【电子行业标准(SJ)】 微电子学光掩蔽技术术语

中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10584—94
微电子学光播蔽技术术语
Terms of photomasking technologyfor microelectronics
1994-08-08发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部发布1.图形术语
2.感光材料术语
3.掩模版术语
4.曦光和蚀刻术语
5．电子束制版术语
6.掩模质量参数术语
7.掩模设备术语·
8.附录A汉语索引（补充件）
a.附录B英文索引（补充件）
(20）
中华人民共和国电子行业标准
微电子学光掩蔽技术术语
Terms of photomasking
technology for microelectronics本标准规定了微电子学光掩蔽技术的有关术语。SJ/T10584—94
本标准适用于微电子学光掩蔽技术的科研、生产、教学、贸易和技术交流。1图形术语
1.1底图masterdrawing
用来制作原图的原始图样。
1.2原图artwork
用绘制方法，或在玻璃板和在薄膜基片上，用切割、剥离掩蔽膜的方法而形成的图形，经接触复印或将其缩小并分步重复照相后，可制成光掩模或中间掩模。1.3布局图layout
以适当位置排列出的单个器件所要求的全部几何图形组成的放大图样。1.4组合图compositedrawing
包含单个器件要求的所有几何图形，并以适当方位排列的放大图样。用作红膜人工切割的准则或计算机辅助设计（参见CAD)的数字化准则，在初缩版产生的各个阶段绘制的一系列彩色图，也可认为是组合图。组合图适用于检查设计误差。注：器件包括分立器件和集成电路。同义词：原图；设计图（工程图）。1.5图象image
布图中呈现的任何单元的几何图形，（1)作为底图或布图一部分的绘制图形。（2)投影在屏幕上或目视的光学图象，通常经过按比例的放大或缩小。（3）被氧化的硅片上刻蚀出的二氧化硅图（含其它介质层）。（4)光掩模上照相底片或干板乳胶层中的图象。（5）涂在基片上的光致抗蚀剂层经曝光和显影后生成的图形。同义词：图形。
1.6功能图形functionalpattern使用光致抗蚀剂涂层的特定制造工序所要求的全体同类图象。如：在蚀刻集成电路的基区氧化层的典型工艺中，功能图形包括呈现在此工序中集成电路布局图上的所有基区扩散电阻窗口、电极窗口、基区测试图以及对准标记。1.7测试图形testpattern
中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01实施
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在光掩模上用于对准、测试或两者兼用的图形。1.8阵列array
作为一个整体呈现在基片上或由分步重复在照相材料上所产生的全部同类功能图形。1.9行row
沿光掩模X轴排列的功能图形族。1.10列column下载标准就来标准下载网
沿光掩模Y轴排列的功能图形族。1.11
基元element
组成光掩模阵列的任一构件。基元可构成用以制造单个集成电路的功能层，或构成供测试用的图形（可代替芯片、管芯）。单元single segment
利用缩图法从原图得到的一个单一功能图形。单一功能图形可以是一个器件或是有一定电学功能的模块。将其分步重复可形成功能图形阵列。1.13功能基元functionalelement构成器件并对该器件执行电学功能所不可缺少的相互邻接的任一构件。例如：扩散区、沟道、栅、电极接触孔等等。不包括划片线、套准标记、标签等。1.14场field
指在器件制造中限定图形不受影响的背景区域。对于用来制备金属互连线的掩模来说，代表无金属的区域即为“场”。图象的极性以场的外观状态命名，即明场、暗场（不透明场）。给场下定义要谨慎，因为某些器件中“场”并不总是代表较大的区域，其整体外观容易搞错。某些器件可能有埋层扩散，如覆盖面积占80%，剩下的20%即“场”。在场区面积小于器件面积50%时，在很多情况下难以区别。这时要确定场，就要根据制造工艺的有关知识。
反义词：有源区；何图形，沟道：扩散区。1.15
间隙space
图形几何结构之间的区域。也称邻近图形间的场。此间隙常规定为极限尺寸。1.16暗区darkarea
掩模中不透光的区域。
