- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 50033.27-1994 半导体分立器件 2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
标准号:
SJ 50033.27-1994
标准名称:
半导体分立器件 2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行出版语种:
简体中文下载格式:
.rar .pdf下载大小:
95.87 KB

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
SJ 50033.27-1994 半导体分立器件 2EC600系列砷化镓变容二极管详细规范 SJ50033.27-1994

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/27--94
半导体分立器件
2EC600系列砷化镓变容二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for GaAs varactor diodes for2EC600 series
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2EC600系列砷化家变容二极管
详细规范
Semicunductor discrete deviceDetail specifiealion fur Gaas varactor diodes for2EC600 series
1范围
1.1主题内容
SJ 50033/27--94
本规范规定了2ECE00系列砷化像变容极管(以下简称器件>的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类1.3.1器件的等级
按GIB33半导体分立器件总规范1.3条的规定,提供的质量保证等级为军、特军和超特军一级,分别用字母GP.GT和GCT表示。2.引用文件
GB6570—86微波二级管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GJB12886半导体分立器件试验方法GJB
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件微波二极管外形尺寸。各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.?设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出蝴材料和涂层
引出端材料应为铜,表面涂层应为金。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
rKAoNiKAca
3.2.2外形尺寸
外形尺可按GB
SJ 50033/27--94
微波二极管外形尺寸的W8—02型,如图1。半导体分立器件
3.3最大额定值和士要电特性
3.3.1最大额定堂
T.ms=25 r.
IR=15pA
注:1)T在25--125之间按0.67mW/线性降额。2
-65~-+-175
55~125
主要电特性(T=25℃)
2EC601
2EC602
Ceterat
f-1MHz
I=10μA
SJ 50033/27—94
Cctt /Ca)
Vr:--33V
f9.375GHz
Vr—24V
Ip-=20mA
最大值最小值最大值最小值最大值最小值·最大值最小值最大值最小值殿大值最小值
2ECG03
2EC604
2EC605
3.4电测试要求
电测试应符合G657及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GIB 33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJBB3的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCI级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应于以别除。
GJB33表2
3热冲击
?中间测试
8电老化
。最后测试
4.3.1电老化
试验方运
G128法
1038试验条件B
除循环 0 次外,其余同试验条降 F。Vc,V和
见4.3. 1
Vm切始值的5%;
V)祝始值的15%
rr≤韧始值的15%
其他参数:接本视范表1的A2分柜Tb一125C,V=12V登加5CHz正弦波交流信号,使正间峰值电流为1~5uA。4.4质量一致性检验
4. 4. 1 A 组检验
A组恼验应按GJB33和杰规范表1的规定进行。3
TKAONKAca
4. 4. 2 D 组检验
SJ50033727—94
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行-4.4.3C组抢验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表 1 A 组检验
检验或试验
Al分组
外规及机械检验
A2分组
反向电流
击穿电压
正向微分电阻
总电容
2EC601
28C602
2EC603
2EC604
2EC605
电容比
2EC601
2EC602
2EC603
2FC604
2EC605
A3分组
高湿工作
反询电流
A4分组
2EC601
2EC602
2EC603
2EC604
2EC605
GJR128
GB6570
Vr—24V
h=10μA
f=1kHz
f=1MH2
Tm=125℃
f-9. 375GH2
极限值
最小值最大值
检验或试验
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试:
