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- GB/T 4728.5-2018 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管

【国家标准】 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管
本网站 发布时间:
2019-04-28 20:48:35
- GB/T4728.5-2018
- 现行
标准号:
GB/T 4728.5-2018
标准名称:
电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管
标准类别:
国家标准(GB)
标准状态:
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部分标准内容:
ICS29.020
中华人民共和国国家标准
GB/T4728.5—2018/IEC60617database代替GB/T4728.5—2005
电气简图用图形符号
第5部分:半导体管和电子管
Graphical symbolsforelectricaldiagrams-Part5:Semiconductors and electrontubes(IEC 60617database,Graphical symbols for diagrams,IDT)2018-07-13发布
国家市场监督管理总局
中国国家标准化管理委员会
2019-02-01实施
GB/T4728《电气简图用图形符号》分为13个部分:第1部分:一般要求;
第2部分:符号要素、限定符号和其他常用符号;第3部分:导体和连接件;
第4部分:基本无源元件;
第5部分:半导体管和电子管;
第6部分:电能的发生与转换;
第7部分:开关、控制和保护器件:第8部分:测量仪表、灯和信号器件:一第9部分:电信:交换和外围设备:一第10部分:电信:传输;
第11部分:建筑安装平面布置图;第12部分:二进制逻辑元件;
第13部分:模拟元件。
本部分为GB/T4728的第5部分。
本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草GB/T4728.5—2018/IEC60617database本部分代替GB/T4728.5—2005《电气简图用图形符号第5部分:半导体管和电子管》,与GB/T4728.5—2005相比主要技术变化如下:在S00641符号的“用于”列项中的符号有:S00304,S00685,S00643,S01328,S00895,S00785,S00907,S01327,S01263S00644,S00642,S00906,S01326,S01919,S01920。其中新增的符号有:S01919,S01920。在S00644和S00691符号中分别增加了别名。增加了S0187O、S01871、S01872、S01873、S01874、S01875、S01876、S01878、S01879、S01880、S01881.S01882.S01883.S01884.S01902、S01919.S01920等17个新符号。本部分使用翻译法等同采用IEC60617database《简图用图形符号》(2016年9月1日的抽点打印英文版)的相应部分。
本部分做了下列编辑性修改:
修改了标准名称;
增加了附录NA,列出了废除一一仅供参考的图形符号。本部分由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会(SAC/TC27)提出并归口。本部分起草单位:中机生产力促进中心、安徽宝龙电器有限公司、力源电力设备股份有限公司、南京南瑞继保电气有限公司。
本部分主要起草人:吴倩、刘新、唐东、高永梅、陈少敏、刘世伟、何学东。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:GB/T4728.51985.GB/T4728.5—2000.GB/T4728.52005。I
S00057
GB/T4728.5—2018/IEC60617database电气简图用图形符号
第5部分:半导体管和电子管
称:三极闸流晶体管,未规定类型Triode thyristor,type unspecified态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-04-04关键词:半导体,闸流管
采用符号:S00613,S00619
应用注释:A00184
形状类别:等边三角形,直线
别:Q受控切换或改变
功能类
应用类别:电路图
S00613
注:若不需指定控制极的类型时,本符号用于表示反向阻断三极闸流晶体管H
称:半导体区,具有一处接触
Semiconductor region, one connection态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-01关
词:接触,欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管于:S00057,S00653,S00641,S00616,S00648,S00663,S00651,S00662,S00665,S00657.S00646,S00661,S00654,S00614,S00655,S00660,S00645,S00658,S00659,S00664,S00649.S00650.S00656,S00652.S00615形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
注:垂直线表示半导体区,水平线表示欧姆接触1
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00614
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-02关
词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管式:形式1
其他形
式:S00615.S00616
采用符
F号:S00613
形状类
别:直线
功能类
S00615
别:-功能要素或属性
别:电路图
注:示出两处接触
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-03关
词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管式:形式2
其他形
式:S00614.S00616
采用符
号:S00613
别:直线
形状类
功能类
应用类
S00616
别:-功能要素或属性
别:电路图
注:示出两处接触
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-04关键词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管形
式:形式3
其他形式:S00614,S00615
GB/T4728.5—2018/IEC60617database手:S00666.S00667.S00672.S00668.S00670.S00671,S00669采用符号:S00613
形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
别:概念要素或限定符号免费标准bzxz.net
应用类头
S00617
注:示出两处接触
称:耗尽型器件导电沟道
Conduction channel for depletion devices态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-05关
形状类
词:导电沟道,耗尽型,半导体,晶体管手:S00682.S00672.S00683.S00677,S00678.S00671.S00679别:直线
功能类
别:-功能要素或属性
应用类
S00618
别:电路图
称:增强型器件导电沟道
Conduction channel for enhancement devices态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-06关
