本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29505-2013

GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T13389-2014

GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T29057-2012

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T14847-2010

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶 GB/T25076-2010

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。 GB/T 6621-2

GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T24582-2009

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 GB/T24581-2009

GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 GB/T24580-2009