1.17透光区transparentarea
掩模中透光的区域。
1.18补偿线serif
原图中用于防止线端倒角的补偿图形。9倒角fillet
在两线条交叉部或线端部因象差形成圆角。图形隔clearance
相邻图形间边缘的最短距离。
交送区overlap
为保证在分步重复中的图形连续性，原图上超出芯片实际边缘的附加区域。1.22X轴Xaxis
平面笛卡尔坐标系的水平轴或自左向右的轴。经分步重复将沿此轴布局为功能图形的2
1.23Y轴Yaxis
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平面笛卡尔坐标系的与X轴正交的纵向轴。经分步重复将沿此轴布局为功能图形的列。
1.24夫琅荷费衍射图FRAUNHOFERdiffractionpattern在成象系统中，当光源和观察衍射平面均与衍射屏距离无限远的场合，所观察到的衍射图。而在成象衍射系统中，来自无穷远处的光源（或通过聚光镜形成的平行光），以过透镜、反射镜聚焦后，在观察平面上也可呈现夫琅荷费衍射图。1.25菲涅耳衍射图FRESNELdiffractionpattern波场中任一点的辐射强度是波阵面上所有次波到达该点所引进振动相干叠加的结果，即呈现菲涅耳衍射图。在无成象系统中光的衍射现象可分为菲涅耳衍射和夫琅荷费衍射两种，前者如同接触复印那样，观察衍射图的平面离衍射屏距离较近，又称近场衍射，而后者为远场衍射。
1.26衍射图空间性spatialdiffractionpattern因衍射波的干涉，在观察平面上产生的光强变化。1.27
空间相干性spatialcoherence
空间不同点电磁的相关性。可用非单色源实现。1.28时空相千性temporalcoherence空间同一点在不同时刻电磁场的相关性，与非单色源有关。1.29刮膜scribing
在制作原图时，把不透明涂层从刻图模基片上刮掉的工艺。例如使用刀状切割工具，并使刀口平搁在基片材料面上进行。1.30刻膜和剥膜cutandpeel
沿选定区域周界剥离柔性透明基片上下不需要部分的漆膜，以产生原图的工艺。1.31过度划刻overcut
用切割工具刻划时超过了图形的边界或刻痕过深而损伤基片。1.32可剥离漆层peelablelacquer在柔性透明基片上涂覆的一层漆膜，刻膜工艺中当刻刀沿某区域四周的刻痕穿过漆膜延伸到基片时，该区域的漆膜可被剥离。2感光材料术语
2.1乳胶
emulsion
在明胶或火棉胶里的银益盐悬浮液。涂覆在基片或感光材料上，经曝光显影可制成光掩模。2.2乳胶板emulsionphotoplate
在半导体掩模工艺中的感光板，在其表面上涂覆了一层可被感光形成图形的感光乳胶，如卤化银乳剂。
同义词：干板；超微粒干版。
2.3感光板photographicplate
涂覆了感光乳胶的硬性透明玻璃或塑料板状材料。2.4敏化感光板sensitizedphotoplate3—
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半导体成象技术中，用辐照敏感材料涂覆的感光板。2.5抗蚀剂resist
在半导体成象工艺中，用来掩蔽或保护衬底材料部分或全部表面，避免其在工艺流程中起变化的一类对辐照敏感并可构成图形的材料。2.6光致抗蚀剂photaresist
又称光刻胶。以适当厚度涂覆于基片上，经正常曝光和显影后可形成图形层，用来有选择地掩蔽或保护基片表面，使被保护的基片表面在相应工艺流程中免于发生变化的高分子辐照敏感材料。
同义词：光刻胶。
2.7正性光致抗蚀剂positivephotoresist涂覆于基片上，经选择性辐照暖光后，其曦光区域可由显影剂溶解的光致抗蚀剂。同义词：正胶。
2.8负性光致抗蚀剂negativephotoresist涂覆于基片上，经选择性辐照曝光后，其曦光区域可抵抗显影剂溶解作用的光致抗蚀剂。同义词：负胶。
2.9匀胶铬板chromiumphotoplate在覆盖铬膜的玻璃（或石英玻璃）基片上涂覆有光致抗蚀剂层的感光板。2.10涂覆coating
用浸渍、喷涂或旋涂等方法在基片表面上覆盖一层光致抗蚀剂的工艺，以及用这种工艺施加的其它覆益。
2.11浸溃涂覆dippingcoating
把基片浸入涂覆材料的溶液中再提起来的操作方法。2.12旋涂spincoating
把滴有液态涂覆材料的基片绕垂直于自身表面的轴旋转的涂覆方法。2.13旋涂胶丝spinwebbing
