GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T1558-2009

GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1555-2009

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1554-2009

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1553-2009

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1551-2009

本标 准 规 定了外延钉缺陷的检验方法本标 准 适 用于任何直径与晶向的硅外延片上高度不小于4,u m 的钉缺陷存在与否的判断。如果钉缺陷比少且 彼此不相连，本标准可用十钉缺陷的汁数。本标 准 不 能测量钉缺陷的高度 YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法 YS/T24-1992

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于素和化合物半导体材料。 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 GB/T14264-1993

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。本标准适用于编制半导体材料的牌号。 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 GB/T14844-1993