词:导电沟道,增强型,半导体,晶体管于:S00673,S00676.S00674.S00675,S00681.S00680形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
别:电路图
应用类
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00619
称:整流结
Rectifying junction
态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-07关
词:结,整流器,半导体
于:S00057.S00378,S00653,S00641,S00648S00651,S00662.S00657S00646,S00661,S00654.S00647.S00655.S00660.S00645.S00658.S00650.S00656被替代的符号:S01364
形状类别:等边三角形,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00620
称:影响半导体层的结,影响N层的P区Junction which influences a semiconductor layer, P-region which influences an N-layer态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-09关键
词:场效应管,栅,结,N层,P区,半导体,晶体管手:S00671
应用注释:A00176
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00621
称:影响半导体层的结,影响P层的N区Junction which influences a semiconductor layer,N-region which influences a Player态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-10关键词:场效应管,栅,结,N区,P层,半导体,晶体管用
手:S00672
应用注释:A00176
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00622
称:导电型沟道,P型衬底上的N型沟道GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseConductivity type of the channel, N-type channel on a P-type substrate态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-11关键
词:导电沟道,场效应管,IGFET,绝缘栅.N型沟道,半导体.晶体管于:S00676,S00674.S00677
应用注释:A00177
别:箭头,直线
形状类
功能类别:-功能要素或属性
应用类
S00623
别:电路图
注:P型衬底上的N型沟道,示出耗尽型IGFET称:导电型沟道,N型衬底上的P型沟道Conductivity type of the channel,P-type channel on an N-type substrate态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-12关
词:导电沟道.场效应管.IGFET.绝缘栅.P型沟道,半导体.晶体管于:S00673.S00675.S00678.S00679应用注来
释:A00177
形状类
别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类
别:电路图
注:N型衬底上的P型沟道,示出增强型IGFET5
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00624
称:绝缘栅
Insulated gate
态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-13关
词:场效应管,栅,IGFET,绝缘栅,半导体,晶体管于:S00682.S00673,S00676,S00674,S00683.S00677,S00675,S00678.S00681.S00680,S00679
别:直线
形状类
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00625
注:具有多栅的示例见符号S00679称:不同导电型区上的发射极,N区上的P型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, P emitter on an N region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-14关
词:二极管,发射极,半导体,晶体管手:S00626.S00682.S00667.S00663.S00670.S00683.S00681.S00680.S00669.S00687应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00626
称:不同导电型区上的发射极,N区上的P型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, P emitters on an N region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5ed.2.0)05-01-156
词:二极管,发射极,半导体,晶体管键
采用符号:S00625
应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类
别:电路图
S00627
GB/T4728.5—2018/IEC60617database称:不同导电型区上的发射极,P区上的N型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, N emitter on a P region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-16关
词:二极管,发射极,半导体,晶体管于:S00682.S00666,S00668.S00665S00683.S00681,S00680.S00628.S00664应用注
释:A00178
形状类
别:箭头,直线
功能类
别:-功能要素或属性
应用类
S00628
别:电路图
称:不同导电型区上的发射极,P区上的N型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, N emitters on a P region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-17关键词:二极管,发射极,半导体,晶体管采用符号:S00627
应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00629
称:不同导电型区上的集电极
Collector on a region of dissimnilar conductivity type态:标准
日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5ed.2.0)05-01-18关
词:二极管,集电极,半导体,晶体管于:S00668.S00630.S00663,S00665.S00664.S00687应用注来
释:A00179
形状类
别:直线
功能类
应用类
S00630
别:-功能要素或属性
别:电路图
称:不同导电型区上的集电极
Collectors on a region of dissimilar conductivity type态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-19关
词:二极管,集电极,半导体,晶体管采用符