在旋涂时，从基片表面甩出来的过量的光刻胶细丝。2.14喷涂aprayingcoating
将涂覆材料喷洒在基片上的操作方法。2.15光致抗蚀剂涂覆photoresistcoating把光致抗蚀剂涂在基片上的工艺。2.16光致抗蚀剂固化photoresistcure消除光致抗蚀剂粘稠、柔软、流动性、粘附力差等不良性能的工艺。如高温烘烤工艺。同义词：坚模。
2.17光刻胶前烘photoresistprebake光刻胶涂层曝光前的热处理。
2.18光刻胶后烘photoresistpost-bake光刻胶涂层显影后的热处理。
2.19去胶stripping
全部去除光刻胶的工艺。
2.20去胶溶液strippingsolution4
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可从基片上除去处理后的或未处理的光刻胶的化学溶液。3模版术语
3.1掩模mask
选择性地阻挡辐照或物质穿透的掩蔽模板。3.2光掩模photomask
在透明基板上制作有各种所需屏蔽图形，并精确定位，以用于对光致抗蚀剂涂层选择性曝光的图版结构。
3.3主掩模mastermask
将原版图形经分步重复、缩小成像在感光板上，图形尺寸等于半导体器件实际尺寸的掩模，主掩模也可作为工作版使用。同义词：母版。
3.4过渡版intermediate
感光板上尚未完全缩小的阵列或功能图形版，在制备光掩模版时尚需进一步缩小尺寸。3.5中间掩模reticle
由原图缩小成象或用图形发生器直接制作在感光板上，图形尺寸大于或等于最终所带要的图形尺寸，在投影分步重复曝光中作为原图使用的一种掩模版。同义词：原版，初缩版。
3.6副版submaster
为保证质量从主掩模复制或直接分步重复得到的光掩模，由它再复制工作版。用以降低对主掩模的磨损和开裂。
同义词：次主掩模版。
3.7工作版workingplate
用于在半导体基片上进行选择曝光以制作器件的掩模版。通常由主掩模或副版复制而成，以防主掩模过度使用而损伤。同义词：工作掩模。
3.8光掩模极性photomaskpolarity光掩模的负性或正性。
3.9正性光掩模positivephotomask具有透明背景和不透明图务的光掩模（图1a或图1b）。5
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薄膜侧面
薄膜侧面
图1光掩模极性和取向
3.10正向正性光掩模
correctpositivephotomask
透明背景上的不透明图象，其取向为：若把膜面朝下，看掩模版图象的方位与底图等同（图1a是图1c的反极性，是图1b的镜象）。3.11反向正性光掩模reversepositivephotomask透明背景上的不透明图象，其取向为：若将膜面朝下，看掩模版图象在取向上是底图的镜象（图1b和图1d的反极性，是图1a的镜象）。负性光掩模negativephotomask
具有不透明背景和透明图象的光掩模（见图1d）。3.13
正向负性光掩模correctnegativephotomask不透明背景上的透明图象，其取向为：若把膜面朝下，看掩模版图象的方位与底图相同（图1c是图la的反极性，是图1d的镜象）。3.14
反向负性光掩模reversenegativephotomask不透明背景上的透明图象，其取向为：若把膜面朝下，看掩模版图象在取向上是底图的镜象（图1d是图1b的反极性，是图1c的镜象）。3.15反转极性光掩模reversepolarityphotomask如正向负性掩模相对正向正性掩模那样，阵列的几何方位保持与基准光掩模相同，但极性相反的光掩模。正向正性掩模是正向负性掩模的极性反转掩模（见图1）。3.16镜象掩模mirrorimagemask
保持掩模极性不变，但几何图形相对原来掩模绕Y-Y轴旋转180°形成的掩模。3.17一套掩模asetofmask
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制造某种器件所有层次应必备的全套掩模。3.18器件系列掩模serialmaskofdevice生产一种特定半导体器件所必需的所有掩模。3.19隔离层掩模isolationmask
在集成电路中，为实现各元件间的电绝缘而制作介质层时所用的掩模（介质层通常由扩散制成），其特征是遍及管芯区域的细线方框，这类隔离层通常用于双极型器件，隔离掩模常为一至两层。
3.20接触孔掩模contactmask
