8
SJ/T 10152—91
在强电场作用下，直接快气体、减体成困体源材判电离所发射离子的高亮度高子源。2.2.2.2
腋态金届离子源liqcidmelal ionsaarce出火椎发射体、金肩池和引出电维成。以单质金再的塔体故源材料而构成的场致发射离了源。
2.2.2.3源度oureebrightaa
离子源发射表面上单位面积向单位立体角空州所必射的离子束电流温度。3光割设备术语
3.1抗性剂处理及清洗设备rcaiatproccasirgandleaningeguipment光就工艺中，刘圆片进行爆片、下燥、涂胶，前其，显影、坚滤及齿洗等处理的系列或综辅动段备：
3.1.1接片机wafrrwrusber
利州咳制高水种施转的型子除去区片表面动也比污集物的设备。3. 1.1.1圆片wafcr
表面具有造当射加材料层，用以在表层制运案成电将的测盘状半导体单晶品再升3.1.1.2垒片subatrate
又称村虑。置子相同或不同材料之下对其起有为掉或薪座作用的半导体单晶或其化材料构件
3.7.2燃汽预处理机ainainFrerueeagingsyarcm用适当材料的然对涂酸曾的阅片进行化学脱水处理，以增强机蚀剂对圆片的附若力的设备，
3.1.3染胶机photorexist coaelliniuilen利压淡伴的表面张力和网片高座旋转的离心力闪作用，将光致沉剂均幻地亲激在圆片表面的设。
3.1.3.1旋转乐腔spin-caa:anyntag真空废附国片并带效艾高速施转的载结台面，3.1.3.2光致抗独剂tresis:esist文称光刻胶，以适当原变途夏于基片上，径正常噪光和显影后可形成图形层，用来有选择地据级保护基片表而，使被保护区基片在相应工艺流程守免于发生货化的高分子辑射做略村料
3.1.3.3正性光致抗性剂nusitivepaotorcsist又求止胶筛函于基片上，整选择性栖照录记后，其被碍光风域可出思影剂消溶的光致抗独剂。
3.1.3.4负性光致抗独剂
nrgativephctareaiat
又你负胶.原于基片上，经选择生晒顺晖光，其被课光实域可抵抗鼠影的的消浴作用的光致抗蚀剂.
3.1.4istn
不荐，见涂胶机。
3.1.5烘炉baking furnse
通迎红外载或其它热方法，对燃！！，第喀显密后的片进行烘半或竖膜处理的圳势s
SJ/T10152—91
3. 1. 6 显影机Tesist develuping syslerr用显影剂对圆片上呼光形皮的光致抗蚀剂国形诺象进行化学处理，除去可游解材料，使噪光国形实伴化的设寄。
3.1.6-1影development
对经迷择性操光的光致抗蚀剂涂覆层选行化学处理，以局部地脱除光致抗蚀剂，快诺练现出可则图象，
3.7.7超声显影机ultraspnicrcaiatdevelapingsystem利用超声波振离产生的作用力，使显影减空化和乳化，对曝光看的国片星影的投香。3.t.8化学游洗机chemicaleleaner采用漫泡或喷射方法，以清洗流除去面片表面化学污架的设备。3.1.9超声错洗机utrasvaiccleunen利用超声波在按体牙中产生的声滚振离请愿片或绳模表面污染的设备，3.1.10声消洗机megagoniccleRer利用频率20倍于超声波的声波在减体介质中产生的振药清洗圆片表面污架尘块的设备。
3.1.11轨道式圆片自动处州系统watertracksyster在计算机控制下，将对圆片进行精洗、烘干、除政、影、坚膜、刻和去胶等的独立功能部件用传送执道联接起来的抗蚀剂综合处理系统。3.1.12等离子体去胶机plasmareaisistrippingsysten以气悼等商子休使抗蚀刻氧化成挥发性气体而押出的设备。3.2学光设备lxep
习称光学光刻设备利用光幅射对圆片筑蚀剂层进行选择性光化学反，形成沿象，以将境模图形准确衰印圆片上的均工设备。3.2. 1接触式噪光机cantact mesk aligner使电模与圆片精确对准并紧密接触，以拷贝复印方元将掩图形等倍地转印在测片上的光学噪光设备。
3.2.1.1 光树lithographyimicrolithogrephy以腾光或暖光与注划为核心，在图片上制造架成电路函形的系列表面划工工艺。3.2.1.2光exposure
快涂覆在基片上的光致扰独剂或其它感光林料层选择性承受光能或其它蝠限能的作用．
蓓象Jatentimage
地择性呼光后在光蚊抗蚀剂录上系成药相应闭形的隐形困象，3.2.1.4
照明均匀性illuminetianunifornity施源必没射估有效呼光面稳内各点的光通一密度的求一致程度，3.2.1.5曙光燃expaaure
单位面积感光材料在理光中所吸收的光能或其它节照能的总量3.2.1.最小光量minimumexpusu
便给定厚度的正性光致抗蚀越层可怡好生皮完全溶解物质，或使给定厚实的负性光11
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。