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- SJ 50033.20-1994 半导体分立器件 2CZ101型硅开关整流二极管详细规范
标准号:
SJ 50033.20-1994
标准名称:
半导体分立器件 2CZ101型硅开关整流二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行出版语种:
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标准简介:
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SJ 50033.20-1994 半导体分立器件 2CZ101型硅开关整流二极管详细规范 SJ50033.20-1994

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CZ101型硅开关整流二极管
详细规范
Semiconduetor discrete deviceDetail specification for sillicon rectifierdiodefor type2CZ101
1范围
1.1主题内容
本规范规定了2CZ101型硅整流二极管(以下简称器件>的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采蟀。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类1.3.1器件的等级
SJ 50033/20—94
按GJB33≤半导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字GP、GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB4023B6半导体分立器件第2部分:整流一极管GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85半导体分立器件总规范GJB128—86半导位分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和列形尺寸应按GJB33和规范图1的规定。3.2.1引出端涂层
引出端表面镶锡。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中窥定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
3.2-2器件结构
SJ 50033/2094
器件采用玻璃纯化封装。在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构,3.2.3外形尺寸
外形尺应符合GB7581的D2-10A型,克图1。L
图1外形图
注:1)L为引线弯成直角后器件安装的题小轴向长度。3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
D2-10A
rKAoNiKAca
2CZ101R
2C2101C
2CZ101D
2CZ101E
2CZ101F
2CZ101G
2CZ101H
2CZ1C1K
2CZ101L
2CZ101M
SJ50033/20--94
t,-:0ms
注:1)当T超过80C时,按4.28m4/C的邀率线性降颖(见图2)。L(A)
图2温度降额线
3.3-2要电特性(TA-25C)
--55 +150
55--+175
20Z101R
2C2101C
2CZ13ID
2CZ1UF
2CZIC1G
2C21C1H
2CZ1011
2CZ1CIK
2CZUIL
ECZ10-M
3.4电谢试要求
$J 50033/20—94
Im --0. 9A
电测试应符合GB4023及本规范的规定,3.5标志
VRVRWy
Th-125 c
Vi=Vrwu
标志应符合GIB33和本规范的规定、型号标志可不限于行内,制造厂可省略下列标恋:a。制造广的识别;
b.检验批识别代码;
,举号命名中的2℃分,
3.5.1极性标志
器件约负极端应采用明的色带标记,以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验程序应按GJB 33 和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仪对GT和GCT级)
筛选应按GJB 33 表 2 和本规范的规定,其测试应接本规范表 1选行,超过本规范表 1 极限慎的器件应于剔除。
TKAONKAca-
筛选(见GJB33表2)
3热冲击
7 中间中参数测试
8电老化
a 最后测读
4.4质量一致性检验
SJ 50033/20—94
测试或试验
除低温为一55℃外其余同试验条件 F不要求
Vpr和 In
TA=25℃ In=0.3AVr=VwM F=50Hz 正弦半波本规范表1的42分组
A=初始值的1U0%或士.3A,敢较大者。AVeu=±0. 1V
质量一-致性检验应按 GIB 33 和本规范的规定,4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本:规范表 1 的规定选行4.4.2B组检验
B检验应按GJB33和现范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组捡验应按GJB33和本规范表3的规定逆行。最后测试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步的规定。
4.5登验和试验方法
检验和试验方法应按不规范相应的表和如下规定。4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施加规定的正弦半波峰值也压,接着在正问施加规定的正弦半波平均誓流电流,整流电流的正向导通角应不大于183°,不小于153°%4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3..3.2.1条的规定。4.5.3浪涌电流
