【国家标准(GB)】 半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范(可供认证用)

中华人民共和国国家标准
半导体集成电路静态读/写
存储器空白详细规范
Blank detail specification for semiconductorintegrated circuit static read/write memories（可供认证用）
UDC 621.3
.049.774
GB6648-86
本规范规定了编制导体集成电路静态读与存储器（以下简称器件）详纳规范的基本原则。本规范是5(B4589.1一84《半导休集成电路总规范》有关的-系列空详细规范之-要求的资料
下外（「）～（9）项要求的内容马首贞表各栏资料相对应，编制详纠期范计应填学在相应的栏。
详细规范的识别
（1）发布详纠期范的国家标雅化机松名称。（2）『FCQ详纠规范的编（或）日期。（3）总规范号和年代号。
（4）洋细规范的调家编导、发在划及国家标潍体系需要的资料。器件的识别
（5）器件类型。
（6）典型结构和应肝资料。
如果设计的器件是多用途的，应在详纽规范中说期，这些用途对器件所要求的特性和检验都应得到满是。
如果器件屌静电嫩感型，应在洋细规范尚印。（7）外形图和/战与外形有美的参考文件。（8）质量评处类别。
：（9）能在各类器件之闻逃行比较的、最重要的性能参与数据。［本规范，中括号所列内容仅供指导编制详红规范用，不必在详纸规范中列出。本规范：
x：表示应在诈纠规范！填人的数值。（x）：表示需要时应给出的数值。【x：表末可选择给出的特性成试验（至少执行其中之）。】国家标准局1986-07-31发布
1987-08-01试行
GB 6648—86
【发在谨细规范的用家标雄化机构名称】【1评定器件质量的依据：
GB4589.1—84《卡导体集成电路总规范》
【器件型号】详纫规范
！货资料：见本规范第9章。
1机械说明
外形仪据：1F（191《卡导体器件的机誠准化》
外形阁：【可在本规范第12牵列出详细资料
引出游认别：【润升引线排列。包括图小符号。
标志：按GB4589.1--84第2.5条和本规范第8辛［可在本规范第8靠列山器件上标志的标法例门
【IECQ详细规范的编号、发布号和(或）『期
[详细规范的国家编号]
［若国家编号与IECQ编号致，本栏可以不填。］
简要说明
双极型或MOS集成静态读存储器
半导体材料：【Si]
封装：【牢封或非穿封】
【注意，静电藏感器作］
质评定类别
【按GB4589—84的第2.6条】
参考数批
按本规范鉴定全格的器件，其制造单位的有关资料，可在合格产览表中香到极限值 (绝对最大额定值)
若光其他期定，适用于个1作温度范间。【编制详细规范，在位增加的作值可在适当处终出。最好任本规范第12怕给出线。了(8)
案款号
电源!
输人电注注
输压注
输H地流
作制度范间
在流汽例
I'e或
j'rr战
GB6648—86
偏发时必温度B）注（）②
(）注②
能：如有必要，放指该也非是剂对上哪一个端的。假
2对颜生端好电程序的存诺器，好果每4.6条行不间，成规定最高蛇存温度。推荐工作条件
【编制详纸规范时，任码增加的条件可在适凸处给出。］若无其他规定，适用十全1作温度范围。务款号
源电店
输人尚电电里
输人低电车电
数带快技电
双极型
设酸型
6电特性和定时要求
GB 6648—86
检验要求见本规范第10章。
者无其他规定，适用于全了作环境温度范间。【如果不能给出器件性能在整个工作环境温度范围的变化时，应给出25℃和工作温度范围极值下的输入和输出电压及其相应的电流值，应给出输人和/或输出不周功能类型的电流和电压值。）[编制详细规范时，任何增加的特性和要求可在适当处给出。静态特性
条额号
龄态特性
输入高电电话
输人低电平电乐
输人高电电流
输人低电流
输人电流
输出南电电电压@VCH
输出电：电业
6.0输尚小中流往
输出高电车值电压
输山低电子值电压
6.11输i低电心电流江61o
6.12输出为限态电流
6.13输出短路电流
电源电流准
6.15维持电源电流
6.16数保持毛源电压
6.17数据保持电源电流
fec:或
TDD 或
Iones>bzxz.net
无时钟要时暂要求无时钟要时钟要求求
双极型
最小最大最小
最小最大最小最大最小最人
Vec限）
fcC(DR)
注，时钟要求战全静态型。
A3, A4u. A4b
A3,A4u, A4b
