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【电子行业标准(SJ)】 非晶硅标准太阳电池

本网站 发布时间: 2024-07-14 13:11:51
  • SJ/T10698-1996
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ/T 10698-1996

  • 标准名称:

    非晶硅标准太阳电池

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1996-07-22
  • 实施日期:

    1996-11-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    121.44 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    建材>>建材综合>>Q01技术管理

关联标准

出版信息

  • 页数:

    8页
  • 标准价格:

    14.0 元

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SJ/T 10698-1996 非晶硅标准太阳电池 SJ/T10698-1996

标准内容标准内容

部分标准内容:

备案号:B1-1997
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10698-1996
非晶硅标准太阳电池
Amorphous silicon reference solar cell1996-07-22 发布
1996-11-01实施
中华人民共和国电子工业部批准TTY KAONT KAca
本标准中电子工业部标准化研究所归口。本标准南开大学光电子游膜器件与技术研究所,电子工业部标准化研究所,有色金属研究总院负责起草。
本标准主要起草人:车长健,纪善粼,王世是,湖汛,由志德。
YYKAoNTKAca
中华人民共和国电子行业标准
非晶硅标淮太阳电池
Amorptumus silican reference salar cellSI/T 10698—1996
本标准规定了非晶硅AM1.S标准太阳I电池(以下管称“非品让际准太阳电池\)的要求,试验方法、检验规则、分类命名以及标志、包装、储存、运输等。本标推还规定了二级非品硅标准太阳也池的标定方法和记录内容。本标准适用于节结和叠限作晶硅太阳可池,不适用于弱光非品硅太刚电地2引用标准
下列标准所包含的条文,适起本标准:引用而构成本准的杀文。本标准山版时,所示版本均为有效:所有标准都会般修订,使用木标准在各力成探讨使用下列标准最新版本的可能性:
GB 11011-89
IFC 904 - 2 - 89
3定义
非品硅太阳电池电性能测试的一般规定标雅太电池药要求
本际准夹用二列定义,
3.弱兆非鼻硅太用向泄
clim ligh: armorphcus ei.icon solar cells指应用十弱光条件下的毕品哇太阳电池。所谓弱光一般背室内人造光源知荧光灯、自灯等所发的光,其光照度在20Lx到1000Lx之可,白天室内故射光亦可看作是泻光条件。前弱光非是硅太阳电池于些应月十中「汀凳器和于于表上。3.2 EVA(ethyler.e - vilyl adletae cupolyners)种聚烯烃兜料,可谱\热熔咬”、义称EVA膜4分类与命名
4.1分类
非晶硅标准太阳池可用绝老爆,筛进的单结和叠层非品硅太阳电池来制作,可以用单品硅太附电池加适当滤光片来制件。非品硅标准太点池分为--级,“级际准太陶电池:由间家专门量单位灶·级和一级标准太阳电池进行标定:
中华人民共和国电子工业部1996-07-22批准TTY KAONT KAca
1996-11-01 突施
SJ/T 10698 -- 1996
一级非晶硅标准太相电活是以国家标准辐射计或其他光能计量标准器具为基准,在自然光或太阳模拟器条件加以标延的专用太阳电池。二级非晶硅标准衣阳电池在白然光或太阳模拟器条件下袋据一级非晶硅标准太阳电池进行标定。
非品标准太阳电站理号命名方头见表1。例:1
第部分
L编号(95年制造、顶序号为1)
表尔哗缩非晶硅太阳电池
表示非品硅模准太阳电池
表示”级”
第二部分
一级非晶,A
桂标滩太
阳中池
二级非品
5要求
5.1外观
硅医准太
E电池此内容来自标准下载网
非晶硅S
淮大阳电
第三部分
单结非品
疆标唯太
石毛池
层非晶
硅标准太
珀中池
第国部分
用四位有前两拉为
效数学表代号,后
两位为顺
非晶硅标准太阳电池表面应完整,清法,无机械损你,电池与基座应粘贴中回,边缘要密。
非晶硅标雅太阳电池的视角应人于160°5.3设计与结均
53.1递作标定用的太即电池的光详响应保证该电池在以后的使用中出于光谱响应不函配而引起的生能灿造误盖不大于±1%。光谱失配误差按GB11011中的险录A计算。5.3.2非晶硅标准太地池采用封装形式,色拍窗门玻璃,太阳电池、金属外壳、滤光片、连接导线及插感、透明胶组成金底外竞的工表面及内麦面应具有不成射的光学特性:温度传感器应紧密附着于衣闪也泄的背表面。封装的具体署求按[EC9042一89第儿章的规定。对丁璃划底非品硅标准太阳电池不需另却窗口侵控玻璃。5.3.3非品成太电池·没山外割成杀状的者下单体电池牢联而放,因晓为作非品硅标准太阴电池的电池应至少包括彼此审联的二个单体回范。5.3.4原节装
用来制作品佳标准太旧范波的品硅电池应进行预封装:预世装用热乐EVA膜或其2