在半导体器件制造中，在制作完有源区之后，蒸镀互连金属层之前，先用绝缘层覆盖整个芯片，再在互连金属导体必须同有源区接触位置的绝缘层腐蚀成一些小孔。接触孔掩模即为限定这些小孔的掩模。其特征是整个管芯区域上散布许多小的矩形。3.21X射线掩模X一raymask
由X射线透射膜和X射线吸收物质组成的用于X射线选择曝光的掩模。3.22移相掩模phase-shiftmask
在光掩模中所有相邻的透明区，相间的增加（或除去）一层透明介质层（移相介质层）使透过这些移相层的光相位与相邻透明区的相位差180，利用光的相干性，抵消部分衍射光的扩展效应，从而改变了空间的光强分布，实现了高分辨率成象。3.23涂金属玻璃掩模metalonglassmask以不透光金属膜选择性地覆盖在玻璃基片上所构成的光学掩模3.24双金属玻璃模bimetalmask
在金属膜或金属片上由化学腐蚀形成的掩模，靠第二种金属在一定区域避免其腐蚀。第二种金属一般是淀积或镀覆在第一层上。5三金属掩模trimetalmask
在某些区域有第二层抗蚀金属保护，而第二层金属本身的某些区域又有第三层抗蚀金属保护金属膜形成的掩模。
5基片substrate
是某种放在其它材料之下，起支撑或基础作用的构件：光刻胶基片一一在其上涂覆光刻胶。a.
b.硅基片一在其上进行外延工艺生长硅材料。铬膜、乳胶基片—在其上涂覆铬或乳胶。c.
3.27芯片chip
在半导体圆片上用以制造完整器件的独立矩形区域。3.28管芯die
从半导体圆片上切割下来的有完整功能器件的芯片。4曦光和蚀刻术语
4.1光掩蔽photomasking
产生光掩模并应用光掩模在光致抗蚀剂涂层上开窗口的全部工艺过程。4.2对准align
将光掩模版推至正确的相对位置或方位、使掩模版阵列图形同硅片上已刻蚀好的介质层7
硅图形套准。
4.3套准registration
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在某给定器件的一套掩模正确送加时，其中一块掩模的全部功能图形与其它任一块上相应图形相对位置的准确性。
4.4对准标记registrationmark
用以核对一层掩模相对另一层掩模方位的标记。4.5套版overlay
把器件系列掩模按阵列或子阵列送合以确定其套准情况。4.6步进stepping
使用分步重复方法的一个动作。4.7分步重复stepandrepeat
在感光板或感光片给定区域内，接触复印或投影复印各种单个原始图形，以构成同种功能或混合功能的复式系统，其空间定位方法采用分步重复。4.8异图分布differentpatterndistribution将两种或两种以上的不同中间掩模图形，缩小成象，并分布重复在同一块主掩膜版的阵列中的适当位置。
4.9曝光exposure
使光敏材料吸收光或其它辐照能的作用。4.10曦光量exposureenergy
光敏材料单位面积吸收光或其它辐照的剂量。4.11曝光试验exposuretest
为确定能获得满意图象所需要的光量而进行的曝光工艺试验。4.12最小曝光量minimumexposureenergy使给定胶膜厚度的正性光致抗蚀剂恰好完全溶解，给使给定胶膜厚度的负性光致抗蚀剂恰好不溶解，所必需的曝光量。最佳光量optimumexposureenergy4.13
使给定厚度光致抗蚀剂曝光显影后，获得复制精确尺寸的光掩模图形，所必需的暖光量。
4.14显影development
1.对已曝光的照相材料进行化学处理以产生可见图象。2.对已曝光的光致抗蚀剂涂覆层，进行化学处理，有选择性地去除光致抗蚀剂，以产生可见图象。4.15潜象latentimage
曦光后在光敏材料上形成的，不可见的隐形图象.需经某种显影工序才能产生有用的可见图象。
4.16定影液fixer
固定照相图象的化学溶液。在卤化银乳胶工艺中定影液溶解并除去未曝光（没显影）部分的卤化银颗粒，以阻止图象产生灰雾。4.17抗蚀剂图象反转resistimagereversal利用化学和物理方法，使光致抗蚀剂的图象极性发生反转。4.18化学反转chemical reversal8
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利用照相乳胶的显影工艺转变图象的极性。4.19耐化学性chemicalresistance指材料耐化学作用的性能。例如经处理的光刻胶涂层可经受化学腐蚀作用。4.20反转工艺reverseprocess