A3, A4a, A4b
A3,A4a, A4h
A3,A1a, A4b
A3,A4a, A4b
A3,A4a, A4h
A3.A4a.A4b
A3. A4a, A4b
A3,A4a.A4b
A3.A4, A4b
①时钟要求或地址锁存或作锁存型。GB6648-86
规定电座还是电流，视特性要求而定。适用于6.6和/或6.10条，适用于6.7和/或6.11条。③存储周期的半均电流，
动态特性和定时要求
【应给出整个推荐工作电压范围内的动态特性和定时要求，应提供一组包含艳个信号的、每一种工作状态的定时波形图。为了保证存储器的正确使用，应向使用者提供应该了解的任何时间间隔数据。例如进人与脱离维持状态的时间间隔要求。某些存储器允许使用一个以上的“片使能”或“片选”控制信号，在本规范中“片使能”和“片、选”有同等意义。
其他动态特性和定时要求：
当需要时，应给出特定条件下的动态特性和/或定时要求。例如：过渡到维持状态（或电源跌落数据保持状态）及其恢复过程的动态特性和定时要求。］NMOs
九时钟要求
时钟要求
条款号
动态特性和定叶要求
读周期时间
写尚期时问
读周期时
读改\;咒期时问
地取数时间
片使能玻数时间
地址建文时
写人键文时间
片使能建立时间
数据锂立时间
地址保特时间
跨人保持时间
ferttas
(xeltw)
t se? t)
最小最大最小
时钟要求
无时钟要求
双极型
单位试验
最小最大
最大殿少
条款号
动态特性机定时要求】
升使能保持时问
数据保持时间
片使能禁止时间
乌禁止时
片使能恢复时间
写恢安时间问
片使能脉冲究度
写脉冲宽度
片使能美态时间
(预充中时间）
地址变化后输出
数据有效时间
输入上开时
入下降时间
输出转换时间
输出转换时间
输入电奔
输入电容或输入，
输入电奔
t wewy
tpc te?
CB 6648-86
无时钟要求
时许要求
（x）
未时钟要求
时钟要求
双极型
单位试验
7其他必需资料
【最少应给南下列设计资料：］7.1方槛图
GB 6648--86
【应给出器件方据图或等效线路资料。方框图应详细称出存诺器各基本动能单元（例如“地上逆码”“片使能”、“缓神冲器”、“输出电路”）及其与外部的接。}了.2功能说测
［应说明电路所能究或的功能及下述数期指，存储电路可存人信息能力的总你数：h，任储电路中降个学的位数：
c：寻址（例如多路传输、锁存等）方式；d、：和个引出端所究成的功能；e，应给出动态波形图，包括存储器经种操作功能的产出及其剩鼠量所需要的整查信书波形。］7.3．负载规
【应给出输出端啾动能力的数据以及电耐久性试验线路。7.温度与负载的变化
【应给出取数时尚、禁止时和其他基本的建要求随温度的变化。在满要，也应给出相应的输出负载数据。
注：尚参数随温变的变化不必总求给：，作要给出这此参数存性个工作温宝逆压内的极限值7.5噪山容限
【应给出计算碟而穿限所滤的数据。」7.6用兼容性
【应说训集成电路存诺器马与其他特定集成电路或集成电路系列的电兼容性，或说明是否需要：定的接。」
7.7电源
【在需要时，应给山规定的整个控制信导频率（需要时包括脉冲源）范用内电源电流（或电压）的典型变化数掘。
7.8防护施
【包括各种机械或环琉条件的限懈，如MOS存储器的使用注意项。】7.9图形灵敏度
【在需要时，应纶出最坏情视数据或地比图形，如有可能，还应包括产生最坏图形的计算方法。】8标志
[陈首质表（7）栏（木规范第1章）给出的资料外，其他特殊的标志资料应在本章给市。了9订货资料
【若无其他规延，订购器件至少需要下列资料；确的异
详细规范的困家编号：
质评定类别
当有美时，有发有号和/或日期的1ECQ详细规范，其他节。丁
10试验条件和检验要求
GB6648-86
【编制详细规范时，下列表中的数值和确切的试验条件，应由器件型号并按有关标准中有关试验的要求而规避，两者择一的试验或试验方法应选取一种。当同-详细规范!规定了凡种器件时，相应的条件和（或）数值应连续列出，以避免相间条件和（或）数值的重复。
抽样要求
板据采用的质量评定类别，引用GB4589.1-84第3.6.2款表6和表7的规定。若无其他规定，A组采用AQL抽样方案。A组-—逐批
所有试验均对非破坏处的（见GB4589.1一8第3.6.6款）。件
检验改试验
41分组
外月检
A2分组
功能检验
Aa分组
萨态特性
II(或IH,TH,)
VCH(或IOH)
FG（或ol
Icr或ui或fFF
成/eB
feesitpnts.