TYYKAONT KAca
秘材料。
5.4老炼与筛选
SJ/T10698-1996
用来制作非晶硅标准太阳电池的单结和叠层非晶硅比池必须进行老炼。选择电性能稳定者作非品醒标准太阳电地,即其光伏特性(主要指短路电流)在老炼的最后一个月内(自然妇光)或最后60h,内(模拟乍光下)的变化值不人于初始值的5%。5.5溢度测量读差
主晶硅太作电池的温度测量误差应不人于土1℃。5.6绝缘电阻
太阳电池、金润外竞以及测温元件二者之间的绝缘电阻应人于100MQ。5.7环境适应能
5.7.1高温贮存
非品硅标准太用电池在温度85℃土2的条件下,存放16h。5.7.2低漏贮存
非晶硅标唯太F出池在温度-40℃=3的条件下,存放16h5.7.3混度冲击
非晶硅标准太拍可泡在湿度-40℃~85℃书条件下,以5/min的温度变化速率循环10欲。
5.7.4强盗湿热
非品硅标准太刚电池在温度40℃=2t,相对湿度90%-95%的环境中放置96h。5.7.5光照
非晶硅标准太阴电池按6.6.5的规定,经受三个光照试验周期。5.8电性能测最
每次闪境试验后,电性能测量的衰退应小于试验前的5%。5.9标定
5.9.1每个非晶违标准太阳电池都应些进行标定,并以标准太阳光谱幅照度分在下每单位幅照度,25℃时的短路电流来表示,即标准条件下的标定值R1.5。5.9.2每饮标定非晶硅标准太门电池时,应记录如下内容:-型号;
电池制造厂名称:
标定植构;
标定地点和说:
标定力法.注明辑射计或标准灯的特、一级标注太阳电池的型号、模拟器特性、温度专感器的类型及技术参数:
一相对光谱响应
短路包流温度系减:
一标准測量策件下的标能值(AW-m):标定准确度:
5.10 维护和使用
5.10.1级非品硅标雅太抑电池的维护级栏晶炜标准太阳电池由标定机构保管。5.10.1.1
TTY KAONT KAca
SJ/T 1069B—1996
5.10.1.2级非品硅标准点阳电池的标定值由至少三只一级非晶硅标准太阳比池保持着。寿隔9如0d用交叉检验的方法检验--级非晶硅标准太阳电池的稳定性。若某只一级非晶硅标准太阳电池的标定值与全部--级非晶硅标准太阳电池标定值的平跨值的偏差超过土1%,则该只非品硅标准太阳电池不能继续作为一级非晶硅标准衣阳电池来使用,应重新标定。5.10.1.3应定期对所有的一级非硅标准太阳电池进行重新标定,间隔不人于2a。5.10.2二级非品硅标准太阳电池的维护5.10.2.1二级非晶硅标准太阳电池使用单位保存。5.10.2.2二级非晶硅标准太阳电池的标定周期为一年。经常处于使用状态的二级标准太阳电注应每半年标定一次。超过标定周期未标定的,不得继续作为二级标准太阳电池使用。5.10.3使用注意事项
5.10.3.1一级非品硅标准太电池主要用于标定一级非品硅标准太阳电池。5.10.3.2非晶硅标准太阳电池在使月过程中,不准接触腐蚀性物质,表面不得有划痕、沾污和报伤。
5.10.3.3在使用中,与非晶硅标谁太阳电泄的连线应由四线制组成。6试验方法
6.1外观
用目测方法检查产品外观
6.2视角
据封装结构图和独位底玻璃厚度进行检测计算。6.3老炼与筛选
非晶硅标准太阳电池的老燃方法,可亡室外自然拍光或室内标准模拟阳光下进行。非品硅太阳自池于开路状态,置于空外自然光照环境下至少「n或在室内标准模拟光照下至少600h,室内老炼要保持电池温度不高了40忙。6.4温度测量误差。
非品硅弥准太阳电池温度润量误差的检查,检查三个温度测量点,即5,室温和60℃将被测电泄先后置于三个不同的温度环境中,待电池温度达到平衡测量环境温度。同时读出非晶硅标准太阳电池内测温传感器的读数。6.5绝缘电阻
采用500V的兆欧表测量。测量时温度应在40亡以下,相对湿度在75%以下,6.6环境适应性
6.6.1高购存
将举品放入温度为85℃土2亡的试验箱内,待箱内温度达到规定值时开始计时,存放16h屑取出。
6.6.2低温忙存
将样品放入温度为—40℃=3亡的试验箱内,待内温度达到规定值时开始计时,在放16h后取出。
6.6.3温度冲击
将试样放人温度调为85七±2℃的高温箱内。待试样温度达到平衡时,将试样取出,在空温停胃1mit:后,放入温度谢为一40亡=2亡的低温箱内。符试伴温度送到平衡时,将试样取TY KAONT KAca
SJ/T10698-1996
li,在温下停留Imin。此为1个循环,共循环10欲。6.6.4稳态源热
将试样放人温度 40 +2℃、相对湿度 0%~95%的试验箱内。待试样温度稳定在 40C±2℃时正始计时,存放 961 届取出。6.6.5光照
将试样誉下幅照度为[000W/mm的ELH灯光下,连续照射20h后,在室内放置4h 为个试验周期。共试验三个周期。6.7电性能测量
非晶硅太退电池性能的测量方法按GB11011第7意的规定。6.8标定
本标准仅对二级非品标准太阳中池进行标定。标定方法按 IEC904 一2-89第 12 章讲。
7检验规则
每个非晶硅标准太拍也池帮需要按表2所列的项日和顺序进行检验,各项检验结果部应符合要求:
检验顶目
源度测量谅差
绝缴电班
环境运应性
8、标志、包装、运输、贮存
要求章茶号
8.1在非晶能标崔太阳电池封装外完的明显部位晰表明其型号方法章茶号
8.2采用适当的包装,确保非晶佳标难太阳电他在运输过程中,不受机械没伤,避免受潮。8.3《一级、二级非硅标准太阻电池伤忙存环境应保证相对湿度低于40%,环境温度在-10T到40C之间,严格避免赋蚀性气体、蚀性物质和强烈光照。
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