在规定的温度下,对器件通以额定正向平均电流,然后施加规定的正问(不重复)浪电流,
检或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
正问电压
反向电流
A3分组
高温下作
正向电玉
反可电
低温工作
正可自压
A6分组
浪涌电流
最危测试
检验或试验
B1分组
可焊性
标患的耐久性
B2分组
热冲击
最后测试
E3分辈
稳态工作寿命
最店测试
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
GJB128
IY-1.2. 3
Iv-1.2. 3
见本规范
SJ 50033/20---94
表 1 A组检验
GB 4023
t,10ms
占空因数≤2站
Vx=VEw
Ta=125C
Ims=0. 9A t,=10ms
占空因数≤2%
V-VRWu
Ta--55C
1m=0.9Atp-10mS此内容来自标准下载网
占空因数≤2%
Io=0. 3A Iram =6A
t,=ime
每间隔1min1饮浪涌共10次
按表 4.步骤 1 和 2
表R组检验
GJB 128
除低温为—55外,其余间试验条件F—1按表 4,步骤 1 和 2
In=0.3A VR—VRT
F=50Hz正弦半波
按表4.步骤1、2和3
TA=I75C
按表 4,步骤 1,2 和 3
最小值
最大值
-rKAONKACa-
检验或试验
C1分维
外形尺寸
C2分塑
热蚀击
引出端强度
综合温度?湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C5分组
(道刑时)
低气压
试验期间测
试反问电流
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
GB4023
[V-1. 4. 1
检验或试验
正向电玉
反向电流
反向电流变化
SJ 50033/20—94
表3C组捡验
GJ3 128
见图1
试验条件B
试验条件 A
W1500g
t= 15s
试验条件E
省略预处理
接表4+步骤」和2
试验条件D
t= 60S
Vk-VewN
TA=25C
In=0. 3A4
Vk-Vrwu
f= 50Hz正弦半波
安表4步骤1、2和3
LTPDI符号
表 4A,B,C组检验的电测试
CB 4023
Iv-1. 2. 3
IV-1. 4.-
占空因数2%
V=VrwM
V--Vrwu
注,1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
初始值的103%或
±0. 3j1A 取纹人者
、单位
5.1包装要求
包装要求应符合GJB 33的规定。5.2贮存要求
览存要求应符合GJB 33的规定。5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
6说明事项
6.1预宠用途
SJ 50033/20--94
符台本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容:a.本规范的名称和编号:
h.等级(见 1.3. 1);
需要时,其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1条)。如使用单位需要谢.典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:
本现范由中国电了技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂起草。
本规范主要起草人:工继红、刘东才、金贵永。计划项目代号:B11027
YrKAONTKAca
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
2CZ101型硅开关整流二极管
详细规范
Semiconduetor discrete deviceDetail specification for sillicon rectifierdiodefor type2CZ101
1范围
1.1主题内容
本规范规定了2CZ101型硅整流二极管(以下简称器件>的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采蟀。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类1.3.1器件的等级
SJ 50033/20—94
按GJB33≤半导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字GP、GT 和 GCT 表示。2引用文件
GB4023B6半导体分立器件第2部分:整流一极管GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GJB33—85半导体分立器件总规范GJB128—86半导位分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和列形尺寸应按GJB33和规范图1的规定。3.2.1引出端涂层
引出端表面镶锡。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中窥定(见6.3条)。中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01实施
3.2-2器件结构
SJ 50033/2094
器件采用玻璃纯化封装。在芯片的两面和引出端之间采用高温冶金键合结构,3.2.3外形尺寸
外形尺应符合GB7581的D2-10A型,克图1。L
图1外形图
注:1)L为引线弯成直角后器件安装的题小轴向长度。3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
D2-10A
rKAoNiKAca
2CZ101R
2C2101C
2CZ101D
2CZ101E
2CZ101F
2CZ101G
2CZ101H
2CZ1C1K
2CZ101L
2CZ101M
SJ50033/20--94
t,-:0ms
注:1)当T超过80C时,按4.28m4/C的邀率线性降颖(见图2)。L(A)
图2温度降额线