号:S00629
应用注
释:A00179
形状类
别:直线
应用类
S00631
别:-功能要素或属性
别:电路图
称:不同导电型区之间的过渡
Transition between regions of dissimilar conductivity types态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-208
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中华人民共和国国家标准
GB/T4728.5—2018/IEC60617database代替GB/T4728.5—2005
电气简图用图形符号
第5部分:半导体管和电子管
Graphical symbolsforelectricaldiagrams-Part5:Semiconductors and electrontubes(IEC 60617database,Graphical symbols for diagrams,IDT)2018-07-13发布
国家市场监督管理总局
中国国家标准化管理委员会
2019-02-01实施
GB/T4728《电气简图用图形符号》分为13个部分:第1部分:一般要求;
第2部分:符号要素、限定符号和其他常用符号;第3部分:导体和连接件;
第4部分:基本无源元件;
第5部分:半导体管和电子管;
第6部分:电能的发生与转换;
第7部分:开关、控制和保护器件:第8部分:测量仪表、灯和信号器件:一第9部分:电信:交换和外围设备:一第10部分:电信:传输;
第11部分:建筑安装平面布置图;第12部分:二进制逻辑元件;
第13部分:模拟元件。
本部分为GB/T4728的第5部分。
本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草GB/T4728.5—2018/IEC60617database本部分代替GB/T4728.5—2005《电气简图用图形符号第5部分:半导体管和电子管》,与GB/T4728.5—2005相比主要技术变化如下:在S00641符号的“用于”列项中的符号有:S00304,S00685,S00643,S01328,S00895,S00785,S00907,S01327,S01263S00644,S00642,S00906,S01326,S01919,S01920。其中新增的符号有:S01919,S01920。在S00644和S00691符号中分别增加了别名。增加了S0187O、S01871、S01872、S01873、S01874、S01875、S01876、S01878、S01879、S01880、S01881.S01882.S01883.S01884.S01902、S01919.S01920等17个新符号。本部分使用翻译法等同采用IEC60617database《简图用图形符号》(2016年9月1日的抽点打印英文版)的相应部分。
本部分做了下列编辑性修改:
修改了标准名称;
增加了附录NA,列出了废除一一仅供参考的图形符号。本部分由全国电气信息结构、文件编制和图形符号标准化技术委员会(SAC/TC27)提出并归口。本部分起草单位:中机生产力促进中心、安徽宝龙电器有限公司、力源电力设备股份有限公司、南京南瑞继保电气有限公司。
本部分主要起草人:吴倩、刘新、唐东、高永梅、陈少敏、刘世伟、何学东。本部分所代替标准的历次版本发布情况为:GB/T4728.51985.GB/T4728.5—2000.GB/T4728.52005。I
S00057
GB/T4728.5—2018/IEC60617database电气简图用图形符号
第5部分:半导体管和电子管
称:三极闸流晶体管,未规定类型Triode thyristor,type unspecified态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-04-04关键词:半导体,闸流管
采用符号:S00613,S00619
应用注释:A00184
形状类别:等边三角形,直线
别:Q受控切换或改变
功能类
应用类别:电路图
S00613
注:若不需指定控制极的类型时,本符号用于表示反向阻断三极闸流晶体管H
称:半导体区,具有一处接触
Semiconductor region, one connection态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-01关
词:接触,欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管于:S00057,S00653,S00641,S00616,S00648,S00663,S00651,S00662,S00665,S00657.S00646,S00661,S00654,S00614,S00655,S00660,S00645,S00658,S00659,S00664,S00649.S00650.S00656,S00652.S00615形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
注:垂直线表示半导体区,水平线表示欧姆接触1
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00614
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-02关
词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管式:形式1
其他形
式:S00615.S00616
采用符
F号:S00613
形状类
别:直线
功能类
S00615
别:-功能要素或属性
别:电路图
注:示出两处接触
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-03关
词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管式:形式2
其他形
式:S00614.S00616
采用符
号:S00613
别:直线
形状类
功能类
应用类
S00616
别:-功能要素或属性
别:电路图
注:示出两处接触
称:半导体区,具有多处接触
Semiconductor region, several connections态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-04关键词:欧姆接触,半导体区,半导体,晶体管形
式:形式3
其他形式:S00614,S00615
GB/T4728.5—2018/IEC60617database手:S00666.S00667.S00672.S00668.S00670.S00671,S00669采用符号:S00613
形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
别:概念要素或限定符号免费标准bzxz.net
应用类头
S00617
注:示出两处接触
称:耗尽型器件导电沟道
Conduction channel for depletion devices态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-05关
形状类
词:导电沟道,耗尽型,半导体,晶体管手:S00682.S00672.S00683.S00677,S00678.S00671.S00679别:直线
功能类
别:-功能要素或属性
应用类
S00618
别:电路图
称:增强型器件导电沟道
Conduction channel for enhancement devices态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-06关
词:导电沟道,增强型,半导体,晶体管于:S00673,S00676.S00674.S00675,S00681.S00680形状类别:直线
功能类别:-功能要素或属性
别:电路图
应用类
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00619
称:整流结
Rectifying junction
