【行业标准】 半导体分立器件 2CC51E型硅电调变容二极管详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/22-94
半导体分立器件
2CC51E型硅电调变容二极管
详细规范
Semiconduclor discrete deviceDetail specification for silicon tuning varactordiodefortype2CC51E
1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2CC51E型硅电调变容三极管详细规范Semiconductor discrete deviceDetail specification for silican tuning yaractordlode for 1ype 2CC51E
1范围
1.1主题内容
SJ50033/2294
本规范规定了2CC51E型硅电调变容二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于的器件的研制，生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等级
按GJB33岁半导体分立器件总规范$1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军和特军二级·分别用字母GP和GT表示。
2引用文持
GB657086微波二极管测试方法
GJB 33-85
半导体分立器件总规范
GJR128-86半导体分立器件试验方法GJR
3要求
3.1详细要求
半导体分立器件微被极管外形尺寸各项要求应按GJB33和本规范的规定3.2设计、结构和多形尺小
碧件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端材料和涂层
引出端材料应为无氧铜。引出端表面应为镀金层。对引出端涂层分有要求时，在合同或订中华人民共和国电子工业部1994-09-03发布1994-12-01实施
TKAONKAca
货单中应规定（见6.3)
3.2.2器件结构
SJ50033/22—94
外延台面，芯片内引线采用热压焊，反面用高温金浆与管壳烧结3.2.3形尺寸
外形尺寸接GJB
寸图如：
半导本分立器件微波二极管外形尺寸的W4-31型，其外形尺0. 2×45:
1t.2±0.5
1外形尺#
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
主要电栏（Ta-2［）
2CC51E
Va—30V
聂小值
最大值
F-iMHz
最小值
注：1)封装电容Cp为0.3pF(典型值），3.4电测试要求
最人值
电测试应符合GB6570及本规范的现定。2
55～125
Vz-30V
最小值
墩大道
55~173
-9. 375MH2
3.5标忘
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标应符合GIB 33 和本规范的规定4质量保证规定
4.1拍样和检验
抽样和检验按GIB33的规定。
4.2鉴定检验
鉴定检验按 GJB 33 的规定,
4.3筛选（仅对GT级）
筛选应按GIB33表2和本规范的规定，其测试应按本规范表1的规宣进行，超过本埋泄表！极限值的器件应子剔除，
(死 GJB 33表 2)
3热冲击
5密封
6 商温反
？中间电数测试免费标准bzxz.net
8电老化
9 最后测试
4.4质量-*致性检验
试验方绘
方法号
除低摄为55 C循1U改外:其余间试验条件F试验条件
TA= :25 C.Ve= 24V 96h
表1 的 A2 分组 TR 和 Cjn
T =*25 [.Vr=12V 96h,f =: 50Hx正可峰值电流 1 ~ BμA
反可峰值电压36V
按本规范表1的A2和A4分起！
AC2初始值的=15%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的视定进行，4. 4. 2 B 组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最房减试应按本规范表4的步骤进行4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试应按本规范表的步骤进行、TKAONKAca
恰验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
反电流
结电容
电容变比
A3分组
高限工作
友向电流
A4分组
检验或试验
BI分组
标忌的耐久忙
R2分组
热冲击(湿度循环)
最后酒试：
3 分组
稳态上作寿命
最后试：
136分距
高温寿命(非空作状态）
最后測试，
GJB:28
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表：A组检验
GR 6570
Ve suV
F=IMHz
Vz=3cV
f--1MHz
Va=30V
TA-125C
f= 9. 375GHz
表2B组检验
GJE128
LTPD|符号
除低温为一55心循环10次外，
其会同试验条件1。
试验件C
按表4步骤1和 3
Ta=85 C
Vr=l1V
F= 50Hz 正向峰值生流 1～5μA反向峰值电压24V
按表4步骤2和1
TA-175 C
按表步骤2和4
梭限值
最小值最大值
检验或试验
1分组
外形尺寸
热冲击（玻璃应力）
引出端强度育力矩
综合温度/暴度用期
外减及机械检验
最后测试：
C3分组
变频振动
恒定加速度
最后测试：
C6分组
稳态工作寿命
最后测试：
反向电统
反向电流
结电容
绪书容
5交货准备
5.1包装要求
1门56
本规范附录 A
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表8C组检验
GJR 128
见图1
试验条件A
弯力炬－GOmN·rl
按验条件口
按表 4 步骤 1 和 3
按4903m/s(500g)
0.5m在×·Y方向二各冲击5次
196035m/g2c20000g)
在x，y方向上各进行lmin
按表。步1和
T,-85C Vr=V
=-50Hz工向峰值电流1～5uA
反奇峰值电压 24V
按表1步骤2刘4
表4B组和（组检验的电测试
GB6570
VR=30V
Vh-scV
f-- MIz
f-:MHz
包装要求应接GJB33的规定。
5.2贮存要求
极限值
最小值
最大值
TKAONKAca
存要求应按GJB33的规定。
5.3运输要求
运输要求应接GJB33的规定。
说明事项
6.1预定用途
$3 50033/22—94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有设备的后保障用，6.2订货资料
合间或订货单应规定下列内容：本规范的名称和缩号；
等级（见1.3.1);
c．数量。
d.需要时，其他要求。
6.3对引出端材料和涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定（见3.2.1)。如使用单位需要时·典型特性曲线等可在合同或订货单中规定，A1目的
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附录A
弯力矩试验方法
（补充件）
本试验是为了检验金属·陶瓷过装同轴难器件的抗弯曲能力。A2设备
弯力矩试验需要固定器件的适当夹具和规定的重物，A3试验方法
将器件的一端回定在支持器上，在另一端沿与轴线垂直方向上无冲击地悬挂规定的重物。加力矩后支持器在1cs时间内匀速池旋转三周。A4最后检查
试验片，改大3一10倍进行且视检查。如果电极和瓷管之间出现裂，松动和相移动等任例迹象，器件应判作失效。
有关规范中应给出的数据
对器件所加弯力矩的数值，
附加说明：
本规范出中国电子技术标准化研充所归口。本规范击970厂和中国电子标准化研究所起草。本规范主要趣草人沉继昌，石志坚。划须日代号：BI1022。
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