【国家标准(GB)】 半导体材料牌号表示方法

T1Dr: 621. 315. 592
中华人民共和国国家标准
GB/T14844-93
半导体材料牌号表示方法
Designationsufsenicunducturmaterils1993-12-24发布
国家技求蓝督局
1994-09-01实施
中华人民共和国国家标准
半导体材料牌号表示方法
Ilesignations of semdennducinr materials1主题内容与适用范围
本标准规定了半导体表品，单品，品片利外延片产品牌号的表六方法、GB/门14844-93
本标准适用于编制半导体财料的库号，在演写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号者示方法。产品出！时，座用本标准规定的牌号标芯。2牌骨分类
按品体结构和产品彩状，半导体材料牌号分为多品，单品、显片和外延片四类3牌号表示方法
3. 1多品牌导
半导体多品的牌号表示为：
（国）
二、2、3.4、5分删代表序号的售一项至第五项，3.1.1牌号的第-点表示多品的生产方法或特殊同途，或生产方法与特殊用的矩含，分别用英文的第一个华母婴花学母纠合的大写形式老示，文中A.C表示造滤；
hIR表示汇外光学用：
R表示还原达
e.Z装示区熔法。
3.1.2牌号的第二项中P表示多带，分子式表示多品产3.1.3牌专的第三孩表示多品的多状分月英文第一个半册时人写形式表示，共中：，：1表示梯状：
.N表示块状
3.1.4牌号的第匹理中括号内的款行号表示搭杂剂3.1.5牌号的第项中用阿拉数车表示多品产品的举级，国家技术监情昂1993-12-24批准1994-09-01实
GR/T 1±844—93
3.1.6若多品产品不强调生产方达或形达，或不接杂等，其牌号拒应部分可背略。3. 1. 7 例r
PSiN1表示一级块状球多品：
2-P广R-表示·级区熔诸锭
eR-PGe1表-额丝原错锭.
3.2单市种号
半导体单品的牌号表示为：
1、2,3、分别代表胞书的第一项至第四项。32.1牌号的东项表示单晶的生产方法，分别用英文药第一人字母或共字母组食的人写形式丧示，其中：
（&表示直过法）
FZ表示悬浮区熔法
HI表示水平法，
1.EC表示液对直拉达：
MC名卖示性通按品法
3.2.2牌号的第二项用分子式在示单品的名称，3.2.3牌号的第三项中用m减P表示手屯类型，括专内元素对号表示格杂剂NTD表示中子娘变掺杂法。
牌号的第叫项同案勒指数表示品向，名单量不强调牛产方法或不越求时，其牌导的柑应部处可省略。3.2.6示例
C-Si-)-(100>衣示晶向为<100的型接幅直拉样单品F2Si-（NTD-)表示%可为1的弹中照悬存区路硅单晶：HR-aAa-a(St)-壳示品向为(100范n型接硅水平种化练单路c.
LECGrA（Cr+r）<:表尔品问为:I00>净路和数的破封直拉碑化综单靠：3. 3 品片油号
半导体显片的牌号表示为：
GU/T 14844- 93
1.2.3.4.5分别代表牌号的第-项至第五项，3.3.1障号的英…-项表示产品的生产方法惑特球用连，其符号表习尚3.2.1录．刃以以上类文第一。字母组会的大写形式表系为：
CCD表示用下制作电荷耦器件的品片：IC表示用十制作集成电路器作的品产：TY>表示于制作分立器件的品片：SC炭示用了制作太阴能电池器件的晶片。牌号范第二项用分子式表示单靠的名称。牌学的第二项表示品片种类，分卵用英文第一个字母组台的大亏形式表示，其中：夜示切制片
LW表示单面研磨片非
HI.W表示效面研片，wwW.bzxz.Net
EtW 表示离灿片：
PW表示单面抛光升：
BPW表示双面拖光片：
DW表示扩敏片！
GT表示吸杂片。
牌号第四项中的符号表示同3.2.号条3.3.5碑号的第五项用癌赖指数表示晶向。3.3.6若晶片不强调品体生产方法或特殊用连，或晶体不接杂时，其牌号的相应部分可省略3.3.7示例：
Cz-Si.PW-n(S5)-(1!1)走示，品间为<111>的n型势讲直拉硅单晶地光片D.F2-Si-BLW-n(NTD）<111表示品向为<111>的型中联浮区熔硅单晶双面研磨片。3.4外延片牌号
半导体外延片的牌表示为：
1、2.3、4公别代表牌号药第一项至第四项，31牌号的第一孩丧示外延片的牛长为法，分别用英文英一字丹组合的大写形式表示，其中，.
VFE表示气扫外延：
1.PE表示减柑延！
MNE表示分广东外班；
MOV表示余风有机化合物化学气相流积：d.
牌号第二项用分子式表示外延片基名称。3. 4. 3
牌号的第三项表示外延片的结均，括号内用元素码寸表示热杂剂，分别用下列符号表示：n/n表永车r-型衬房上生长n型外妊层：b.
P/p*表示在p型衬底上牛长P型外恐层：s
GB14B44—93
c./p(或p/n)表示在p型或n型)栏底上生长导电类型相反的外延层；d.n/(或p/I)表示在绝缘底上生长型<次p型）外延层：/表示在Ⅱ型村店土光生长P严外延层，生民型外延层，其他多层外延片结构表示方法以此类推，
3.4.4牌学的第四项用密指数表示品间，3.4.5示削：
VPE-Si-/+（P/Sb）<10)表示晶向为（I)村为重接韩外延层换磷的型气相硅外延片a.
b.LPEGaA%n/(Sn/Te)-(1n0)表示比向为<160>内村底热帝外延层掺n型液相弹化嫁外麓片、
附加说明，
本际准出中五与色金属！业总公司提出.本标降出中国有色金属工收总公司标准计录研究所负责起草。本标准士要起蓝人吴橘立、衰建忠。
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