态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-07关
词:结,整流器,半导体
于:S00057.S00378,S00653,S00641,S00648S00651,S00662.S00657S00646,S00661,S00654.S00647.S00655.S00660.S00645.S00658.S00650.S00656被替代的符号:S01364
形状类别:等边三角形,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00620
称:影响半导体层的结,影响N层的P区Junction which influences a semiconductor layer, P-region which influences an N-layer态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-09关键
词:场效应管,栅,结,N层,P区,半导体,晶体管手:S00671
应用注释:A00176
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00621
称:影响半导体层的结,影响P层的N区Junction which influences a semiconductor layer,N-region which influences a Player态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-10关键词:场效应管,栅,结,N区,P层,半导体,晶体管用
手:S00672
应用注释:A00176
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00622
称:导电型沟道,P型衬底上的N型沟道GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseConductivity type of the channel, N-type channel on a P-type substrate态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-11关键
词:导电沟道,场效应管,IGFET,绝缘栅.N型沟道,半导体.晶体管于:S00676,S00674.S00677
应用注释:A00177
别:箭头,直线
形状类
功能类别:-功能要素或属性
应用类
S00623
别:电路图
注:P型衬底上的N型沟道,示出耗尽型IGFET称:导电型沟道,N型衬底上的P型沟道Conductivity type of the channel,P-type channel on an N-type substrate态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-12关
词:导电沟道.场效应管.IGFET.绝缘栅.P型沟道,半导体.晶体管于:S00673.S00675.S00678.S00679应用注来
释:A00177
形状类
别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类
别:电路图
注:N型衬底上的P型沟道,示出增强型IGFET5
GB/T4728.5—2018/1EC60617databaseS00624
称:绝缘栅
Insulated gate
态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-13关
词:场效应管,栅,IGFET,绝缘栅,半导体,晶体管于:S00682.S00673,S00676,S00674,S00683.S00677,S00675,S00678.S00681.S00680,S00679
别:直线
形状类
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00625
注:具有多栅的示例见符号S00679称:不同导电型区上的发射极,N区上的P型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, P emitter on an N region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-14关
词:二极管,发射极,半导体,晶体管手:S00626.S00682.S00667.S00663.S00670.S00683.S00681.S00680.S00669.S00687应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
S00626
称:不同导电型区上的发射极,N区上的P型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, P emitters on an N region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5ed.2.0)05-01-156
词:二极管,发射极,半导体,晶体管键
采用符号:S00625
应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类
别:电路图
S00627
GB/T4728.5—2018/IEC60617database称:不同导电型区上的发射极,P区上的N型发射极Emitter on a region of dissimilar conductivity type, N emitter on a P region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-16关
词:二极管,发射极,半导体,晶体管于:S00682.S00666,S00668.S00665S00683.S00681,S00680.S00628.S00664应用注
释:A00178
形状类
别:箭头,直线
功能类
别:-功能要素或属性
应用类
S00628
别:电路图
称:不同导电型区上的发射极,P区上的N型发射极Emitters on a region of dissimilar conductivity type, N emitters on a P region态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-17关键词:二极管,发射极,半导体,晶体管采用符号:S00627
应用注释:A00178
形状类别:箭头,直线
功能类别:-功能要素或属性
应用类别:电路图
GB/T4728.5—2018/IEC60617databaseS00629
称:不同导电型区上的集电极
Collector on a region of dissimnilar conductivity type态:标准
日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5ed.2.0)05-01-18关
词:二极管,集电极,半导体,晶体管于:S00668.S00630.S00663,S00665.S00664.S00687应用注来
释:A00179
形状类
别:直线
功能类
应用类
S00630
别:-功能要素或属性
别:电路图
称:不同导电型区上的集电极
Collectors on a region of dissimilar conductivity type态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-19关
词:二极管,集电极,半导体,晶体管采用符
号:S00629
应用注
释:A00179
形状类
别:直线
应用类
S00631
别:-功能要素或属性
别:电路图
称:不同导电型区之间的过渡
Transition between regions of dissimilar conductivity types态:标准
发布日期:2001-07-01
上版标准序号:GB/T4728.5(ed.2.0)05-01-208
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