R3分组
稳态工作老命
减后测试:
B6分组
高温考命(非工作状
最后测试:
检验或试验
C1分组
外彩尺寸
C2分组
热冲击(裘璃应力)
1-维检满
b.粗检漏
综台温度/湿度
周期试验
最后测试:
Cs 分组
变动报动
定如速度
最后诞试,
CA分组
盐气(适用时)
Ci分组
稳态工作寿命
最斥测试:
SJ 50033/27--94
表2B组检验
试验茶件F1,(极限值)≥15nin
试验条件 H
试验条件C
按表 4 步聚 1 和 3
Tmb- 85 C,Vr=11V,叠如加 50Hz,正弦被交流信号,使正向峰值电流为1~5μA,反向择值电话24V
接表4步骤2、4和 5
340h.Tm=175C
按表 4步骤 2、4和5
表 3C组检验
GJB128
见图1bzxZ.net
试验条件 A
试验条件H
试验条件C
安表4步聚1和3
190Dm/g(500g).0.5ms在xz的每个方间冲击5次
:96003m/s(20000g)
按表 4 步骤 1 种 3
Tim=85,Vr=11V 叠郁 5UHz 正弦波父流信号,使正向峰值电流为【~5A,反向峰值电压24V
按表4步骤 2、4栏 5
rrKAoNiKAca-
反向电统
反可电流
总电容
2EC602
2EC602
2EC603
ZEC604
ZEC605
总电容变化
王向微分电阻变化
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/27—94
表 4B组和C组检验的电测试
GB6570
Vh-24V
VA=24V
f-1Mi-iz
f=IMHz
f-1KHz
包装要求应按GJ333的规定。
5.2存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6. 1 预定用途
符合不规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货文件内容
台同或订单中应载明下列内容:a本规范的名称和编号;
b.等级(见1.3.1);
c、数量:
d.需要时,其他要求。
最小最人值
同A3分组
[Caxa ≤初始值
初始值20%
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归日,本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人,吴遂、胡荣中、金贵永、计划项目代号:B11023。
YIKAONIKAca-
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
SJ 50033/27--94
半导体分立器件
2EC600系列砷化镓变容二极管
详细规范
Semiconductor discrete deviceDetail specification for GaAs varactor diodes for2EC600 series
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2EC600系列砷化家变容二极管
详细规范
Semicunductor discrete deviceDetail specifiealion fur Gaas varactor diodes for2EC600 series
1范围
1.1主题内容
SJ 50033/27--94
本规范规定了2ECE00系列砷化像变容极管(以下简称器件>的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类1.3.1器件的等级
按GIB33半导体分立器件总规范1.3条的规定,提供的质量保证等级为军、特军和超特军一级,分别用字母GP.GT和GCT表示。2.引用文件
GB6570—86微波二级管测试方法GJB33—85半导体分立器件总规范GJB12886半导体分立器件试验方法GJB
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件微波二极管外形尺寸。各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.?设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出蝴材料和涂层
引出端材料应为铜,表面涂层应为金。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
rKAoNiKAca
3.2.2外形尺寸
外形尺可按GB
SJ 50033/27--94
微波二极管外形尺寸的W8—02型,如图1。半导体分立器件
3.3最大额定值和士要电特性
3.3.1最大额定堂
T.ms=25 r.
IR=15pA
注:1)T在25--125之间按0.67mW/线性降额。2
-65~-+-175
55~125
主要电特性(T=25℃)
2EC601
2EC602
Ceterat
f-1MHz
I=10μA
SJ 50033/27—94
Cctt /Ca)
Vr:--33V
f9.375GHz
Vr—24V
Ip-=20mA
最大值最小值最大值最小值最大值最小值·最大值最小值最大值最小值殿大值最小值
2ECG03
2EC604
2EC605
3.4电测试要求
电测试应符合G657及本规范的规定。3.5标志
标志应符合GIB 33和本规范的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验应按GJB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJBB3的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCI级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的器件应于以别除。