产生与输人相同图象（如：透明区保持透明，而不透明区保持不透明）的照相乳胶工艺。它是通常使用的“负”工艺过程的“反转”。工艺过程包括显影负性图象，经漂白使之消失，然后让代表正性图象的全部原有卤化银显影。同义词：正工艺。
反义词：负工艺。
4.21复印printing
以1：1的比例把图象从个基片表面向另一个基片表面转移的工序。同义词：印相。
4.22接触复印contactprinting
使涂覆于基片上的光敏层接受穿过与之接触的光掩模的辐照，实现选择性曝光以复印出光掩模图形。
4.23非接触复印off-contactprinting指投影复印，接近复印。
4.24接近复印proximityprinting使涂覆在基片上的光敏材料接受穿过与其接近但并不接触的光掩模的辐照，实现选择性曝光以复印出光掩模图形。
4.25投影复印projectionprinting一种把图象投影到光敏材料上的复印方法。它可免于光掩模与光敏材料的接触。4.26光蚀刻photoetching
指对衬底未受光致抗蚀剂保护区域的化学蚀刻。化学蚀刻chemicaletching
在酸或碱等化学腐蚀液作用下表面材料的溶解。4.28化学铣chemicalmilling
在酸或碱等化学腐蚀液作用下，基体材料的粗切削，使基体形状在化学铣时发生显著变化。
4.29蚀刻剂
etchant
清除基片上无用金属镀层或其它介质层的化学活性溶液。4.30
光致抗蚀剂窗口photoresistwindow经曝光和显影后在抗蚀剂涂层上产生的开口。4.31干法蚀刻工艺dryetchingprocess以荷能离子或反应离子及等离子体为媒质的蚀刻工艺。蚀刻时间etchtime
在给定蚀刻媒质中，清除介质层所需要的时间。4.33
抗蚀性etchresistance
在蚀刻过程中，光掩蔽层或防护材料（如光致抗蚀剂）的抗腐蚀能力，4.34蚀刻系数etchfactor
刻槽深度与横向蚀刻宽度之比。4.35薄膜渗透性filmpermeabilty化学试剂穿透薄膜速率的量度。5电子象制版术语
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5.1电子束曝光系统electronbeamexposuresystem该设备用计算机直接输入的地址和图形数据，控制聚焦电子束对铬板上的电子束抗蚀剂层用光栅扫描或矢量扫描方式进行曝光，并将大量曝光象素精确拼接成完整图形，以制作集成电路的主掩模、中间掩模或对基片直接曝光。5.2真空熟化vacuumcuring
为了使负性电子抗蚀剂在电子束扫描曝光后聚合获得良好的均匀性，把扫描曝光后的基片留在电子束曝光系统的真空腔中继续保持一定的时间进行真空处理。5.3光栅扫描rasterscan
电子束按一定的宽度，在一定的方向上进行扫描，并通过束闸开关开断电子束，形成与图形数据相应的曝光图形的一种扫描曝光方式。5.4矢量扫描vectorscan
电子束在预定的扫描场内，只对需要曝光的部分进行二维扫描形成几何图形的扫描曝光方式。
5.5高斯束GAUSSIANbeain
聚焦后的电子束相对于光轴形成的轴对称，其电流密度分布为高斯分布。5.6高斯图象直径diameterofGAUSSIANimage将电子枪作为假想的电子源（电子束交叉区的最小截面处），经电子透镜成象在衬底材料上，假定电子透镜是没有象差的理想电子透镜，则电子源在衬底材料上所成的象为圆斑，通常用直径值（或半径值）表示。5.7成形束shapedbeam
将聚焦电子束的截面形状加工成特定形状的电子束。5.8可变成形束variableshapedbeam将聚焦电子束的截面加工成矩形或平行四边形，其尺寸大小在每个曝光区域内可任意变化。
5.9地址尺寸addressdimension
a，扫描曝光数据的最小单位。
b.电子束位置定位时，决定位置坐标分量的最小单位。同义词：地址增量。
5.10输入数据格式inputtdataformat输入到装置内的图形数据的表示形成。5.11数据格式转换data formatconversiona.将CAD系统的图形数据转换成曝光装置特定的数据格式形式。b.通过转换软件将一种曝光装置特定的曝光图形数据格式转换成另一种滕光装置所带的特定图形数据格式。
5.12数据压缩datacompression
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