I:OR或c)
A4a分组 注7
最高工作温度下的静态特
（特性：同43分组）
Ah分组注(7)
最低1作温度下的萨态特
（特性：同A3分组）
45分组
定时要求
t址(A)
引川受件
GB 589.1-84中的翁5.1.1款
GB3413一82导体集成电路
MOS随机存能器测试方法的基不
原》，GB3444--82半乎体集
成中路双极型随机存器测试方
法的基木原理
GB 3413--R2. GH 3444 -82
GB 3-1382
GE 34+1H2
82GB344482
G13 3443—86
汗：（↑：不诚验仅适用十鉴定批雅。G3 34 41 —82
荐无其期是，T，= 25℃
（见GR4589.1—84第4齐）
电源电
拨规定
按规定
按规定
按规定
按舰亲
接规定
按规定
T（核不规带第4.6条】，片他条件A3分组
T4C按本规范第4.6条]，其他条
件 A3分组
按规定
按规定
检验要求
现范作
同A3分组
3分组
GB664B-B6
标有（D）的试验为破坏性的（见CB4589.1一84第3.6.6款）。条
检验或试啦
B1分组
B4分组
可煤性
B5分组
温度快速变化：
两槽法（到器
件）或：
两箱法（空封器件）
随后逊行：
加速潮热（）（非
空封器件）
试验后测量：
（同A2和A3分组）
密封（空封器作）
B8分组
电耐久性（168h）
试验房测量t
（同A2和13分）
CRRL分组
引用文件
G 4589.1 -84比的第5.2款，
附录C
GB 459)一剂 《半导体集成电
路机械和气候试验方祛》中的
第2.5条
CH45911—84中的第3.2条
心B 4590—84中的第3.1条
GB459—84中的第3.5条
GH 4590—84中的第3.12条和
第3.13条
GB 4590—84中的第4.7然
若乐H他现定，TA=25℃
（见GB 4589.1—84第 4帝）
按方法b（焊法）
温度按严格度A（0°~100）
时制按严格度A
温度按本照范剪4.6条
循环次数按严格度D（6次）
同A2和A3分纠
按规定
(半均功耗为详细规范允许的最
大独，此时，为评详组规范允许的最大值左上面条件下，电頭
电压详细规范充许的最人值们。同A2析：A8分组，在96h内测完
就B4、B5和B8提供计效检查结果检验要求
规范值
同本规范等1章
浸润良好
同A 2和A3分组
南A2A3印
GB 6648-86
—周期
标有（10）的试验为破环坏些的（见GB4589.1:-84第3.6.6款）条
校验试好
C1分组
Czb分组
股高工作温要和最低.
温腰下的动能哈验
C3分组
可1线强迎：
海（)
按小（力）（反对编
C4分组
耐接（）
试验居避率：
(A2和A3分组）
C6分组
准而速度（空是器性）
欧染质测:
1A2A344)
C7分组
念潮（
(A2利A3分组)
Ca分组
追谢久（1000h）试验
(间A2±A3分)
！用文件
4589.184的第5.2条，
G3 3443—82,G13 3444—82
GB 4590—84中的第2.2条，
第2.1条
GB 1590—84的第2. 6条
84的第2.10条
GB 4590
GB459084的第3.7条
GB4590—H4:的第4.7条
若先其他规定，TA=25℃
(贝GB 4589.1—84第 1 第)
TA[较本规范第4. 6条],
向A2分
按规定
接规迮
按方法A
周A2利A3分组
按规定
同A2和A3分纠[
按产格度A
低A2和A3分组
同B8分组
后A2和3分组、在内测
检验要求
规范道
司本规范第1章
间A2分组
上势价
无损伤
同A2和A分部
南A2A3分统
司A2和A3分组
周A2租A3分组
哈监战试频
（9分组
盖始存（D）
试峻质注,献：
（讯A2和A3分组）
C11分组
标总耐久整
CRRL分组
11D组
鉴定批准
GB 6648—B6
引文件
GB 4590-84中的第3.3条
GH4590~-84的第1.3条
无其他既起，T、－25
（见GB 4589.1—8第4南）
10小h，温度接戏
A2和A3分线
就3、C4、C6、7、C8、C9和C提供数检错果【当需要时，在详细规范中规定。池文推
险验战点数
D8分组
电久控
ru类，2000h
资：3000h
GB4590→8非的第小.7条，
GR1589,1-84的蒙3.6.1.3
附加资料（不作检验用）
【仅当器件划范和使用需要时才提供，柳如：a.与规范值有关的温度衰减曲线；b.
测量线路或补充方法的究整说明：详纸外彤图，
其他。
附加说明：
会标准由华人民北和国电子上业部提跆。袭
若在其他规，T，-25
（JGE 4589.1--84第 4*）
38分红
经聚要太
现范价
4243分
检验要求
本标滩油个司集成电路标滩化技术委员会基处分会负资起草，主要起草单信：北京半导休器件研宠所。
本标非工要起草人叶孙林。
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