GJB33表2
3热冲击
?中间测试
8电老化
。最后测试
4.3.1电老化
试验方运
G128法
1038试验条件B
除循环 0 次外,其余同试验条降 F。Vc,V和
见4.3. 1
Vm切始值的5%;
V)祝始值的15%
rr≤韧始值的15%
其他参数:接本视范表1的A2分柜Tb一125C,V=12V登加5CHz正弦波交流信号,使正间峰值电流为1~5uA。4.4质量一致性检验
4. 4. 1 A 组检验
A组恼验应按GJB33和杰规范表1的规定进行。3
TKAONKAca
4. 4. 2 D 组检验
SJ50033727—94
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行-4.4.3C组抢验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按本规范相应表的规定。表 1 A 组检验
检验或试验
Al分组
外规及机械检验
A2分组
反向电流
击穿电压
正向微分电阻
总电容
2EC601
28C602
2EC603
2EC604
2EC605
电容比
2EC601
2EC602
2EC603
2FC604
2EC605
A3分组
高湿工作
反询电流
A4分组
2EC601
2EC602
2EC603
2EC604
2EC605
GJR128
GB6570
Vr—24V
h=10μA
f=1kHz
f=1MH2
Tm=125℃
f-9. 375GH2
极限值
最小值最大值
检验或试验
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试:
R3分组
稳态工作老命
减后测试:
B6分组
高温考命(非工作状
最后测试:
检验或试验
C1分组
外彩尺寸
C2分组
热冲击(裘璃应力)
1-维检满
b.粗检漏
综台温度/湿度
周期试验
最后测试:
Cs 分组
变动报动
定如速度
最后诞试,
CA分组
盐气(适用时)
Ci分组
稳态工作寿命
最斥测试:
SJ 50033/27--94
表2B组检验
试验茶件F1,(极限值)≥15nin
试验条件 H
试验条件C
按表 4 步聚 1 和 3
Tmb- 85 C,Vr=11V,叠如加 50Hz,正弦被交流信号,使正向峰值电流为1~5μA,反向择值电话24V
接表4步骤2、4和 5
340h.Tm=175C
按表 4步骤 2、4和5
表 3C组检验
GJB128
见图1bzxZ.net
试验条件 A
试验条件H
试验条件C
安表4步聚1和3
190Dm/g(500g).0.5ms在xz的每个方间冲击5次
:96003m/s(20000g)
按表 4 步骤 1 种 3
Tim=85,Vr=11V 叠郁 5UHz 正弦波父流信号,使正向峰值电流为【~5A,反向峰值电压24V
按表4步骤 2、4栏 5
rrKAoNiKAca-
反向电统
反可电流
总电容
2EC602
2EC602
2EC603
ZEC604
ZEC605
总电容变化
王向微分电阻变化
5交货准备
5.1包装要求
SJ50033/27—94
表 4B组和C组检验的电测试
GB6570
Vh-24V
VA=24V
f-1Mi-iz
f=IMHz
f-1KHz
包装要求应按GJ333的规定。
5.2存要求
贮存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按GJB33的规定。
6说明事项
6. 1 预定用途
符合不规范的器件供新设备使用和供现有设备的后勤保障用。6.2订货文件内容
台同或订单中应载明下列内容:a本规范的名称和编号;
b.等级(见1.3.1);
c、数量:
d.需要时,其他要求。
最小最人值
同A3分组
[Caxa ≤初始值
初始值20%
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归日,本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人,吴遂、胡荣中、金贵永、计划项目代号:B11023。
YIKAONIKAca-
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:





- 热门标准
- 行业标准
- SJ1287-1977 FU-101F FU-101Z型电子管
- SJ1051-1976 K-19反射速调管
- SJ1056-1976 CKM-99脉冲磁控管
- SJ2789-1987 电子设备用电位器 第五部分:分规范 单圈旋转低功率线绕和非线绕电位器 (可供认证用)
- SJ20547-1995 仪表着陆系统(ILS)航向信标通用规范
- SJ/T9167.4-1993 电话设备
- SJ1379-1978 6F3型电子管
- SJ2319-1983 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法
- SJ1856-1981 电子陶瓷材料氧化铝中杂质的原子吸收分光光度测定法
- SJ3254-1989 中小功率晶体三极管计量专用样管筛选方法
- SJ20216-1992 WJ22型螺杆驱动非线绕预调电位器详细规范
- SJ20461-1994 脉冲闸流管总规范
- SJ20479/1-1995 飞机着陆灯系列详细规范
- SJ50033.86-1995 半导体分立器件 CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- SJ50681.58-1994 SMA系列(不接电缆)插孔接触件印制电路板用直角2级射频同轴插座连接器详细规范
- 行业新闻
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1