3.3-2要电特性(TA-25C)
--55 +150
55--+175
20Z101R
2C2101C
2CZ13ID
2CZ1UF
2CZIC1G
2C21C1H
2CZ1011
2CZ1CIK
2CZUIL
ECZ10-M
3.4电谢试要求
$J 50033/20—94
Im --0. 9A
电测试应符合GB4023及本规范的规定,3.5标志
VRVRWy
Th-125 c
Vi=Vrwu
标志应符合GIB33和本规范的规定、型号标志可不限于行内,制造厂可省略下列标恋:a。制造广的识别;
b.检验批识别代码;
,举号命名中的2℃分,
3.5.1极性标志
器件约负极端应采用明的色带标记,以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1抽样和检验
抽样和检验程序应按GJB 33 和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定
4.3筛选(仪对GT和GCT级)
筛选应按GJB 33 表 2 和本规范的规定,其测试应接本规范表 1选行,超过本规范表 1 极限慎的器件应于剔除。
TKAONKAca-
筛选(见GJB33表2)
3热冲击
7 中间中参数测试
8电老化
a 最后测读
4.4质量一致性检验
SJ 50033/20—94
测试或试验
除低温为一55℃外其余同试验条件 F不要求
Vpr和 In
TA=25℃ In=0.3AVr=VwM F=50Hz 正弦半波本规范表1的42分组
A=初始值的1U0%或士.3A,敢较大者。AVeu=±0. 1V
质量一-致性检验应按 GIB 33 和本规范的规定,4.4.1A组检验
A 组检验应按 GJB 33 和本:规范表 1 的规定选行4.4.2B组检验
B检验应按GJB33和现范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)的要求应按本规范表4相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组捡验应按GJB33和本规范表3的规定逆行。最后测试和变化量(4)的要求应按本规范表4相应步的规定。
4.5登验和试验方法
检验和试验方法应按不规范相应的表和如下规定。4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施加规定的正弦半波峰值也压,接着在正问施加规定的正弦半波平均誓流电流,整流电流的正向导通角应不大于183°,不小于153°%4.5.2脉冲测试
脉冲测试条件应按GJB128的3..3.2.1条的规定。4.5.3浪涌电流
在规定的温度下,对器件通以额定正向平均电流,然后施加规定的正问(不重复)浪电流,
检或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
正问电压
反向电流
A3分组
高温下作
正向电玉
反可电
低温工作
正可自压
A6分组
浪涌电流
最危测试
检验或试验
B1分组
可焊性
标患的耐久性
B2分组
热冲击
最后测试
E3分辈
稳态工作寿命
最店测试
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试
GJB128
IY-1.2. 3
Iv-1.2. 3
见本规范
SJ 50033/20---94
表 1 A组检验
GB 4023
t,10ms
占空因数≤2站
Vx=VEw
Ta=125C
Ims=0. 9A t,=10ms
占空因数≤2%
V-VRWu
Ta--55C
1m=0.9Atp-10mS此内容来自标准下载网
占空因数≤2%
Io=0. 3A Iram =6A
t,=ime
每间隔1min1饮浪涌共10次
按表 4.步骤 1 和 2
表R组检验
GJB 128
除低温为—55外,其余间试验条件F—1按表 4,步骤 1 和 2
In=0.3A VR—VRT
F=50Hz正弦半波
按表4.步骤1、2和3
TA=I75C
按表 4,步骤 1,2 和 3
最小值
最大值
-rKAONKACa-
检验或试验
C1分维
外形尺寸
C2分塑
热蚀击
引出端强度
综合温度?湿度
周期试验
外观及机械检验
最后测试
C5分组
(道刑时)
低气压
试验期间测
试反问电流
C6分组
稳态工作寿命
最后测试
GB4023
[V-1. 4. 1
检验或试验
正向电玉
反向电流
反向电流变化
SJ 50033/20—94
表3C组捡验
GJ3 128
见图1
试验条件B
试验条件 A
W1500g
t= 15s
试验条件E
省略预处理
接表4+步骤」和2
试验条件D
t= 60S
Vk-VewN
TA=25C
In=0. 3A4
Vk-Vrwu
f= 50Hz正弦半波
安表4步骤1、2和3
LTPDI符号
表 4A,B,C组检验的电测试
CB 4023
Iv-1. 2. 3
IV-1. 4.-
占空因数2%
V=VrwM
V--Vrwu
注,1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5交货准备
极限值
最小值最大值
极限值
最小值
最大值
初始值的103%或
±0. 3j1A 取纹人者
、单位
5.1包装要求
包装要求应符合GJB 33的规定。5.2贮存要求
览存要求应符合GJB 33的规定。5.3运输要求
运输要求应符合GJB33的规定。
6说明事项
6.1预宠用途
SJ 50033/20--94
符台本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容:a.本规范的名称和编号:
h.等级(见 1.3. 1);
需要时,其他要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3.2.1条)。如使用单位需要谢.典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。附加说明:
本现范由中国电了技术标准化研究所归口。本规范由八七三厂起草。
本规范主要起草人:工继红、刘东才、金贵永。计划项目代号:B11027
YrKAONTKAca
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