SJ/T 10964-1996 电子器件详细规范 ３ＤＤ４０１型硅ＮＰＮ管壳额定低频放大晶体管(可供认证用) SJ/T10964-1996

SJ/T 10963-1996 电子器件详细规范 ３ＤＧ２２７１型硅ＮＰＮ环境额定高频放大晶体管(可供认证用) SJ/T10963-1996

SJ/T 10962-1996 电子器件详细规范 ３ＤＡ１５１４型硅ＮＰＮ环境额定高频放大晶体管(可供认证用) SJ/T10962-1996

SJ/T 10961-1996 电子器件详细规范 ３ＣＧ７７８型硅ＰＮＰ环境额定高频放大晶体管(可供认证用) SJ/T10961-1996

SJ/T 10960-1996 电子器件详细规范 ３ＣＧ８４４型硅ＰＮＰ环境额定高频放大晶体管 SJ/T10960-1996

SJ/T 10959-1996 电子器件详细规范 ３ＣＴ３１５型管壳额定雪崩三极晶体闸流管 (可供认证用) SJ/T10959-1996

SJ/T 10958-1996 电子器件详细规范 ３ＣＴ３２０型管壳额定反向阻断三极晶体闸流管(可供认证用) SJ/T10958-1996

本标准规定了SYFY-75-12型电缆分配系统用泡沫聚乙烯绝缘同轴电缆的技术要求、试验方法、质量评定规则和标志、包装、运输及贮存等。本标准适用于闭路电视、共用天线作分支线以及其它电子装置用SYFY-75-12型泡沫聚乙烯绝缘同轴电缆。 SJ/T 10485.4-1994 ＳＹＦＶ－７５－１２型电缆分

本标准规定了SYFV-75-5型电缆分配系统用泡沫聚乙烯绝缘同轴电缆的技术要求、试验方法、质量评定规则和标志、包装、运输及贮存等。本标准适用于闭路电视、共用天线电视系统作分支和用户线以腻主其它电子装置用SYFV-75-5型泡沫聚乙烯绝缘同轴电缆。 SJ/T 10485.1-1994 ＳＹＦＶ－７５－

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。 SJ/T 10482-1994