【国家标准】 无损检测 磁记忆检测 总体要求

ICS 19.100 CCS J04 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 26641—2021 / ISO 24497-1:2020（代替 GB/T 26641—2011） 无损检测 磁记忆检测 总体要求 Non-destructive testing—Magnetic memory testing—General requirements（ISO 24497-1:2020，Non-destructive testing—Magnetic memory testing—Part 1: Vocabulary and general requirements，IDT） 2021-12-31发布 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 2022-07-01实施 前言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 本文件代替GB/T 26641—2011《无损检测 磁记忆检测 总则》。与GB/T 26641—2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a）修改了范围（见第1章，2011年版第1章）； b）修改和增加了规范性引用文件（见第2章）； c）修改和增加了术语（见第3章）； d）修改了方法概要（见第4章）； e）修改了检测对象的描述（见第5章）； f）修改了检测设备要求（见第6章）； g）修改了检测准备的描述（见第7章）； h）修改评价参数与流程，将法向分量或切向分量扩展为三维分量（见8.1）； i）增加梯度中间值、梯度系数阈值获取方法及取值准则（见8.2、8.3）； j）修改检测记录与报告（见第9章）； k）修改人员资格要求（见第10章）。 本文件等同采用ISO 24497-1:2020《无损检测 磁记忆检测 第1部分：术语和总则》。 本文件进行了最小限度编辑性修改，主要为标准名称调整为《无损检测 磁记忆检测 总体要求》。 本文件可能涉及专利，本文件发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56）提出并归口。 起草单位：中国特种设备检测研究院、爱德森（厦门）电子有限公司、安徽华夏高科技开发有限责任公司、清华大学、中国空气动力研究与发展中心、嘉兴市特种设备检验检测院、成都信息工程大学、北京工业大学、中冶建筑研究总院有限公司、山东科捷工程检测有限公司、洛阳LYC轴承有限公司。 主要起草人：胡斌、王宝轩、沈永娜、沈功田、林俊明、李路明、李寰、魏东、潘金平、胡云、张亦良、高广兴、张君娇、张迪、梁玉梅、陈翠丽。 本文件及其所代替文件历次版本发布情况：2011年首次发布GB/T 26641—2011，本次为第一次修订。 1 范围 本文件规定了金属磁记忆（MMM）技术的无损检测（NDT）的术语、定义及应用该方法的总体技术要求。 本文件规定的无损检测技术目的包括： —确定铁磁物体磁力学状态的非均质性，检测缺陷引起的应力集中程度及金属微观结构不均匀性边界； —确定表面磁场畸变位置，以便进一步进行微观结构分析和/或无损检测与评价； —用于被检对象早期损伤诊断及结构寿命评价； —通过磁性异质性对新件及在役件进行快速分类，以进行进一步检测； —磁记忆技术可与超声检测、X射线检测等方法联合使用，提高缺陷定位效率； —用于各类焊接接头质量控制及实施（包括摩擦焊和点焊）。 具体应用见ISO 24497-2。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件仅该日期版本适用，不注日期的引用文件其最新版本（包括修改单）适用。 ISO 9712 无损检测 人员资格鉴定与认证（Non-destructive testing — Qualification）\