【国家标准】 宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求

GB/T43228—2023 代替 GB/T43228—2012《宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求》 中华人民共和国国家标准 发布机构：国家市场监督管理总局，国家标准化管理委员会 发布日期：2023-09-07 实施日期：2024-01-01 前言 本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意，本文件部分内容可能涉及专利，发布机构不承担专利识别责任。本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会（SAC/TC425）提出并归口，起草单位为北京微电子技术研究所、中国航天电子技术研究院。主要起草人包括赵元富、王亮、岳素格、周亮、孙永姝等。 1 范围 本文件规定了宇航用抗辐射加固集成电路单元库（以下简称“加固单元库”）的组成、辐射效应建模与仿真、加固单元库设计、设计套件的设计和验证、加固单元库验证及手册编制等要求。本文件适用于体硅/SOICMOS工艺的加固单元库设计及产品研制前的综合评价。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。注日期的引用文件，仅该日期对应版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有修改单）适用于本文件。 3 集成电路术语 本文件适用 GB/T9178—1988 界定的术语和定义，以及以下术语： 3.1 抗辐射加固设计（radiation hardening by design） 通过电路、版图及系统级设计技术消除或减轻集成电路在空间辐射环境下受到的影响。 3.2 集成电路单元库（integrated circuit standard cell library） 经过设计和验证可重复使用，支撑集成电路全流程设计的电路单元和宏模块IP单元的数据库。 3.3 设计套件（design kits） 表征集成电路单元库各类信息的不同层级属性文件，统称为 DK 文件，用于综合、功能仿真、时序分析、物理设计、功耗仿真、噪声评估及板级开发，可被 EDA 软件调用。 3.4 总电离剂量（total ionizing dose） 由带电离子、电子或射线引起集成电路绝缘材料电离，产生陷阱电荷并导致器件功能异常的现象。 3.5 单粒子效应（single event effect） 单个粒子穿过集成电路敏感区域，形成脉冲电流，导致辐射损伤。 3.6 单粒子瞬态（single event transient） 单粒子效应引起集成电路输出异常脉冲信号的现象。 3.7 单粒子门锁（single event latch-up） 单粒子效应引起集成电路锁死的现象。 3.8 单粒子翻转（single event upset） 单粒子效应导致集成电路逻辑状态翻转的现象。 4 缩略语 AOCV：先进片上偏移（advanced on-chip variation） ATPG：自动测试向量生成（automatic test pattern generation） CCSM：复杂电流源模型（composite current source model） CDB：噪声模型（cadence noise model）